"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Пьезоэффект в структурах с нитевидными нанокристаллами GaAs
Сошников И.П.1,2, Афанасьев Дм.Е.3, Петров В.А.1, Цырлин Г.Э.1,2,4, Буравлев А.Д.1,2, Самсоненко Ю.Б.1,2,4, Хребтов А.2, Танклевская Е.М.2, Селезнев И.А.5
1Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный университет, физический факультет, Санкт-Петербург, Россия
4Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5ОАО Океанприбор, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 февраля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2011 г.

Обнаружен аномальный пьезоэлектрический эффект в нитевидных нанокристаллах GaAs (коэффициент пьезоэлектрического преобразования d33~26 пКл/Н). Полученный результат может объясняться преимущественным содержанием в нитевидных нанокристаллах GaAs фазы с кристаллической структурой типа вюрцита и увеличением усилия при давлении на контактный слой.
  1. S.C. Masmanidis, R.B. Karabalin, I. De Vlaminck, G. Borghs, M.R. Freeman, M.L. Roukes. Science, 317, 780 (2007)
  2. J.G. Gualtieri, J.A. Kosinski, A. Ballato. IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Control, 41, 53 (1994)
  3. H. Tong, B.L. Wang, Z.C. Ou-Yang. Thin Sol. Films, 516, 2708 (2008)
  4. S.N. Cha, J.-S. Seo, S.M. Kim, H.J. Kim, Y.J. Park, S.-W. Kim, J.M. Kim. Adv. Mater., 22, 4726 (2010)
  5. Z.L. Wang. Appl. Phys. A, 88, 7 (2007)
  6. Z.L. Wang. J. Phys. Chem. Lett., 1, 1388 (2010)
  7. M.B. Kanoun, S. Goumri-Said, A.E. Merad, G. Merad, J. Cibert, H. Aourag. Semicond. Sci. Technol., 19, 1220 (2004)
  8. X. Wang, K. Kim, Y. Wang, M. Stadermann, A. Noy, A.V. Hamza, J. Yang, D.J. Sirbuly. Nano Lett., 10, 4901 (2010)
  9. Y.M. Niquet. Phys. Rev. B, 74, 155 304 (2006)
  10. Landolt-Bornstein. Group III Condensed Matter Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology, v. 41A1b: Group IV Elements. IV--VI and III--V Compounds. Part b --- Electronic, Transport, Optical and Other Properties, ed. by O. Madelung, U. Rossler, M. Schulz [chapter: DOI 10.1007/10832182\_206]
  11. G. Arlt, P. Quadflieg. Phys. Status Solidi B, 25, 323 (1968)
  12. K. Huebner. Phys. Status Solidi B, 57, 627 (1973)
  13. K. Hiruma, M. Yazawa, K. Haraguchi, K. Ogawa, T. Katsuyama, M. Koguchi, H. Kakibayashi. J. Appl. Phys., 74 (5), 3162 (1993)
  14. B.J. Ohlsson, M.T. Bjork, M.H. Magnusson, K. Deppert, L. Samuelson, L.R. Wallenberg. Appl. Phys. Lett., 79 (20), 3335 (2001)
  15. И.П. Сошников, Г.Э. Цырлин, А.А. Тонких, Ю.Б. Самсоненко, В.Г. Дубровский, В.М. Устинов, О.М. Горбенко, D. Litvinov, D. Gerthsen. ФТТ, 47 (12), 2121 (2005). [Phys. Solid State, 47 (12), 2213 (2005)]
  16. Landolt-Bornstein. Group III Condensed Matter Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology, v. 41B: II--VI and I--VII Compounds; Semimagnetic Compounds, ed. by O. Madelung, U. Rossler, M. Schulz [chapter: DOI 10.1007/10681719\_1; book: DOI 10.1007/b71137]
  17. V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, I.P. Soshnikov, A.A. Tonkikh, Yu.B. Samsonenko, V.M. Ustinov, N.V. Sibirev. Phys. Rev. B, 71, 205 325 (2005)
  18. Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, И.П. Сошников, Ю.Б. Самсоненко, А.А. Тонких, В.М. Устинов. ФТП, 39 (5), 587 (2005) [Semiconductors, 39 (5), 557 (2005)]
  19. P.K.C. Pillai, P. Khurana, A. Triphati. J. Mater. Sci. Lett., 5 (6), 629 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.