Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электронные состояния на границах раздела электролит/n-GaN и электролит/n-InGaN

Рудинский М.Э.¹, Гуткин А.А.¹, Брунков П.Н.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 22 ноября 2011 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2012 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы дифференциальные емкость и активная проводимость выпрямляющих контактов n-GaN и n-In_xGa_1-xN (x~0.15) с электролитом (0.2 М водные растворы NaOH, NaCl или HCl). Обнаружено, что на границе раздела указанных полупроводников с раствором NaOH существуют электронные состояния с энергиями, соответствующими верхней половине запрещенной зоны полупроводника. Плотность и характеристическое время перезарядки состояний, дающих заметный вклад в дифференциальные емкость и активную проводимость при частотах зондирующего напряжения 0.3-1 кГц, увеличиваются при увеличении их энергии связи и в случае n-GaN для состояний с энергией на 0.15-0.3 эВ ниже дна зоны проводимости лежат соответственно в диапазонах 10¹²-2·10¹³ см^-2эВ^-1 и 10^-4-10^-2 с. Для контактов с растворами NaCl и HCl подобные состояния отсутствуют. Предполагается, что обнаруженные состояния связаны с адсорбцией гидроксильной группы.

P. Blood. Semicond. Sci. Technol., 1, 7 (1986)
T. Wolff, M. Rapp, T. Rotter. Phys. Status Solidi A, 201, 2967 (2004)
П.Н. Брунков, С.О. Усов, Ю.Г. Мусихин, А.Е. Жуков, Г.Е. Цырлин, В.М. Устинов, С.Г. Конников, Г.К. Расулова. ФТП, 98, 469 (2004)
П.Н. Брунков, А.А. Гуткин, М.Э. Рудинский, О.И. Ронжин, А.А. Ситникова, А.А. Шахмин, Б.Я. Бер, Д.Ю. Казанцев, А.Ю. Егоров, В.Е. Земляков, С.Г. Конников. ФТП, 45, 829 (2011)
S.R. Morrison. Electrochemistry of Semiconductors and Oxidized Metal Electrodes (Plenum Press, N.Y.--London, 1980)
X. Wang, S.-B. Che, Y. Ishitani, A. Yoshikawa. Appl. Phys. Lett., 91, 242 111 (2007)
E.H. Nicolian, A. Goetzberger. Bell Syst. Techn. J., 46, 1055 (1967)
W.V. Lundin et al. J. Cryst. Growth, 315, 267 (2011)
S.V. Ivanov, T.V. Shubina, V.N. Jmerik, V.A. Vekshin, P.S. Kop'ev, B. Monemar. J. Cryst. Growth, 269, 1 (2004)
S.Y. Wang, F. Haran, J. Simpson, H. Stewart, J.M. Wallace, K.A. Prior, B.C. Cavenett. Appl. Phys. Lett., 60, 344 (1992)
V. Copal, E.-H. Chen, E.P. Kvam, J.J. Woodall. J. Electron. Mater., 29, 1333 (2000)
S.S. Kocha, M.W. Peterson, D.J. Arent, J.M. Redwing, M. Tischler, J.A. Turner. J. Electrochem. Soc., 142, L238 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель