Вышедшие номера
Влияние термообработки на параметры контактов металл--полупроводник, сформированных на халькогенизированной поверхности n-GaAs
Ерофеев Е.В.1, Кагадей В.А.2
1Научно-производственная фирма Микран, Томск, Россия
2ООО Субмикронные технологии, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 26 января 2011 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2011 г.

Выполнены сравнительные исследования влияния термообработки на параметры омических контактов на основе многослойных систем Ge/Au/Ni, Ge/Au/Ti/Au, Ge/Au/Ni/Ti/Au и барьерных контактов на основе Ti/Au, сформированных на поверхности образцов n-GaAs (100), подвергнутой или не подвергнутой обработке в водном растворе (NH4)2S. Найдены режимы термообработки омических контактов, в которых для халькогенизированных образцов приведенное контактное сопротивление уменьшается в 2.5-15 раз по сравнению с нехалькогенизированными образцами. Определены оптимальные режимы термообработки халькогенизированных образцов GaAs с барьером Шоттки, которые позволяют уменьшить коэффициент идеальности, а также увеличить высоту барьера Шоттки и пробивное напряжение по отношению к нехалькогенизированным образцам.