"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние термообработки на параметры контактов металл--полупроводник, сформированных на халькогенизированной поверхности n-GaAs
Ерофеев Е.В.1, Кагадей В.А.2
1Научно-производственная фирма Микран, Томск, Россия
2ООО Субмикронные технологии, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 26 января 2011 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2011 г.

Выполнены сравнительные исследования влияния термообработки на параметры омических контактов на основе многослойных систем Ge/Au/Ni, Ge/Au/Ti/Au, Ge/Au/Ni/Ti/Au и барьерных контактов на основе Ti/Au, сформированных на поверхности образцов n-GaAs (100), подвергнутой или не подвергнутой обработке в водном растворе (NH4)2S. Найдены режимы термообработки омических контактов, в которых для халькогенизированных образцов приведенное контактное сопротивление уменьшается в 2.5-15 раз по сравнению с нехалькогенизированными образцами. Определены оптимальные режимы термообработки халькогенизированных образцов GaAs с барьером Шоттки, которые позволяют уменьшить коэффициент идеальности, а также увеличить высоту барьера Шоттки и пробивное напряжение по отношению к нехалькогенизированным образцам.
  1. Ф. Бехштедт, Р. Эндерлайн. Поверхности и границы раздела полупроводников (М., Мир, 1990)
  2. С. Зи. Физика полупроводников (М., Мир, 1984)
  3. М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991)
  4. J. Matukas, S. Meskinis, S. Smetona. Proc. Int. Conf. Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations, ed. by C. Surya (Hong Kong, The Hong Kong Polytechnic Iniversity, 1999) p. 263
  5. В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев. ФТП, 32, 11 (1998)
  6. С. Ковалева, В.М. Калюжный, В.А. Цендровский, Е.М. Сажина. Сб. тр. 6 Всес. совещ. по исследованию арсенида галлия (Томск, 1987) т. 2
  7. Г.М. Мокроусов. Перестройки твердыхв тел на границах раздела фаз (Томск, Из-во Том. ун-та, 1987)
  8. З.Ю. Готра. Технология микроэлектронных устройств: Справочник (М., Радио и связь, 1991)
  9. В.В. Немошкаленко, В.Г. Алешин, Е.М. Семашко, А.И. Сенкевич. Поверхность, N 2, 42 (1985)
  10. В.И. Белый, Е.П. Смирнова. Материалы электрон. техники (Новосибирск), 2, 3 (1983)
  11. Hsien-Chin Chiu, Yuan-Chang Huang, Liann-Be Chang, Feng-Tso Chien. Semicond. Sci. Technol., 23, 3 (2008)
  12. Yu-Shyan Lin, Shih-Kai Liang, You-Song Lin. J. Electrochem. Soc., 156, 6 (2009)
  13. Hsien-Chin Chiu. Elecrton. Dev., IEEE Transactions, 55, 3 (2008)
  14. Po-Hsien Lai, Ssu-I Fu, Yan-Ying Tsai, Ching-Wen Hung, Chih-Hung Yen, Hung-Ming Chuang. J. Electrochem. Soc., 153, 35 (2006)
  15. Hsien-Chin Chiu, Yuan-Chang Huang, Liann-Be Chang, Feng-Tso Chien. Semicond. Sci. Technol., 23, 3 (2008)
  16. Hsien-Chin Chiu, Yuan-Chang Ueang, Chung-Wen Chen. IEEE Trans. Electron. Dev., 55, 3 (2008)
  17. Hsien-Chin Chiu, Liann-Be Chang, Yuan-Chang Huang, Chung-Wen Chen, Yu-Jen Li. Electrochem. Solid-State Lett., 9, 10 (2006)
  18. P.H. Lai, C.W. Chen, C.I. Kao, S.I. Fu, Y.Y. Tsai, C.W. Hung, C.H. Yen, H.M. Chuang, S.Y. Cheng. IEEE Trans. Electron. Dev., 53, 1 (2006)
  19. C.J. Candrof, R.N. Nottenburg, J.-C. Bischo, R. Bhat. Appl. Phys. Lett., 51, 33 (1987)
  20. R.N. Nottenburg, C.J. Sandro, D.A. Humphrey, T.H. Hollenbeck, R. Bhat. Appl. Phys. Lett., 51, 33 (1987)
  21. V. Fischer, T.J. Kim, P.H. Holloway. J. Vac. Sci. Technol., 12, 3 (1994)
  22. Philbert Francis Marsh, Colin S. Whelan. Pat. USA 6924218, 2 Aug. 2005
  23. Hsien-Chin Chiu, Liann-Be Chang, Yuan-Chang Huang, Chung-Wen Chen, Wei-Hsien Lee. Pat. USA 7713802, 11 May 2010
  24. Hung-Cheng Lin, Sidat Senanayake, Keh-Yung Cheng. IEEE Trans., ED- 50, 4 (2003)
  25. Е.Ф. Венгер. ФТП, 39 (2), 244 (1995)
  26. G. Myburg, F.D. Auret, W.E. Meyer. Thin Sol. Films, 325, 86 (1998)
  27. В.Н. Бессолов, А.Ф. Иванков, М.В. Лебедев. ФТП, 38, 2 (1996)
  28. M.S. Carpenter, M.R. Melloch, T.E. Dungan. Appl. Phys. Lett., 53, 1 (1988)
  29. Б.И. Бедный, Е.А. Ускова. Поверхность, N 6, 319 (1994)
  30. X. Wang, W.H. Weinberg. J. Appl. Phys., 75, 5 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.