"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Глубокие электронные состояния в нелегированном поликристаллическом CdTe, отожженном в жидком кадмии
Боброва Е.А.1, Клевков Ю.В.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 22 декабря 2010 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2011 г.

Методом нестационарной емкостной спектроскопии (DLTS) определен набор глубоких электронных состояний после отжига в жидком кадмии нелегированного поликристалла n-CdTe, выращенного путем химического синтеза из паровой фазы в сильно неравновесных условиях. После отжига концентрация электронов возросла от ~108 до 1015 см-3. Доминирующими в спектре DLTS были электронные ловушки с глубокими уровнями E1=0.84±0.03 эВ и E2=0.71±0.02 эВ с суммарной концентрацией ~1014 см-3. Обсуждается роль границ зерен и собственных точечных дефектов в формировании глубоких центров и их влияние на величину проводимости в результате отжига. Рассматривается связь уровня E1 с комплексами собственных точечных дефектов, а уровня E2 с точечным дефектом Cdi.
  1. H. Elhadidy, J. Franc, P. Moravec, P. Hoschl, M. Fiederle. Semicond. Sci. Technol., 22, 537 (2007)
  2. M.A. Berding. Appl. Phys. Lett., 74 (4), 552 (1999); Phys. Rev. B, 60, 8943 (1999)
  3. N. Krsmanovic, K.G. Lynn, M.H. Weber, R. Tjossem, Th. Gessamen, Cs. Szeles, E.E. Eissler, J.P. Flint, H.L. Glass. Phys. Rerv. B, 62 (24), R16279 (2000)
  4. P.J. Sellin. Nucl. Instrum. Meth. A, 563, 1 (2006)
  5. N. Baier, A. Brambilla, G. Feuillet, S. Renet. Nucl. Instrum. Meth. A, 563, 155 (2006)
  6. R. Sorgenfrei, D. Greiffenberg, K.H. Bachem, L. Kirste, A. Zwerger, M. Fiederle. J. Cryst. Growth, 310, 2062 (2008)
  7. Q. Jiang, D.P. Haliday, B.K. Tanner, A.W. Brinkman, B.J. Cantwell, J.T. Mullins, A. Basu. J. Phys. D: Appl. Phys., 42, 012 004 (2009)
  8. R. Triboulet, A. Aoudia, A. Lusson. J. Electron. Mater., 24 (9), 1061 (1995)
  9. P. Rudolph. Cryst. Res. Technol., 38 (7--8), 542 (2003)
  10. J.M. Francou, K. Saminadayar, J.L. Pautrat. Phys. Rev. B, 41 (17), 12 035 (1990)
  11. G.M. Khattak, C.G. Scott. J. Phys.: Condens. Matter, 3, 8619 (1991)
  12. S.H. Song, J.F. Wang, G.M. Lavel, L. He, M. Isshiki. J. Cryst. Growth, 252, 102 (2003)
  13. G. Zoppi, K. Durose, S.J.C. Irvine, V. Barrioz. Semicond. Sci. Technol., 21, 763 (2006)
  14. V. Consonni, G. Feuillet, J.P. Barnes, F. Donatini. Phys. Rev. B, 80, 165 207 (2009)
  15. В.В. Ушаков, Ю.В. Клевков. ФТП, 41 (2), 140 (2007)
  16. V. Bagaev, V. Krivobok, Y. Klevkov, A. Shepel, E. Onishchenko, V. Martovitsky. Phys. Status Solidi C, 7, 1470 (2010)
  17. Е.А. Боброва, Ю.В. Клевков, С.А. Медведев, А.Ф. Плотников. ФТП, 36, 1426 (2002)
  18. S.A. Medvedieff, Y.V. Klevkov. Brevet (France) N 2782932, 24.11.2000
  19. A. Broniatowski, A. Blosse, P.C. Srivastsva, J.C. Bourgoin. J. Appl. Phys., 54 (6), 2907 (1983)
  20. K.H. Herrmann, A.E. Rakhshani, L. Alshamary. Sol. St. Electron., 43, 1251 (1999)
  21. M. Dharmadasa, C.J. Blomfield, C.G. Scott, R. Coratger, F. Ajustron, J. Beauvillain. Sol. St. Electron., 42 (4), 595 (1998)
  22. P. Diba, E. Placzek-Popko, E. Zielony, Z. Gumienny, J. Szatkowski. Acta Phys. Polon. A, 116, 944 (2009)
  23. L. Stolt, K. Bohlin. Sol. St. Electron., 28 (12), 1215 (1985)
  24. F.D. Auret, M. Nel. J. Appl. Phys., 61 (7), 2546 (1987)
  25. K. Yamasaki, M. Yoshida, T. Sugano. Jpn. J. Appl. Phys., 18 (1), 113 (1979)
  26. А. Черниговский. Общедоступная (free ware) программа расчета уровня Ферми. http://t-lambda.chat.ru/download.html).
  27. H. Zhang, Y. Aoyagi, S. Iwai, S. Namba. Appl. Phys. A, 44, 273 (1987)
  28. J.H. Greenberg. J. Cryst. Growth, 197, 406 (1999)
  29. L. Kuchar, J. Drapala, J. Lunacek. J. Cryst. Growth, 161, 94 (1996)
  30. Su-Huai Wei, S.B. Zhang. Phys. Rev. B, 66, 155 211 (2002)
  31. R.T. Collins, T.F. Kuech, T.C. McGill. J. Vac. Sci. Technol., 21 (1), 191 (1982)
  32. L.C. Isett, Pranab K. Raychudhuri. J. Appl. Phys., 55 (10), 3605 (1984)
  33. Yanfa Yan, K.M. Jones, C.S. Jiang, X.Z. Wu, R. Noufi, M.M. Al-Jassim. Physca B, 401--402, 25 (2007)
  34. Mao-Hua Du, Hiroyuki Takenaka, David J. Singh. Phys. Rev. B, 77, 094 122 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.