Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2012, выпуск 5 » Статья стр. 609
<<<>>>
Фазовые переходы в тонких пленках халькогенидов Ge2Sb2Te5 по данным комбинационного рассеяния света
Авачев А.П.1, Вихров С.П.1, Вишняков Н.В.1, Козюхин С.А.2, Митрофанов К.В.1, Теруков Е.И.3
1Рязанский государственный радиотехнический университет, Рязань, Россия
2Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 18 октября 2011 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2012 г.
PDF версия
Представлено исследование спектров комбинационного рассеяния света в тонких пленках халькогенидных полупроводников состава Ge2Sb2Te5 с целью определения температур фазовых переходов, происходящих при воздействии лазерного излучения.
  1. A. Kolobov, P. Fons, J. Tominaga. Proc. Mater. Res. Soc., 918E, H04-05 (2006)
  2. E.R. Meinders, A.V. Mijiritskii, L. van Pieterson, M. Wuttig. Optical Data Storage Phase-Change Media and Recording (Springer, Berlin, 2006) v. 4
  3. A. Redaelli, A. Pirovano, A. Benvenuti, A.L. Lacaita. J. Appl. Phys., 103 (11), 111 101 (2008)
  4. S. Raoux, W. Wojciech, D. Ielmini. Chem. Rev., 110 (1), 240 (2010)
  5. G.C. Sosso, S. Caravati, C. Gatti, S. Assoni, M. Bernasconi. J. Phys.: Condens. Matter, 21, 245 401 (2009)
  6. Н.Х. Абриковсов, Г.Т. Данилова-Добрякова. Неорг. матер., 1 (2), 204 (1965)
  7. M.H. Jang, S.J. Park, D.H. Lim, M.-H. Cho, K.H. Do, D.-H. Ko, H.C. Sohn. Appl. Phys. Lett., 95, 012 102 (2009)
  8. H. Satoh, K. Sugawara, K. Tanaka. J. Appl. Phys., 99, 024 306 (2006)
  9. L. Bo, S. Zhi-Tang, Z. Ting, F. Song-Lin, C. Bomy. Chin. Phys., 13 (11), 1947 (2004)
  10. P. Nemec, A. Moreac, V. Nazabal, M. Pavlista, J. Prikryl, M. Frumar. J. Appl. Phys., 106, 103 509 (2009)
  11. A.V. Kolobov, P. Fons, A.I. Frenkel, A.L. Ankudinov, J. Tominaga, T. Uruga. Nature Mater., 3, 703 (2004)
  12. J. Akola, R.O. Jones. Phys. Rev. B, 76 (23), 235 201 (2007)
  13. W. Braun, R. Shayduk, T. Flissikowski, M. Ramsteiner, H.T. Grahn, H. Riechert, P. Fons, A. Kolobov. Appl. Phys. Lett., 94, 041 902 (2009)
  14. J.M. Hayes. Raman scattering in GaN, AlN and AlGaN: Basic Material Properties, Processing and Devices (Bristol, University of Bristol, 2002)
  15. А.С. Качко, В.Н. Ваховский, В.А. Володин. Вестн. НГУ. Сер. Физика, 5 (1), 48 (2010)
  16. V.A. Volodin, T.T. Korchagina, J. Koch, B.N. Chichkov. Physica E, 42, 1820 (2010)
  17. K.S. Andrikopoulos, S.N. Yannopoulos, G.A. Voyiatzis, A.V. Kolobov, M. Ribes, J. Tominaga. J. Phys.: Condens. Matter, 18, 965 (2006)
  18. L. Bo, R. Hao, G. Fu-Xi, C. Bomy. Chin. Phys., 11 (3), 293 (2002)
  19. M. Krbal, A.V. Kolobov, J. Haines, A. Pradel, M. Ribes, P. Fons, J. Tominaga, C. Levelut, R. Le Parc, M. Hanfland. Appl. Phys. Lett., 93, 031 918 (2008)
  20. J.P. Reifenberg, M.A. Panzer, S. Kim, A.M. Gibby, Y. Zhang, S. Wong, H.-S.P. Wong, E. Pop, K.E. Goodson. Appl. Phys. Lett., 91, 111 904 (2007)
  21. M.H.R. Lankhorst, B.W.S.M.M. Ketelaars, R.A.M. Wolters. Nature Mater., 4, 347 (2005)
  22. A.A. Sherchenkov, S.A. Kozyukhin, E.V. Gorshkova. J. Optoelectron. Adv. Mater., 11 (1), 26 (2009).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2023 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme