"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние дефектообразования при встраивании delta-слоя Mn на спектр фоточувствительности от квантовых ям InGaAs/GaAs
Горшков А.П.1, Карпович И.А.1, Павлова Е.Д.1, Калентьева И.Л.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 6 июля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 января 2012 г.

Исследовано влияние дефектообразования при нанесении delta-слоя Mn и покровного слоя GaAs лазерным испарением на спектры фоточувствительности гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, расположенными в приповерхностной области.
  1. S.A. Wolf. Science, 294, 1488 (2001)
  2. Б.П. Захарченя, В.Л. Корнев. УФН, 175 (6), 628 (2005)
  3. Б.А. Аронзон, А.Б. Грановский, А.Б. Давыдов и др. ФТТ, 49 (1), 165 (2007)
  4. М.В. Дорохин, С.В. Зайцев, А.С. Бричкин и др. ФТТ, 52, 2147 (2010)
  5. Y.C. Chen, J. Singh, P.K. Bhattacharya. J. Appl. Phys., 74, 3800 (1993)
  6. И.А. Карпович, А.В. Аншон, Н.В. Байдусь, Л.М. Батукова, Б.Н. Звонков, С.М. Планкина. ФТП, 28, 104 (1994)
  7. Б.Н. Звонков, В.В. Подольский, В.П. Лесников и др. Высокочистые вещества, 4, 114 (1993)
  8. И.А. Карпович, А.П. Горшков, С.Б. Левичев и др. ФТП, 35, 564 (2001)
  9. S. Schmitt-Rink, D.S. Chemla, D.A.B. Miller et al. Adv. Phys., 38, 89 (1989)
  10. D.A.B. Miller, D.S. Chemla, T.S. Damen et al. Phys. Rev. B, 32, 1943 (1985)
  11. А.П. Горшков, И.А. Карпович, А.В. Кудрин. Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования, 5, 25 (2006)
  12. G. Lucovsky. Sol. St. Commun., 3, 299 (1965)
  13. Н.Г. Баграев. ЖЭТФ, 100, 1378 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.