Вышедшие номера
Токовый отклик детектора TlBr в поле источника gamma-излучения 137Cs
Газизов И.М.1, Залетин В.М.2, Кукушкин В.М.1, Хрунов В.С.1
1Институт физико-технических проблем, Дубна, Россия
2Университет "Дубна", Дубна, Россия
Поступила в редакцию: 20 октября 2010 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2011 г.

На чистых и легированных кристаллах TlBr, выращенных методом направленной кристаллизации расплава по Бриджмену-Стокбаргеру, измерялся токовый отклик в поле источника gamma-излучения 137Cs мощностью поглощенной дозы от 0.033 до 3.84 Гр/мин в диапазоне напряжений 1-300 В. Весовая доля вносимой примеси Pb в кристаллах TlBr составляла 1-10 млн-1, а примеси Ca - 150 млн-1. На номинально чистых образцах TlBr отклик фототока достаточно линеен в исследованном диапазоне мощностей доз. Глубокие дырочные уровни, связанные с катионными вакансиями Vc-, определяли зависимость токового отклика от напряжения фототока в больших электрических полях. Были рассчитаны параметры переноса носителей тока mutau для кристаллов TlBr, выращенных в вакууме и в атмосфере брома, произведения mutau составили 4.3·10-4 и 6.4·10-5 см2B-1 соответственно. На примесных кристаллах, легированных двухвалентным катионом, величина mutau была в пределах (4-9)·10-5 см2B-1.