Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
О влиянии спонтанной поляризации SiC-подложки на буферный слой и квазисвободный однолистный графен
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 7 февраля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2012 г.
Рассмотрены две задачи: о влиянии спонтанной поляризации SiC-подложки на энергию связи атомов кремния и углерода подложки с атомами углерода буферного слоя; о роли спонтанной поляризации SiC-подложки в допировании квазисвободного однолистного графена. Показано, что в первом случае спонтанная поляризация практически не влияет на энергию связи подложка-буферный слой. Во втором случае сильное качественное влияние спонтанной поляризации имеет место только тогда, когда уровень Ферми системы почти совпадает с точкой Дирака графена. Все оценки получены в рамках простых моделей. В качестве подложек рассматривались 6H-SiC0001 и 4H-SiC0001.
- A.H. Castro Neto, F. Guinea, N.M.R. Peres, K.S. Novoselov, A.K. Geim. Rev. Mod. Phys., 81 (1), 109 (2008)
- Y.H. Wu, T. Yu, Z.X. Shen. J. Appl. Phys., 108, 071 301 (2010)
- J. Haas, W.A. de Heer, E.H. Conrad. J. Phys.: Condens. Matter, 20, 323 202 (2008)
- C. Mathieu, N. Barret, J. Rault, Y.Y. Mi, B. Zhang, W.A. de Heer, C. Berger, F.H. Conrad, O. Renault. arXiv: 1104.1359
- N. Srivastava, G. He, Luxmi, R.M. Feenstra. Phys. Rev. B, 85, 041 404 (2012)
- S. Goler, C. Coletti, V. Pellegrini, K.V. Emtsev, U. Starke, F. Beltram, S. Heun. arXiv: 1111.4918
- T. Jayasekera, S. Xu, K.W. Kim, M.B. Nardelli. Phys. Rev. B, 84, 035 442 (2011)
- I. Deretzis, A. La Magna. arXiv: 1103.0839
- С.Ю. Давыдов. ФТТ, 48 (8), 1407 (2006)
- С.Ю. Давыдов, А.В. Трошин. ФТТ, 49 (4), 723 (2007)
- С.Ю. Давыдов. ФТТ, 51 (6), 1161 (2009)
- И.Е. Иродов. Электромагнeтизм. Основные законы (М., Изд-во Лаборатория Базовых Знаний, 2000)
- J. Ristein, S. Mammadov, Th. Seyller. arXiv: 1109.6907
- C. Coletti, K.V. Emtsev, A.A. Zakharov, T. Quisse, D. Chaussende, U. Starke. Appl. Phys. Lett., 99, 081 904 (2011)
- C.Ю. Давыдов. ФТТ, 54 (4), 821 (2012)
- У. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых тел (М., Мир, 1983) т. 1
- W.A. Harroson. Phys. Rev. B, 27 (6), 3592 (1983)
- W.A. Harroson. Phys. Rev. B, 31 (4), 2121 (1985)
- Физические величины. Справочник, под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова (М., Энергоатомиздат, 1991)
- С.Ю. Давыдов. ФТП, 41 (6), 718 (2007)
- A. Mattausch, O. Pankratov. Phys. Rev. Lett., 99, 076 802 (2007)
- С.Ю. Давыдов. ФТП, 46 (2), 204 (2012)
- С.Ю. Давыдов, О.В. Посредник. ФТТ, 53 (3), 814 (2011)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
