"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Об особенностях процессов рекомбинации в слоистых пленках a-Si : H
Курова И.А.1, Ормонт Н.Н.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 4 августа 2011 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2012 г.

Спектральный состав поглощаемого света определяет тип генерации носителей тока --- межзонную или смешанную генерацию, которая включает также генерацию электронов с уровней хвоста валентной зоны. Тип генерации влияет на величину и температурную зависимость темпа рекомбинации электронов в слоистых пленках a-Si : H. Это влияние обусловлено изменением заполнения электронами уровней оборванных связей кремния и уровней хвоста валентной зоны при смене типа генерации носителей тока. В результате при смешанной генерации носителей тока в исследованных пленках, имеющих малую врожденную концентрацию оборванных связей, рекомбинация электронов на них мала и рекомбинация на уровнях хвоста валентной зоны может преобладать вплоть до комнатных температур.
  1. В.П. Афанасьев, Ф.С. Гудовских, О.И. Коньков, М.М. Казанин, К.В. Коугия, А.А. Сазонов, И.Н. Трапезникова, Е.И. Теруков. ФТП, 34, 492 (2000)
  2. И.А. Курова, Н.Н. Ормонт, Е.И. Теруков, И.Н. Трапезникова, В.П. Афанасьев, А.С. Гудовских. ФТП, 35, 367 (2001)
  3. И.А. Курова, Н.Н. Ормонт. ФТП, 44, 1624 (2010)
  4. M.Q. Tran. Phil. Mag. B, 72 (1), 35 (1995)
  5. A. Merazga, S. Tobbeche, C. Main, A. Al-Shahrani, S. Reynolds. J. Phys. : Condens. Matter, 18, 3721 (2006)
  6. S. Tobbeche, A. Merazga. Revue des Renouvelables, 10 (1), 57 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.