Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности получения разбавленных магнитных полупроводников в системе узкозонных твердых растворов GaInAsSb

Моисеев К.Д.¹, Лесников В.П.², Подольский В.В.², Kudriavtsev Yu.³, Koudriavtseva O.³, Escobosa A.³, Sanchez-Resendiz V.³

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

³CINVESTAV-IPN, Mexico D.F., P.O. box 14-740 Mexico

Поступила в редакцию: 6 декабря 2010 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2011 г.

PDF версия

Разработана нанотехнология получения разбавленных магнитных полупроводников на основе соединений GaInAsSb с помощью метода лазерного осаждения атомов марганца на эпитаксиальный слой четверного твердого раствора, полученный методом жидкофазной эпитаксии. Изготовленные гетероструктуры исследовались методом рентгеновской дифракции с высоким разрешением для брэгговской и скользящей геометрии дифракции, а также проведен послойный анализ методом масс-спектрометрии вторичных ионов. Было установлено, что приграничная область слоя Ga_0.96In_0.04As_0.11Sb_0.89 вблизи поверхности напыления атомарного марганца демонстрирует наличие пятикомпонентного соединения с атомами марганца в решетке и бинарных включений типа Mn₃As₂. Насыщение многокомпонентного разбавленного полупроводника GaIn(Mn)AsSb соединениями марганца позволит задавать концентрацию магнитной примеси в кристалле и управлять магнитными свойствами гетероструктуры.

K.W. Edmonds, P. Boguslavski, K.Y. Wang, R.P. Campion, S.N. Novikov, N.R.S. Farley, B.L. Gallagher, C.T. Foxon, M. Sawicki, T. Dietl, M. Buongiorno Nardelli, J. Bernholc. Phys. Rev. Lett., 92, 037 201 (2004)
T. Schallenberg, H. Munekata. Appl. Phys. Lett., 89, 042507 (2006)
H. Ohno, D. Chiba, F. Matsukura, T. Omiya, E. Abe, T. Dietl, Y. Ohno, K. Ohtani. Nature (London), 408, 944 (2000)
S. Koshihara, A. Oiwa, M. Hirasawa, S. Katsumoto, Y. Iye, C. Urano, H. Takagi, H. Munekata. Phys. Rev. Lett., 78, 4617 (1997)
H. Ohno. J. Magn. Magn. Mater., 200, 110 (1999)
Т.С. Лагунова, Т.И. Воронина, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, Е. Самохин, Ю.П. Яковлев. ФТП, 37, 905 (2003)
T. Slupinski, H. Munekata, A. Oiwa. Appl. Phys. Lett., 80, 1592 (2002)
A.M. Nazmul, T. Amemiya, Y. Shuto, S. Sugahara, M. Tanaka. Phys. Rev. Lett., 95, 017201 (2005)
M.P. Mikhailova, K.D. Moiseev, Yu.P. Yakovlev. Semicond. Sci. Technol., 19, R109 (2004)
В.А. Березовец, К.Д. Моисеев, М.П. Михайлова, Р.В. Парфеньев, Ю.П. Яковлев, В.И. Нижанковский. Физика низких температур, 33, 194 (2001)
R.V. Parfeniev, K.D. Moiseev, V.A. Berezovets, N.S. Averkiev, M.P. Mikhailova, V. Nizhankovskii, D. Kaczorowski. J. Magn. Magn. Mater., 321, 712 (2009)
Ю.А. Данилов, Е.С. Демидов, Ю.Н. Дроздов, В.П. Лесников, В.В. Подольский. ФТП, 39, 8 (2005)
Е.С. Демидов, В.В. Подольский, В.П. Лесников, М.В. Сапожников, Д.В. Дружнов, С.Н. Гусев, Б.А. Грибков, Д.О. Филатов, Ю.С. Степанова, С.А. Левчук. ЖЭТФ, 133, 1 (2008)
Y. Gao. J. Appl. Phys., 64, 3760 (1988)
J.M. Schroer, H. Gnaser, H. Oechsner. Proc. 9th Int. Conf. Second. Ion Mass Spectrometry, Yokohama, Japan, 7-12 Nov. 1993, P. 386
К.Д. Моисеев, А.А. Ситникова, Н.Н. Фалеев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 34, 1438 (2000)
National Bur. Stand. (U.S.). Circ. 539, 9, 30 (1956)
National Bur. Stand (U.S.). Monogr. 25, 3, 35 (1964)
А.Н. Баранов, А.М. Литвак, К.Д. Моисеев, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ЖПХ, 67, 1951 (1994)
L. Dietrich, W. Jeitschko, M. Moller. Z. Kristallogr., 190, 259 (1990)
K.D. Moiseev, A. Krier, Yu.P. Yakovlev. J. Appl. Phys., 90, 3988 (2001)
Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, А.Ф. Липаев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 40, 519 (2006)
T. Jungwirth, J. Sinova, J. Mav sek, J. Kuv cera, A.H. Macdonald. Rev. Mod. Phys., 78, 809 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель