Вышедшие номера
Лазеры с сильнонапряженной квантовой ямой GaInAs с компенсирующими слоями GaAsP, излучающие на длине волны 1220 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложке GaAs
Винокуров Д.А.1, Капитонов В.А.1, Николаев Д.Н.1, Пихтин Н.А.1, Станкевич А.Л.1, Шамахов В.В.1, Бондарев А.Д.1, Вавилова Л.С.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 марта 2011 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2011 г.

Проведены фотолюминесцетные исследования гетероструктур с активной областью, состоящей из квантовой ямы Ga0.59In0.41As, помещенной между компенсирующими слоями GaAs1-yPy. Показано, что с увеличением содержания фосфора P в компенсирующих слоях можно получить нерелаксированную гетероструктуру с квантовой ямой Ga0.59In0.41As большей толщины. На основании фотолюминесцентных исследований выбраны параметры составной активной области для обеспечения максимальной длины волны излучения. Методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs выращены лазерные гетероструктуры с активной областью, состоящей из сильнонапряженной квантовой ямы Ga0.59In0.41As, помещенной между компенсирующими слоями GaAs0.85P0.15. Изготовлены мезаполосковые лазерные диоды с апертурой 100 мкм, излучающие на длине волны 1220 нм. Максимальная мощность излучения в непрерывном режиме генерации для лазерных диодов составила 2 Вт на зеркало.