Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Лазеры с сильнонапряженной квантовой ямой GaInAs с компенсирующими слоями GaAsP, излучающие на длине волны 1220 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложке GaAs
Винокуров Д.А.1, Капитонов В.А.1, Николаев Д.Н.1, Пихтин Н.А.1, Станкевич А.Л.1, Шамахов В.В.1, Бондарев А.Д.1, Вавилова Л.С.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 14 марта 2011 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2011 г.
Проведены фотолюминесцетные исследования гетероструктур с активной областью, состоящей из квантовой ямы Ga0.59In0.41As, помещенной между компенсирующими слоями GaAs1-yPy. Показано, что с увеличением содержания фосфора P в компенсирующих слоях можно получить нерелаксированную гетероструктуру с квантовой ямой Ga0.59In0.41As большей толщины. На основании фотолюминесцентных исследований выбраны параметры составной активной области для обеспечения максимальной длины волны излучения. Методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs выращены лазерные гетероструктуры с активной областью, состоящей из сильнонапряженной квантовой ямы Ga0.59In0.41As, помещенной между компенсирующими слоями GaAs0.85P0.15. Изготовлены мезаполосковые лазерные диоды с апертурой 100 мкм, излучающие на длине волны 1220 нм. Максимальная мощность излучения в непрерывном режиме генерации для лазерных диодов составила 2 Вт на зеркало.
- А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Г.В. Скрынников, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, Н.В. Фетисова. ФТП, 34 (12), 1457 (2000)
- С.О. Слипченко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Н.В. Фетисова, А.Ю. Лешко, Ю.А. Рябоштан, Е.Г. Голикова, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 29 (3), 65 (2003)
- А.В. Мурашова, Н.А. Пихтин, Н.В. Фетисова, А.В. Лютецкий, Л.С. Вавилова, В.В. Васильева, А.А. Мармалюк, Ю.А. Рябоштан, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 34 (13), 25 (2008)
- Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, Д.Н. Николаев, З.Р. Соколова, А.Л. Станкевич, В.В. Шамахов, И.С. Тарасов. ФТП, 43 (10), 1374 (2009)
- Д.А. Винокуров, В.В. Васильева, В.А. Капитонов, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, А.Л. Станкевич, В.В. Шамахов, Н.В. Фетисова, И.С. Тарасов. ФТП, 44 (2), 246 (2010)
- Д.А. Винокуров, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, А.Л. Станкевич, В.В. Шамахов, М.Г. Растегаева, А.В. Рожков, И.С. Тарасов. ФТП, 44 (12), 1640 (2010)
- Д.А. Винокуров, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, А.Л. Станкевич, В.В. Шамахов, А.Д. Бондарев, Н.А. Рудова, И.С. Тарасов. ФТП, 45 (9), 1274 (2011)
- В.В. Шамахов, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, В.А. Капитонов, С.А. Зорина, Д.Н. Николаев, А.В. Мурашова, А.Д. Бондарев, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 31 (23), 1 (2005)
- Е.Г. Голикова, В.А. Горбылев, Ю.В. Ильин, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, В.А. Симаков, И.С. Тарасов, Е.А. Третьякова, Н.В. Фетисова. Письма ЖТФ, 26 (6), 57 (2000)
- А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, Е.Г. Голикова, Ю.А. Рябоштан, И.С. Тарасов. ФТП, 36 (11), 1393 (2002)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
