Вышедшие номера
Влияние температуры на электролюминесцентные свойства flip-chip светодиодов среднего ИК-диапазона (lambdamax~3.4 мкм) на основе гетероструктуры InAs/InAsSbP
Петухов А.А.1, Ильинская Н.Д.1, Кижаев С.С.1, Стоянов Н.Д.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 апреля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2011 г.

Приведены результаты исследования зависимости электрических и электролюминесцентных свойств флип-чип светодиода на основе гетероструктуры InAs/InAsSbP (lambda~3.37 мкм) от температуры (20-200oC). Показано, что протекание тока через светодиод определяется туннельно-рекомбинационным (прямое смещение) и диффузионным (обратное смещение) механизмами. Максимум спектра излучения определяется рекомбинацией зона-зона. При нагреве светодиода вследствие уменьшения ширины запрещенной зоны арсенида индия спектр излучения смещается в область больших длин волн. Уменьшение мощности излучения с увеличением температуры носит сверхэкспоненциальный характер и обусловлено главным образом ростом скорости оже-рекомбинации.