"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фазовые переходы в тонких пленках халькогенидов Ge2Sb2Te5 по данным комбинационного рассеяния света
Авачев А.П.1, Вихров С.П.1, Вишняков Н.В.1, Козюхин С.А.2, Митрофанов К.В.1, Теруков Е.И.3
1Рязанский государственный радиотехнический университет, Рязань, Россия
2Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 18 октября 2011 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2012 г.

Представлено исследование спектров комбинационного рассеяния света в тонких пленках халькогенидных полупроводников состава Ge2Sb2Te5 с целью определения температур фазовых переходов, происходящих при воздействии лазерного излучения.
  • A. Kolobov, P. Fons, J. Tominaga. Proc. Mater. Res. Soc., 918E, H04-05 (2006)
  • E.R. Meinders, A.V. Mijiritskii, L. van Pieterson, M. Wuttig. Optical Data Storage Phase-Change Media and Recording (Springer, Berlin, 2006) v. 4
  • A. Redaelli, A. Pirovano, A. Benvenuti, A.L. Lacaita. J. Appl. Phys., 103 (11), 111 101 (2008)
  • S. Raoux, W. Wojciech, D. Ielmini. Chem. Rev., 110 (1), 240 (2010)
  • G.C. Sosso, S. Caravati, C. Gatti, S. Assoni, M. Bernasconi. J. Phys.: Condens. Matter, 21, 245 401 (2009)
  • Н.Х. Абриковсов, Г.Т. Данилова-Добрякова. Неорг. матер., 1 (2), 204 (1965)
  • M.H. Jang, S.J. Park, D.H. Lim, M.-H. Cho, K.H. Do, D.-H. Ko, H.C. Sohn. Appl. Phys. Lett., 95, 012 102 (2009)
  • H. Satoh, K. Sugawara, K. Tanaka. J. Appl. Phys., 99, 024 306 (2006)
  • L. Bo, S. Zhi-Tang, Z. Ting, F. Song-Lin, C. Bomy. Chin. Phys., 13 (11), 1947 (2004)
  • P. Nemec, A. Moreac, V. Nazabal, M. Pavlista, J. Prikryl, M. Frumar. J. Appl. Phys., 106, 103 509 (2009)
  • A.V. Kolobov, P. Fons, A.I. Frenkel, A.L. Ankudinov, J. Tominaga, T. Uruga. Nature Mater., 3, 703 (2004)
  • J. Akola, R.O. Jones. Phys. Rev. B, 76 (23), 235 201 (2007)
  • W. Braun, R. Shayduk, T. Flissikowski, M. Ramsteiner, H.T. Grahn, H. Riechert, P. Fons, A. Kolobov. Appl. Phys. Lett., 94, 041 902 (2009)
  • J.M. Hayes. Raman scattering in GaN, AlN and AlGaN: Basic Material Properties, Processing and Devices (Bristol, University of Bristol, 2002)
  • А.С. Качко, В.Н. Ваховский, В.А. Володин. Вестн. НГУ. Сер. Физика, 5 (1), 48 (2010)
  • V.A. Volodin, T.T. Korchagina, J. Koch, B.N. Chichkov. Physica E, 42, 1820 (2010)
  • K.S. Andrikopoulos, S.N. Yannopoulos, G.A. Voyiatzis, A.V. Kolobov, M. Ribes, J. Tominaga. J. Phys.: Condens. Matter, 18, 965 (2006)
  • L. Bo, R. Hao, G. Fu-Xi, C. Bomy. Chin. Phys., 11 (3), 293 (2002)
  • M. Krbal, A.V. Kolobov, J. Haines, A. Pradel, M. Ribes, P. Fons, J. Tominaga, C. Levelut, R. Le Parc, M. Hanfland. Appl. Phys. Lett., 93, 031 918 (2008)
  • J.P. Reifenberg, M.A. Panzer, S. Kim, A.M. Gibby, Y. Zhang, S. Wong, H.-S.P. Wong, E. Pop, K.E. Goodson. Appl. Phys. Lett., 91, 111 904 (2007)
  • M.H.R. Lankhorst, B.W.S.M.M. Ketelaars, R.A.M. Wolters. Nature Mater., 4, 347 (2005)
  • A.A. Sherchenkov, S.A. Kozyukhin, E.V. Gorshkova. J. Optoelectron. Adv. Mater., 11 (1), 26 (2009).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.