Влияние термообработки на параметры контактов металл--полупроводник, сформированных на халькогенизированной поверхности n-GaAs
Ерофеев Е.В.1, Кагадей В.А.2
1Научно-производственная фирма Микран, Томск, Россия
2ООО Субмикронные технологии, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 26 января 2011 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2011 г.
Выполнены сравнительные исследования влияния термообработки на параметры омических контактов на основе многослойных систем Ge/Au/Ni, Ge/Au/Ti/Au, Ge/Au/Ni/Ti/Au и барьерных контактов на основе Ti/Au, сформированных на поверхности образцов n-GaAs (100), подвергнутой или не подвергнутой обработке в водном растворе (NH4)2S. Найдены режимы термообработки омических контактов, в которых для халькогенизированных образцов приведенное контактное сопротивление уменьшается в 2.5-15 раз по сравнению с нехалькогенизированными образцами. Определены оптимальные режимы термообработки халькогенизированных образцов GaAs с барьером Шоттки, которые позволяют уменьшить коэффициент идеальности, а также увеличить высоту барьера Шоттки и пробивное напряжение по отношению к нехалькогенизированным образцам.
- Ф. Бехштедт, Р. Эндерлайн. Поверхности и границы раздела полупроводников (М., Мир, 1990)
- С. Зи. Физика полупроводников (М., Мир, 1984)
- М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991)
- J. Matukas, S. Meskinis, S. Smetona. Proc. Int. Conf. Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations, ed. by C. Surya (Hong Kong, The Hong Kong Polytechnic Iniversity, 1999) p. 263
- В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев. ФТП, 32, 11 (1998)
- С. Ковалева, В.М. Калюжный, В.А. Цендровский, Е.М. Сажина. Сб. тр. 6 Всес. совещ. по исследованию арсенида галлия (Томск, 1987) т. 2
- Г.М. Мокроусов. Перестройки твердыхв тел на границах раздела фаз (Томск, Из-во Том. ун-та, 1987)
- З.Ю. Готра. Технология микроэлектронных устройств: Справочник (М., Радио и связь, 1991)
- В.В. Немошкаленко, В.Г. Алешин, Е.М. Семашко, А.И. Сенкевич. Поверхность, N 2, 42 (1985)
- В.И. Белый, Е.П. Смирнова. Материалы электрон. техники (Новосибирск), 2, 3 (1983)
- Hsien-Chin Chiu, Yuan-Chang Huang, Liann-Be Chang, Feng-Tso Chien. Semicond. Sci. Technol., 23, 3 (2008)
- Yu-Shyan Lin, Shih-Kai Liang, You-Song Lin. J. Electrochem. Soc., 156, 6 (2009)
- Hsien-Chin Chiu. Elecrton. Dev., IEEE Transactions, 55, 3 (2008)
- Po-Hsien Lai, Ssu-I Fu, Yan-Ying Tsai, Ching-Wen Hung, Chih-Hung Yen, Hung-Ming Chuang. J. Electrochem. Soc., 153, 35 (2006)
- Hsien-Chin Chiu, Yuan-Chang Huang, Liann-Be Chang, Feng-Tso Chien. Semicond. Sci. Technol., 23, 3 (2008)
- Hsien-Chin Chiu, Yuan-Chang Ueang, Chung-Wen Chen. IEEE Trans. Electron. Dev., 55, 3 (2008)
- Hsien-Chin Chiu, Liann-Be Chang, Yuan-Chang Huang, Chung-Wen Chen, Yu-Jen Li. Electrochem. Solid-State Lett., 9, 10 (2006)
- P.H. Lai, C.W. Chen, C.I. Kao, S.I. Fu, Y.Y. Tsai, C.W. Hung, C.H. Yen, H.M. Chuang, S.Y. Cheng. IEEE Trans. Electron. Dev., 53, 1 (2006)
- C.J. Candrof, R.N. Nottenburg, J.-C. Bischo, R. Bhat. Appl. Phys. Lett., 51, 33 (1987)
- R.N. Nottenburg, C.J. Sandro, D.A. Humphrey, T.H. Hollenbeck, R. Bhat. Appl. Phys. Lett., 51, 33 (1987)
- V. Fischer, T.J. Kim, P.H. Holloway. J. Vac. Sci. Technol., 12, 3 (1994)
- Philbert Francis Marsh, Colin S. Whelan. Pat. USA 6924218, 2 Aug. 2005
- Hsien-Chin Chiu, Liann-Be Chang, Yuan-Chang Huang, Chung-Wen Chen, Wei-Hsien Lee. Pat. USA 7713802, 11 May 2010
- Hung-Cheng Lin, Sidat Senanayake, Keh-Yung Cheng. IEEE Trans., ED- 50, 4 (2003)
- Е.Ф. Венгер. ФТП, 39 (2), 244 (1995)
- G. Myburg, F.D. Auret, W.E. Meyer. Thin Sol. Films, 325, 86 (1998)
- В.Н. Бессолов, А.Ф. Иванков, М.В. Лебедев. ФТП, 38, 2 (1996)
- M.S. Carpenter, M.R. Melloch, T.E. Dungan. Appl. Phys. Lett., 53, 1 (1988)
- Б.И. Бедный, Е.А. Ускова. Поверхность, N 6, 319 (1994)
- X. Wang, W.H. Weinberg. J. Appl. Phys., 75, 5 (2006)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук