Об особенностях процессов рекомбинации в слоистых пленках a-Si : H
Курова И.А.1, Ормонт Н.Н.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 4 августа 2011 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2012 г.
Спектральный состав поглощаемого света определяет тип генерации носителей тока - межзонную или смешанную генерацию, которая включает также генерацию электронов с уровней хвоста валентной зоны. Тип генерации влияет на величину и температурную зависимость темпа рекомбинации электронов в слоистых пленках a-Si : H. Это влияние обусловлено изменением заполнения электронами уровней оборванных связей кремния и уровней хвоста валентной зоны при смене типа генерации носителей тока. В результате при смешанной генерации носителей тока в исследованных пленках, имеющих малую врожденную концентрацию оборванных связей, рекомбинация электронов на них мала и рекомбинация на уровнях хвоста валентной зоны может преобладать вплоть до комнатных температур.
- В.П. Афанасьев, Ф.С. Гудовских, О.И. Коньков, М.М. Казанин, К.В. Коугия, А.А. Сазонов, И.Н. Трапезникова, Е.И. Теруков. ФТП, 34, 492 (2000)
- И.А. Курова, Н.Н. Ормонт, Е.И. Теруков, И.Н. Трапезникова, В.П. Афанасьев, А.С. Гудовских. ФТП, 35, 367 (2001)
- И.А. Курова, Н.Н. Ормонт. ФТП, 44, 1624 (2010)
- M.Q. Tran. Phil. Mag. B, 72 (1), 35 (1995)
- A. Merazga, S. Tobbeche, C. Main, A. Al-Shahrani, S. Reynolds. J. Phys. : Condens. Matter, 18, 3721 (2006)
- S. Tobbeche, A. Merazga. Revue des Renouvelables, 10 (1), 57 (2007)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
