Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Кристаллизационная способность, оптические и электрические свойства халькогенидных стеклообразных полупроводников Ge10(Se-Te)90 и Ge30(Se-Te)70
Грудинкин С.А.1, Бахарев В.И.1, Егоров В.М.1, Мелех Б.Т.1, Голубев В.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 27 апреля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2011 г.
Синтезированы халькогенидные стеклообразные полупроводники тройной системы Ge-Se-Te по разрезам Ge10(Se-Te)90 и Ge30(Se-Te)70. Исследованы кристаллизационная способность, спектры пропускания в ближней инфракрасной области спектра и температурная зависимость электропроводности полученных сплавов. Показано, что халькогенидные стеклообразные полупроводники разреза Ge10(Se-Te)90 обладают меньшей температурой размягчения и кристаллизации по сравнению с полупроводниками разреза Ge30(Se-Te)70. Зарегистрировано изменение на несколько порядков электропроводности образцов при фазовом переходе из стеклообразного в кристаллическое состояние. Найдены составы халькогенидных стеклообразных полупроводников системы Ge-Se-Te, имеющие в области длин волн lambda~1.5 мкм коэффициент поглощения <1 см-1 и характеризующиеся термически индуцированным фазовым переходом стеклообразное-кристаллическое состояние.
- P. Sharma, S.C. Katyal. Physica B, 403, 3667 (2008)
- S.B. Bhanu Prashanth, S. Asokan. Sol. St. Commun., 147 (11), 452 (2008)
- J. Nishii, T. Yamashita, T. Yamagishi. J. Mater. Sci., 24 (12), 4293 (1989)
- B.J. Eggleton, B. Luther-Davies, K. Richardson. Nat. Photonics, 5 (3), 141 (2011)
- J.S. Sanghera, I.D. Aggarwal. J. Non-Cryst. Sol., 256 (1), 6 (1999)
- D. Sarrach, J.P. De Neufville. J. Non-Cryst. Sol., 22 (2), 245 (1976)
- А.В. Пазин, А.А. Образцов, З.У. Борисова. Неорг. матер., 8 (2), 242 (1972)
- З.Г. Маковская, Э.Г. Жуков. Неорг. матер., 16 (2), 251 (1980)
- L.A. Kulakova, V.Kh. Kudoyarova, B.T. Melekh, V.I. Bakharev. J. Non-Cryst. Sol., 352, 1555 (2006)
- З.У. Борисова. Халькогенидные полупроводниковые стекла (Л., Изд-во Ленингр. ун-та, 1983) с. 7
- P. Sharma, S.C. Katyal. Thin Sol. Films, 517 (13), 3813 (2009)
- Дж. Коннелл. Аморфные полупроводники, под ред. М. Бродски (М., Мир, 1982) гл. 4, с. 96
- S.A. Fayek. Mater. Chem. Phys., 62 (2), 95 (2000)
- J.C. Phillips, M.F. Thorpe. Sol. St. Commun., 53 (8), 699 (1985)
- S.B. Bhanu Prashanth, S. Asokan. J. Non-Cryst. Sol., 355 (22), 1227 (2009)
- J.Z. Liu, P.C. Taylor. Sol. St. Commun., 70 (1), 81 (1989)
- К.Д. Цэндин. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках (СПб., Наука, 1996) гл. 2, с. 35
- G.A.M. Amin, A.F. Maged. Mater. Chem. Phys., 97 (2), 420 (2006)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
