"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности проводимости интерметаллического полупроводника n-ZrNiSn, сильно легированного донорной примесью Bi
Ромака В.А.1,2, Rogl P.3, Стаднык Ю.В.4, Hlil E.K.5, Ромака В.В.2, Горынь А.М.4
1Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины, Львов, Украина
2Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
3Институт физической химии Венского университета, А- Вена, Австрия
4Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
5Институт Нееля Национального центра научных исследований, Гренобль, Франция
Поступила в редакцию: 21 ноября 2011 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2012 г.

Исследованы кристаллическая структура, распределение электронной плотности, энергетические, кинетические и магнитные характеристики интерметаллического полупроводника n-ZrNiSn, сильно легированного донорной примесью Bi в диапазонах: T=80-400 K, NBiD~9.5·1019 см-3 (x=0.005)-1.9·1021 см-3 (x=0.10); H=<q0.5 Тл. Установлено, что такое легирование генерирует в кристалле два типа структурных дефектов донорной природы, которые проявляются как на зависимости изменения параметра элементарной ячейки a(x), так и на температурной зависимости удельного сопротивления lnrho(1/T) ZrNiSn1-xBix, x=0.005. Показано, что ZrNiSn1-xBix является новым и перспективным термоэлектрическим материалом, который по эффективности преобразования тепловой энергии в электрическую намного превышает n-ZrNiSn. Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского--Эфроса.
  1. T.M. Tritt, M.A. Subramanian. MRS Bulletin, 31 (3), 188 (2006)
  2. C. Uher, J. Yang, S. Hu, D.T. Morelli, G.P. Meisner. Phys. Rev. B, 59 (13), 8615 (1999)
  3. Yu. Gorelenko, V.A. Romaka, Yu. Stadnyk et al. 25th Int. Conf. on Thermoelectrics. Proceeding ICT 2006 (Wien, Austria, 2006) p. 720
  4. В.А. Ромака, D. Fruchart, E.K. Hlil и др. ФТП, 44 (3), 310 (2010)
  5. В.А. Ромака, Ю.В. Стаднык, D. Fruchart и др. ФТП, 43 (3), 297 (2009)
  6. В.А. Ромака, В.В. Ромака, Ю.В. Стаднык. Интерметаллические полупроводники: свойства и применения (Львов, Львовская политехника, 2011)
  7. В.А. Ромака, Ю.В. Стаднык, В.В. Ромака и др. ФТП, 41 (9), 1059 (2007)
  8. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 61, 816 (1971)
  9. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 62, 1156 (1972)
  10. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  11. L.G. Akselrud, Yu.N. Grin, P.Yu. Zavalii, V.K. Pecharsky, V.S. Fundamenskii. Proc. 12th Eur. Crystallographic Meeting. Collected Abstract (M., Nauka, 1989) p. 155

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.