"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности получения разбавленных магнитных полупроводников в системе узкозонных твердых растворов GaInAsSb
Моисеев К.Д.1, Лесников В.П.2, Подольский В.В.2, Kudriavtsev Yu.3, Koudriavtseva O.3, Escobosa A.3, Sanchez-Resendiz V.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3CINVESTAV-IPN, Mexico D.F., P.O. box 14-740 Mexico
Поступила в редакцию: 6 декабря 2010 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2011 г.

Разработана нанотехнология получения разбавленных магнитных полупроводников на основе соединений GaInAsSb с помощью метода лазерного осаждения атомов марганца на эпитаксиальный слой четверного твердого раствора, полученный методом жидкофазной эпитаксии. Изготовленные гетероструктуры исследовались методом рентгеновской дифракции с высоким разрешением для брэгговской и скользящей геометрии дифракции, а также проведен послойный анализ методом масс-спектрометрии вторичных ионов. Было установлено, что приграничная область слоя Ga0.96In0.04As0.11Sb0.89 вблизи поверхности напыления атомарного марганца демонстрирует наличие пятикомпонентного соединения с атомами марганца в решетке и бинарных включений типа Mn3As2. Насыщение многокомпонентного разбавленного полупроводника GaIn(Mn)AsSb соединениями марганца позволит задавать концентрацию магнитной примеси в кристалле и управлять магнитными свойствами гетероструктуры.
  1. K.W. Edmonds, P. Boguslavski, K.Y. Wang, R.P. Campion, S.N. Novikov, N.R.S. Farley, B.L. Gallagher, C.T. Foxon, M. Sawicki, T. Dietl, M. Buongiorno Nardelli, J. Bernholc. Phys. Rev. Lett., 92, 037 201 (2004)
  2. T. Schallenberg, H. Munekata. Appl. Phys. Lett., 89, 042507 (2006)
  3. H. Ohno, D. Chiba, F. Matsukura, T. Omiya, E. Abe, T. Dietl, Y. Ohno, K. Ohtani. Nature (London), 408, 944 (2000)
  4. S. Koshihara, A. Oiwa, M. Hirasawa, S. Katsumoto, Y. Iye, C. Urano, H. Takagi, H. Munekata. Phys. Rev. Lett., 78, 4617 (1997)
  5. H. Ohno. J. Magn. Magn. Mater., 200, 110 (1999)
  6. Т.С. Лагунова, Т.И. Воронина, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, Е. Самохин, Ю.П. Яковлев. ФТП, 37, 905 (2003)
  7. T. Slupinski, H. Munekata, A. Oiwa. Appl. Phys. Lett., 80, 1592 (2002)
  8. A.M. Nazmul, T. Amemiya, Y. Shuto, S. Sugahara, M. Tanaka. Phys. Rev. Lett., 95, 017201 (2005)
  9. M.P. Mikhailova, K.D. Moiseev, Yu.P. Yakovlev. Semicond. Sci. Technol., 19, R109 (2004)
  10. В.А. Березовец, К.Д. Моисеев, М.П. Михайлова, Р.В. Парфеньев, Ю.П. Яковлев, В.И. Нижанковский. Физика низких температур, 33, 194 (2001)
  11. R.V. Parfeniev, K.D. Moiseev, V.A. Berezovets, N.S. Averkiev, M.P. Mikhailova, V. Nizhankovskii, D. Kaczorowski. J. Magn. Magn. Mater., 321, 712 (2009)
  12. Ю.А. Данилов, Е.С. Демидов, Ю.Н. Дроздов, В.П. Лесников, В.В. Подольский. ФТП, 39, 8 (2005)
  13. Е.С. Демидов, В.В. Подольский, В.П. Лесников, М.В. Сапожников, Д.В. Дружнов, С.Н. Гусев, Б.А. Грибков, Д.О. Филатов, Ю.С. Степанова, С.А. Левчук. ЖЭТФ, 133, 1 (2008)
  14. Y. Gao. J. Appl. Phys., 64, 3760 (1988)
  15. J.M. Schroer, H. Gnaser, H. Oechsner. Proc. 9th Int. Conf. Second. Ion Mass Spectrometry, Yokohama, Japan, 7-12 Nov. 1993, P. 386
  16. К.Д. Моисеев, А.А. Ситникова, Н.Н. Фалеев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 34, 1438 (2000)
  17. National Bur. Stand. (U.S.). Circ. 539, 9, 30 (1956)
  18. National Bur. Stand (U.S.). Monogr. 25, 3, 35 (1964)
  19. А.Н. Баранов, А.М. Литвак, К.Д. Моисеев, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ЖПХ, 67, 1951 (1994)
  20. L. Dietrich, W. Jeitschko, M. Moller. Z. Kristallogr., 190, 259 (1990)
  21. K.D. Moiseev, A. Krier, Yu.P. Yakovlev. J. Appl. Phys., 90, 3988 (2001)
  22. Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, А.Ф. Липаев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 40, 519 (2006)
  23. T. Jungwirth, J. Sinova, J. Mav sek, J. Kuv cera, A.H. Macdonald. Rev. Mod. Phys., 78, 809 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.