"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние диффузии с боковой поверхности на скорость роста нитевидных нанокристаллов GaN
Сибирёв Н.В.1,2, Tchernycheva M.1,3,4, Цырлин Г.Э., Patriarche G.4, Harmand J.C.4, Дубровский В.Г.1,2,5
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
3Institute d'Electronique Fondamentale, Universite Paris-Sud F Orsay, France
4CNRS-LPN, Route de Nozay, Marcoussis, France
5Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 ноября 2011 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2012 г.

Проведены экспериментальные и теоретические исследования кинетики роста нитевидных нанокристаллов GaN на поверхности Si(111) в отсутствие катализатора. Безкаталитические нитевидные нанокристаллы GaN были выращены методом молекулярно-пучковой эпитаксии с AlN-вставками, что позволяет определить их вертикальную скорость роста. Развита модель формирования нитевидных нанокристаллов GaN и получено выражение для скорости роста. Показано, что зависимость скорости роста от диаметра в общем случае имеет минимум. Значение диаметра, при котором наблюдается минимум скорости роста, монотонно возрастает с увеличением диффузионного потока Ga с боковой поверхности.
  1. M. Yoshizawa, A. Kikuchi, M. Mori, N. Fujita, K. Kishino. Jpn. J. Appl. Phys.--2 lett., 36 (4B), L459 (1997)
  2. M.A. Sancehez-Garcia, E. Calleja, E. Monroy, F.J. Sanchez, F. Calle, E. Munoz, R. Beresford. J. Cryst. Growth, 183 (1--2), 23 (1998)
  3. В.В. Мамутин, Н.А. Черкашин, В.А. Векшин, В.Н. Жмерик, С.В. Иванов. ФТТ, 43 (1), 146 (2001)
  4. M. Tchernycheva, C. Sartel, G. Cirlin, L. Traves, G. Patriarche, J.C. Harmand, S. Dang Le, J. Renard, B. Gayral, L. Nevou, F. Julien. Nanotechnology, 18 (38), 385 306 (2007)
  5. R. Calarco, R.J. Meijers, R.K. Debnath, T. Stoica, E. Sutterand, H. Luth. Nano Lett., 7 (8), 2248 (2007)
  6. O. Landre, C. Bourgeol, H. Renevier, B. Daudin. Nanotechnology, 20 (41), 415 602 (2009)
  7. В.Г. Дубровский, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов. ФТП, 43 (12), 1585 (2009)
  8. V. Consonni, M. Knelangen, A. Trampert, L. Geelhaar, H. Riechert. Appl. Phys. Lett., 98, 071 913 (2011)
  9. J.C. Johnson, H.-J. Choi, K.P. Knutsen, R.D. Schaller, P. Yang, R.J. Saykally. Nature Mater., 1, 106 (2002)
  10. E. Calleja, M.A. Sanchez-Garcia, F.J. Sanchez, F. Calle, F.B. Naranjo, E. Munoz, U. Jahn, K. Ploog. Phys. Rev. B, 62 (24), 16 826 (2000)
  11. Yu Huang, X. Duan, Yi Cui, C.M. Lieber. Nano Lett., 2 (2), 101 (2002)
  12. M. Sakai, Y. Unose, K. Ema, T. Ohtsuki, H. Sekiguchi, A. Kikuchi, K. Kishino. Appl. Phys. Lett., 97, 151 109 (2010)
  13. J. Ristic, E. Calleja, S. Fernandez-Garrido, L. Cerytti, A. Trampert, U. Jahn, K.H. Ploog. J. Cryst. Growth, 310, 4035 (2008)
  14. V. Consonni, M. Knelangen, L. Geelhaar, A. Trampert, H. Riechert. Phys. Rev. B, 81, 085 310 (2010)
  15. В.В. Мамутин. Письма ЖТФ, 25 (18), 55 (1999)
  16. M. Tchernycheva, C. Sartel, G. Cirlin, L. Travers, G. Patriache, L. Lagreau, O. Maugin, J.C. Harmand, L.S. Dang, J. Renard, B. Gayral, L. Nevou, F. Julien. Phys. Status Solidi C, 5 (6), 1556 (2008)
  17. В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирёв, Г.Э. Цырлин. Письма ЖТФ, 30 (16), 41 (2004)
  18. В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирёв, М.А. Тимофеева. ФТП, 43 (9), 1267 (2009)
  19. В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирёв. Письма ЖТФ, 32 (24), 10 (2006)
  20. V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, I.P. Soshnikov, W.H. Chen, R. Larde, E. Cadel, P. Pareige, T. Xu, B. Grandidier, J.P. Nys, D. Stievenard, M. Moewe, L.C. Chyang, C. Chang-Hasnain. Phys. Rev. B, 79, 205 316 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.