"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование структуры дефектов в пленках CdxHg1-xTe, выращенных жидкофазной эпитаксией, с помощью низкоэнергетической ионной обработки
Ижнин И.И.1, Ижнин А.И.1, Фицыч Е.И.1, Смирнова Н.А.2, Денисов И.А.2, Поцяск М.3, Мынбаев К.Д.4
1НИИ материалов НПП "Карат", Львов, Украина
2Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет", Москва, Россия
3Институт физики Университета Жешув, 35-310 Жешув, Польша
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 февраля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2011 г.

С использованием низкоэнергетической ионной обработки и измерения электрических параметров образцов исследована структура дефектов пленок CdxHg1-xTe, выращенных жидкофазной эпитаксией. В пленках обнаружены нейтральные дефекты, предположительно связанные с нановключениями теллура. Ионная обработка электрически активирует эти дефекты, создавая в пленках высокую концентрацию донорных центров (~1017 см-3), распадающихся в течение ~103 мин старения при комнатной температуре. После этого свойства материала определяются концентрацией остаточных доноров, которая для исследованных пленок оказалась очень низкой (вплоть до ~1014 см-3).
  1. M.A. Kinch. J. Electron. Mater., 39, 1043 (2010)
  2. A. Rogalski, J. Antoszewski, L. Faraone. J. Appl. Phys., 105, 091 101 (2009)
  3. M. Pociask, I.I. Izhnin, E.S. Ilyina, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, Yu.G. Sidorov, V.S. Varavin, K.D. Mynbaev. Acta Phys. Polon A 114, 1191 (2008)
  4. M. Pociask, I.I. Izhnin, A.I. Izhinin, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, Yu.G. Sidorov, V.S. Varavin, K.D. Mynbaev. Semicond. Sci. Technol., 24, 025 031 (2009)
  5. D. Shaw, P. Capper. J. Mater. Sci.: Mater. in Electron., 11, 169 (2000)
  6. В.В. Богобоящий, И.И. Ижнин. Изв. вузов. Физика, 43 (8), 16 (2000)
  7. М. Поцяск. И.И. Ижнин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, Ю.Г. Сидоров, В.С. Варавин, К.Д. Мынбаев, В.И. Иванов-Омский. ФТП, 42, 1444 (2008)
  8. P. Capper. In: Mercury Cadmium Telluride: Growth, Properties and Applications, ed. by P. Capper, J. Garland (Chichester, John Wiley and Sons, 2011) p. 95
  9. К.Д. Мынбаев, В.И. Иванов-Омский. ФТП, 37, 1153 (2003)
  10. В.В. Богобоящий. ФТП, 36, 1418 (2002)
  11. J.W. Tomm, K.H. Herrmann, W. Hoerstel, M. Lindstaedt, H. Kissel. F Fuchs. J. Cryst. Growth, 138, 175 (1994)
  12. V.V. Bogoboyashchyy. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 4, 273 (2001)
  13. А.И. Белогорохов, И.А. Денисов, Н.А. Смирнова, Л.И. Белогорохова. ФТП, 38, 84 (2004)
  14. A.I. Belogorokhov, N.A. Smirnova, I.A. Denisov, L.I. Belogorokhova, B.N. Levovnovich. Phys. Status Solidi C, 7, 1624 (2010)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.