Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование структуры дефектов в пленках Cd_xHg_1-xTe, выращенных жидкофазной эпитаксией, с помощью низкоэнергетической ионной обработки

Ижнин И.И.¹, Ижнин А.И.¹, Фицыч Е.И.¹, Смирнова Н.А.², Денисов И.А.², Поцяск М.³, Мынбаев К.Д.⁴

¹НИИ материалов НПП "Карат", Львов, Украина
²Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет", Москва, Россия
³Институт физики Университета Жешув, 35-310 Жешув, Польша
⁴Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 24 февраля 2011 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2011 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

С использованием низкоэнергетической ионной обработки и измерения электрических параметров образцов исследована структура дефектов пленок Cd_xHg_1-xTe, выращенных жидкофазной эпитаксией. В пленках обнаружены нейтральные дефекты, предположительно связанные с нановключениями теллура. Ионная обработка электрически активирует эти дефекты, создавая в пленках высокую концентрацию донорных центров (~10¹⁷ см^-3), распадающихся в течение ~10³ мин старения при комнатной температуре. После этого свойства материала определяются концентрацией остаточных доноров, которая для исследованных пленок оказалась очень низкой (вплоть до ~10¹⁴ см^-3).

M.A. Kinch. J. Electron. Mater., 39, 1043 (2010)
A. Rogalski, J. Antoszewski, L. Faraone. J. Appl. Phys., 105, 091 101 (2009)
M. Pociask, I.I. Izhnin, E.S. Ilyina, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, Yu.G. Sidorov, V.S. Varavin, K.D. Mynbaev. Acta Phys. Polon A 114, 1191 (2008)
M. Pociask, I.I. Izhnin, A.I. Izhinin, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, Yu.G. Sidorov, V.S. Varavin, K.D. Mynbaev. Semicond. Sci. Technol., 24, 025 031 (2009)
D. Shaw, P. Capper. J. Mater. Sci.: Mater. in Electron., 11, 169 (2000)
В.В. Богобоящий, И.И. Ижнин. Изв. вузов. Физика, 43 (8), 16 (2000)
М. Поцяск. И.И. Ижнин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, Ю.Г. Сидоров, В.С. Варавин, К.Д. Мынбаев, В.И. Иванов-Омский. ФТП, 42, 1444 (2008)
P. Capper. In: Mercury Cadmium Telluride: Growth, Properties and Applications, ed. by P. Capper, J. Garland (Chichester, John Wiley and Sons, 2011) p. 95
К.Д. Мынбаев, В.И. Иванов-Омский. ФТП, 37, 1153 (2003)
В.В. Богобоящий. ФТП, 36, 1418 (2002)
J.W. Tomm, K.H. Herrmann, W. Hoerstel, M. Lindstaedt, H. Kissel. F Fuchs. J. Cryst. Growth, 138, 175 (1994)
V.V. Bogoboyashchyy. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 4, 273 (2001)
А.И. Белогорохов, И.А. Денисов, Н.А. Смирнова, Л.И. Белогорохова. ФТП, 38, 84 (2004)
A.I. Belogorokhov, N.A. Smirnova, I.A. Denisov, L.I. Belogorokhova, B.N. Levovnovich. Phys. Status Solidi C, 7, 1624 (2010)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель