"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние концентрации нескомпенсированных примесей на свойства детекторов рентгеновского и gamma-излучения на основе CdTe
Косяченко Л.А.1, Склярчук В.М.1, Мельничук С.В.1, Маслянчук О.Л.1, Грушко Е.В.1, Склярчук О.В.1
1Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 4 августа 2011 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2012 г.

Из измерений спектров излучения изотопа 55Fe и фоточувствительности CdTe-детекторов с диодом Шоттки, а также из температурной зависимости удельного сопротивления кристалла CdTe ((2-3)·109 Ом·см при 300 K) найдена концентрация нескомпенсированных доноров (1-3)·1012 см-3. Аналогичные измерения, проведенные на кристаллах Cd0.9Zn0.1Te с удельным сопротивлением (3-5)·1010 Ом·см при 300 K, показали, что концентрация нескомпенсированных дононов в этом случае примерно на 4 порядка ниже. Результаты расчетов показывают, что из-за столь значительного уменьшения концентрации нескомпенсированных доноров эффективность детектирования рентгеновского и gamma-излучения в интервале энергий фотонов от 59 до 662 кэВ может уменьшиться на 1-3 порядка (в зависимости от энергии фотонов и времени жизни носителей заряда в области пространственного заряда). Полученные результаты объясняют наблюдаемые неудовлетворительные детектирующие свойства Cd0.9Zn0.1Te-детекторов.
  1. R.H. Redus, A.C. Huber, J.A. Pantazis. Nucl. Instrum. Meth. A, 458, 214 (2001)
  2. T. Takahashi, S. Watanabe. IEEE Trans. Nucl. Sci. 48 (4), 950 (2001)
  3. G. Mandel. Phys. Rev., 134, A1073 (1964)
  4. F.F. Morehead, G. Mandel. Phys. Rev., 137, A924 (1965)
  5. W. Stadler, D.M. Hofmann, H.C. Alt, T. Muschik, B.K. Meyer, E. Weigel, G. Muller-Vogt, M. Salk, E. Rupp, K.W. Benz. Phys. Rev. B, 51, 10 619 (1995)
  6. S. Lany, H. Wolf, Th. Wichert. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 763, B1.3.1 (2003)
  7. Y. Eizen. Nucl. Instrum. Meth. A, 322, 596 (1992)
  8. L.A. Kosyachenko, O.L. Maslyanchuk, V.A. Gnatyuk, C. Lambropoulos, I.M. Rarenko, V.M. Skhyarchuk, O.F. Sklyarchuk, Z.I. Zakharuk. Semicond. Sci. Technol., 23, 075 024 (2008)
  9. L.A. Kosyachenko, A.I. Savchuk, E.V. Grushko. Thin Sol. Films, 517, 2386 (2009)
  10. S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices, 2nd edn (N.Y., Wiley-Interscience, 1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.