Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фоточувствительные гетеропереходы Ox/GaAs: создание и свойства

Рудь В.Ю.¹, Рудь Ю.В.², Теруков Е.И.², Ушакова Т.Н.²

¹Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 22 ноября 2011 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2012 г.

PDF версия

Предложен метод безвакуумного термического окисления кристаллов арсенида галлия в воздушной атмосфере и созданы первые фоточувствительные гетеропереходы Ox/n-GaAs. (Ox - естественный окисел). Исследованы стационарные вольт-амперные характеристики и спектры относительной квантовой эффективности новых структур. Обсуждаются особенности спектров фотоактивного поглощения полученных гетеропереходов. Установлены возможности применения безвакуумного термического окисления кристаллов GaAs в воздушной атмосфере для создания на их основе широкополосных гетерофотопреобразователей оптических излучений.

Zh.I. Alferov, V.M. Andreev, N.N. Ledentsov. Ioffe Institute 1918--1998. Development and Research Activities (Ioffe Institute) p. 68
В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, В.П. Хвостиков. ФТП, 33, 747 (1999)
Г.А. Ильчук, В.И. Иванов-Омский, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Р.Н. Бекимбетов, В.О. Украинец. ФТП, 34, 1099 (2000)
Г.А. Ильчук, Р.Ю. Петрусь, Ю.А. Николаев, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков. Письма ЖТФ, 33, 24 (2007)
Ю.А. Николаев, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков. Письма ЖТФ, 33 (7), 87 (2007)
Г.А. Ильчук, В.В. Кусьнеж, Р.Ю. Петрусь, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков, В.О. Украинец. ФТП, 40, 1356 (2006)
C. Tatsuyama, S. Ichimura, H. Ivakuro. Hpn. J. Appl. Phys., 21, L25 (1982)
С.Е. Никитин, Ю.А. Николаев, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков, N. Fernelius, F. Goldstein. ФТП, 38, 407 (2004)
Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник, под ред. А.В. Новоселовой (М., Наука, 1978)
Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973)
А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир, 1975)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель