Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фазовые переходы в тонких пленках халькогенидов Ge₂Sb₂Te₅ по данным комбинационного рассеяния света

Авачев А.П.¹, Вихров С.П.¹, Вишняков Н.В.¹, Козюхин С.А.², Митрофанов К.В.¹, Теруков Е.И.³

¹Рязанский государственный радиотехнический университет, Рязань, Россия Ryazan State Radio Engineering University, Ryazan, Russia

²Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия Kurnakov Institute of General and Inorganic Chemistry, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Kurnakov Institute of General and Inorganic Chemistry, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

³Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 18 октября 2011 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2012 г.

PDF версия

Представлено исследование спектров комбинационного рассеяния света в тонких пленках халькогенидных полупроводников состава Ge₂Sb₂Te₅ с целью определения температур фазовых переходов, происходящих при воздействии лазерного излучения.

A. Kolobov, P. Fons, J. Tominaga. Proc. Mater. Res. Soc., 918E, H04-05 (2006)
E.R. Meinders, A.V. Mijiritskii, L. van Pieterson, M. Wuttig. Optical Data Storage Phase-Change Media and Recording (Springer, Berlin, 2006) v. 4
A. Redaelli, A. Pirovano, A. Benvenuti, A.L. Lacaita. J. Appl. Phys., 103 (11), 111 101 (2008)
S. Raoux, W. Wojciech, D. Ielmini. Chem. Rev., 110 (1), 240 (2010)
G.C. Sosso, S. Caravati, C. Gatti, S. Assoni, M. Bernasconi. J. Phys.: Condens. Matter, 21, 245 401 (2009)
Н.Х. Абриковсов, Г.Т. Данилова-Добрякова. Неорг. матер., 1 (2), 204 (1965)
M.H. Jang, S.J. Park, D.H. Lim, M.-H. Cho, K.H. Do, D.-H. Ko, H.C. Sohn. Appl. Phys. Lett., 95, 012 102 (2009)
H. Satoh, K. Sugawara, K. Tanaka. J. Appl. Phys., 99, 024 306 (2006)
L. Bo, S. Zhi-Tang, Z. Ting, F. Song-Lin, C. Bomy. Chin. Phys., 13 (11), 1947 (2004)
P. Nemec, A. Moreac, V. Nazabal, M. Pavlista, J. Prikryl, M. Frumar. J. Appl. Phys., 106, 103 509 (2009)
A.V. Kolobov, P. Fons, A.I. Frenkel, A.L. Ankudinov, J. Tominaga, T. Uruga. Nature Mater., 3, 703 (2004)
J. Akola, R.O. Jones. Phys. Rev. B, 76 (23), 235 201 (2007)
W. Braun, R. Shayduk, T. Flissikowski, M. Ramsteiner, H.T. Grahn, H. Riechert, P. Fons, A. Kolobov. Appl. Phys. Lett., 94, 041 902 (2009)
J.M. Hayes. Raman scattering in GaN, AlN and AlGaN: Basic Material Properties, Processing and Devices (Bristol, University of Bristol, 2002)
А.С. Качко, В.Н. Ваховский, В.А. Володин. Вестн. НГУ. Сер. Физика, 5 (1), 48 (2010)
V.A. Volodin, T.T. Korchagina, J. Koch, B.N. Chichkov. Physica E, 42, 1820 (2010)
K.S. Andrikopoulos, S.N. Yannopoulos, G.A. Voyiatzis, A.V. Kolobov, M. Ribes, J. Tominaga. J. Phys.: Condens. Matter, 18, 965 (2006)
L. Bo, R. Hao, G. Fu-Xi, C. Bomy. Chin. Phys., 11 (3), 293 (2002)
M. Krbal, A.V. Kolobov, J. Haines, A. Pradel, M. Ribes, P. Fons, J. Tominaga, C. Levelut, R. Le Parc, M. Hanfland. Appl. Phys. Lett., 93, 031 918 (2008)
J.P. Reifenberg, M.A. Panzer, S. Kim, A.M. Gibby, Y. Zhang, S. Wong, H.-S.P. Wong, E. Pop, K.E. Goodson. Appl. Phys. Lett., 91, 111 904 (2007)
M.H.R. Lankhorst, B.W.S.M.M. Ketelaars, R.A.M. Wolters. Nature Mater., 4, 347 (2005)
A.A. Sherchenkov, S.A. Kozyukhin, E.V. Gorshkova. J. Optoelectron. Adv. Mater., 11 (1), 26 (2009).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель