"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование энергетических уровней примесных центров Er в Si методом баллистической электронной эмиссионной спектроскопии
Филатов Д.О.1, Зимовец И.А.2, Исаков М.А.1, Кузнецов В.П.1, Корнаухов А.В.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 7 февраля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2011 г.

Метод баллистической электронной эмиссионной спекроскопии впервые применен для исследования энергетического спектра Er-содержащих примесных комплексов в Si. В баллистических электронных спектрах меза-диодов на основе p+-n+-Si-структур с тонким (~30 нм) поверхностным слоем p+-Si : Er в области энергий баллистических электронов eVt, меньших энергии края зоны проводимости Ec в слое p+-Si : Er, наблюдались особенности, связанные с туннельной инжекцией баллистических электронов из зонда сканирующего туннельного микроскопа на глубокие донорные уровни примесных комплексов Er в слое p+-Si : Er с последующим термическим возбуждением в зону проводимости и диффузией к p+-n+-переходу и(или) прямым туннелированием в последний. Для обоснования данного предположения было проведено моделирование транспорта баллистических электронов в системе Pt-зонд-слой естественного окисла SiO2-p+-Si : Er-n+-Si-подложка. Методом аппроксимации экспериментальных баллистических электронных спектров модельными спектрами определена энергия основного состояния Er-содержащего комплекса в Si: Ed~ Ec-0.27 эВ. Указанное значение согласуется с опубликованными ранее в литературе данными, полученными методами измерения температурной зависимости концентрации свободных носителей в слоях Si :Er.
  1. G.T. Reed. Silicon Photonics: The State of the Art (Wiley-Interscience, 2008)
  2. L. Pavesi, D.J. Lockwood. Silicon Photonics (Springer, 2004)
  3. A.J. Kenyon. Semicond. Sci. Technol., 20, R65 (2005)
  4. L. Khriachtchev. Silicon Nanophotonics: Basic Principles, Present Status and Perspectives (Pan Stanford, 2008)
  5. В.П. Кузнецов, Д.Ю. Ремизов, В.Б. Шмагин, К.Е. Кудрявцев, В.Н. Шабанов, С.В. Оболенский, О.В. Белова, М.В. Кузнецов, А.В. Корнаухов, Б.А. Андреев, З.Ф. Красильник. ФТП, 41, 1329 (2007)
  6. М.В. Степихова, Д.М. Жигунов, В.Г. Шенгуров, В.Ю. Тимошенко, Л.В. Красильникова, В.Ю. Чалков, С.П. Светлов, О.А. Шалыгина, П.К. Кашкаров, З.Ф. Красильник. Письма ЖЭТФ, 81, 614 (2005)
  7. А.Н. Яблонский, Б.А. Андреев, Л.В. Красильникова, Д.И. Крыжков, В.П. Кузнецов, З.Ф. Красильник. ФТП, 44, 1519 (2010)
  8. О.В. Белова, В.Н. Шабанов, А.П. Касаткин, О.А. Кузнецов, А.Н. Яблонский, М.В. Кузнецов, В.П. Кузнецов, А.В. Корнаухов, Б.А. Андреев, З.Ф. Красильник. ФТП, 42, 136 (2008)
  9. V. Narayanamurti, M. Kozhevnikov. Phys. Rep., 349, 447 (2001)
  10. В.П. Кузнецов, З.Ф. Красильник. ФТП, 44, 413 (2010)
  11. M. Prietsch. Phys. Rep., 253, 163 (1995)
  12. М.А. Лапшина, М.А. Исаков, Д.О. Филатов, С.В. Тихов, Ю.А. Матвеев, А.В. Зенкевич. Поверхность: рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 5, 57 (2010)
  13. В.Д. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (Л., Физматгиз, 1976)
  14. Physical Properties of Semiconductors. New Semiconductor Materials Database. Characteristics and Properties. Electronic archive. http://www.matprop.ru/Semicond/Si.html
  15. D.L. Smith, M. Kozhevnikov, E.Y. Lee, V. Narayanamurti. Phys. Rev. B, 61, 13 914 (2000)
  16. L. Esaki, P.J. Stiles. Phys. Rev. Lett., 16, 1108 (1966)
  17. J.A. Kubby, J.J. Boland. Surf. Sci. R, 26, 61 (1996)
  18. M.S. Tyagi, R. van Overstraeten. Solid-State Eelectron., 26, 577 (1983)
  19. В.П. Кузнецов, Д.Ю. Ремизов, В.Н. Шабанов, Р.А. Рубцова, М.В. Степихова, Д.И. Крыжков, А.Н. Шушунов, О.В. Белова, З.Ф. Красильник, Г.А. Максимов. ФТП, 40, 868 (2006)
  20. О.В. Белова, В.Н. Шабанов, А.П. Касаткин, О.А. Кузнецов, А.Н. Яблонский, М.В. Кузнецов, В.П. Кузнецов, А.В. Корнаухов, Б.А. Андреев, З.Ф. Красильник. ФТП, 42, 136 (2008)
  21. Таблицы физических величин. Справочник, под ред. И.К. Кикоина (М., Атомиздат, 1976)
  22. L. Quattropani, I. Maggio-Aprile, P. Niedermann, O. Fischer. Phys. Rev. B, 57, 6623 (1998)
  23. R. Ludeke, E. Cartier, A. Schenk. Appl. Phys. Lett., 75, 1407 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.