Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2012, выпуск 6 » Статья стр. 739
<<<>>>
Структурные и спектральные особенности МОС-гидридных твердых растворов AlxGayIn1-x-yAszP1-z/ GaAs(100)
Середин П.В.1, Глотов А.В.1, Домашевская Э.П.1, Леньшин А.С.1, Смирнов М.С.1, Арсентьев И.Н.2, Винокуров Д.А.2, Станкевич А.Л.2, Тарасов И.С.2
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 ноября 2011 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2012 г.
PDF версия
Исследовались МОС-гидридные эпитаксиальные гетероструктуры на основе пятикомпонентных твердых растворов AlxGayIn1-x-yAszP1-z, выращенные в области составов изопериодических GaAs. Методами рентгеновской дифракции и атомно-силовой микроскопии показано, что на поверхности гетероструктур присутствуют наноразмерные объекты, имеющие форму островков, которые могут выстраиваться на поверхности твердого раствора в линейном направлении. На основании расчетов параметров кристаллической решетки с учетом внутренних напряжений можно предположить, что новое соединение является фазой на основе твердого раствора AlxGayIn1-x-yAszP1-z.
  1. A. Stroppa, M. Peressi. Phys. Rev. B, 71, 1200 (2005)
  2. В.В. Кузнецов, Л.С. Лунин, В.И. Ратушный. Гетероструктуры на основе четверных и пятерных твердых растворов AIIIBV (Ростов н/Д., Изд-во СКНЦ ВШ, 2003)
  3. Roberta Campi Doctoral Thesis (Royal Institute of Technology, (KTH), Stockholm )
  4. WIPO Patent Application WO/2007/127269
  5. US Patent Application 20100297608
  6. Э.П. Домашевская, П.В. Середин, Э.П. Домашевская, Л.А. Битюцкая, И.Н. Арсентьев. Поверхность: Рентгеновские и синхротронные спектры, N 2, 62 (2008)
  7. N.A. Bert, A.T. Gorelenok, A.G. Dzigasov, S.G. Konnikov, T.B. Popova, V.K. Tiblov. J. Cryst. Growth, 52, 716 (1981)
  8. Л.С. Вавилова, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, Н.А. Пихтин, И.С. Тарасов, И.П. Ипатова, В.А. Щукин, Н.А. Берт, А.А. Ситникова. ФТП, 33 (9), 1108 (1999)
  9. C. Frigeri, A.A. Shakhmin, D.A. Vinokurov, M.V. Zamoryanskaya. Phys. Status Solidi C, 8 (4), 1269 (2011)
  10. E.P. Domashevskaya, P.V. Seredin, A.N. Lukin, L.A. Bityutskaya, M.V. Grechkina, I.N. Arsent'ev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Surf. Interface Analysis, 8 (4), 828 (2006)
  11. М.А. Герман. Полупроводниковые сверхрешетки, пер. с англ. (Всес. центр переводов, 1987)
  12. В.Л. Алперович, Ю.В. Болховитянов, С.И. Чикичев, А.Г. Паулиш, А.С. Терехов, А.С. Ярошевич. ФТП, 39, 1102 (2001)
  13. E. John. Heteroepitaxy of semiconductuctors: theory, growth, and characterization (Taylor\&Francis Group, LLC, 2007)
  14. S. Adachi. Physical properties of III--V semiconductor compounds (Wiley, 1992)
  15. Э.П. Домашевская, Н.Н. Гордиенко, Н.А. Румянцева, П.В. Середин, Б.Л. Агапов, Л.А. Битюцкая, И.Н. Арсентьев, Л.С. Вавилова, И.С. Тарасов. ФТП, 42 (9), 1086 (2008)
  16. F. Glas, M.M.J. Treacy, M. Quillec, H. Launois. J. de Physique, C5 (43), 5 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme