Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Перемещение границы p-n-перехода в GaAs : Si при гиратронном облучении

Сукач Г.А.¹, Кидалов В.В.²

¹Национальный университет биоресурсов и природопользования Украины, Киев, Украина
²Бердянский государственный педагогический университет, Бердянск, Украина Berdyansk State Pedagogical University, Berdyansk, Ukraine

Berdyansk State Pedagogical University, Berdyansk, Ukraine

Поступила в редакцию: 17 мая 2011 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2011 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Показано, что с помощью гиратронного облучения возможно управление положением p-n-перехода в уже изготовленной светоизлучающей структуре. Сдвиг компенсированной области излучающей структуры на основе GaAs : Si, обусловлен движением примесей в поле термоупругих напряжений, появляющихся в процессе остывания образцов после гиратронного облучения.

Э.Л. Савин, Б.И. Болтакс. ФТП, 5 (7), 1331 (1971)
Б.И. Болтакс, С.М. Городецкий, Т.Д. Джафаров, Г.С. Куликов, Р.Ш. Малкович. ФТТ, 13 (11), 3420 (1971)
А.В. Двуречинский, Г.А. Качурин, Е.В. Нидаев, Л.С. Смирнов. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов (М., Наука, 1982)
Г.А. Сукач. ФТП, 27 (5), 697 (1993)
Г.А. Сукач. ФТП, 31 (6), 753 (1997)
И.Б. Пузин. ПТЭ, N 4, 155 (1983)
Ю.Р. Носов. Физические основы работы полупроводникового диода в импульсном режиме (М., Наука, 1968)
Г.А. Сукач, Н.И. Сыпко, А.Б.Богословская, А.Е. Гафт, Е.А. Глушков, В.Д. Лисовенко, А.А. Литвин, В.А. Шевченко. ОПТ, N 26, 64 (1993)
Г.А. Сукач, Г.С. Свечников, Н.И. Сыпко. ОПТ, N 27, 50 (1994)
Д.Д. Эшебли. Континуальная теория дислокаций (М., ИЛ, 1963)
В.П. Воронков, Г.А. Гурченок. ФТП, 24 (10), 1831 (1990)
Л.Н. Лариков, В.М. Фальченко, В.Ф. Мазанко, С.М. Гуревич, Г.К. Харченко, А.И. Игнатенко. ДАН СССР, 227, 1073 (1976)
А.В. Ржанов, Н.Н. Герасименко, С.В. Васильев, В.И. Ободников. Письма ЖТФ, 7 (20), 1221 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель