"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Увеличение интенсивности фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света в одномерных фотонных кристаллах на основе пористого кремния
Гончар К.А.1, Мусабек Г.К.2, Таурбаев Т.И.2, Тимошенко В.Ю.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2Казахский национальный университет им. Аль-Фараби (физический факультет), Алматы, Казахстан
Поступила в редакцию: 10 ноября 2010 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2011 г.

Обнаружено увеличение интенсивности фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света в многослойных структурах на основе пористого кремния, обладающих свойствами одномерных фотонных кристаллов, при возбуждении светом с длиной волны 1.064 мкм. Обнаружено, что при попадании возбуждающего излучения на край фотонной зоны исследуемых структур происходит многократное увеличение (более чем в 400 раз) эффективности комбинационного рассеяния света. Данный эффект объясняется частичной локализацией возбуждающего света, что приводит к значительному увеличению времени взаимодействия света с веществом в исследуемых структурах.
  1. B. Ziaie, A. Baldi, M.Z. Atashbar. Introduction of Mic-ro/Nanofabrication (Springer Handbook of Nanotechnology, B. Bhushan ed.) (Berlin, Springer, 2004)
  2. N. Daldosso, L. Pavesi. Laser \& Photon. Rev., 3, 508 (2009)
  3. S. John. Phys. Rev. Lett., 58, 2486 (1987)
  4. A.-Sh. Chu, S.H. Zaidi, S.R.J. Brueck. Appl. Phys. Lett., 63, 905 (1993)
  5. M. Elwenspoek, H.V. Jancen. Silicon Micromachining (Cambridge University Press, 1998)
  6. S.H. Zaidi, A.-Sh. Chu, S.R.J. Brueck. Appl. Phys. Lett., 80, 6997 (1996)
  7. O. Boyraz, B. Jalali. Opt. Express, 12, 5269 (2004)
  8. D. Dimitropoulos, S. Fathpour, B. Jalali. Appl. Phys. Lett., 87, 261 108 (2005)
  9. D.A. Mamichev, V.Yu. Timoshenko, A.V. Zoteyev, L.A. Golovan, E.Yu. Krutkova, A.V. Laktyunkin, P.K. Kashkarov, E.V. Astrova, T.S. Perova. Phys. Status Solidi B, 246, 173 (2009)
  10. K. Sakoda. Optical Properties of Photonic Crystals (Berlin, Springer, 2001) [Springer Ser. Opt. Sci., 80]
  11. E. Yablonovitch. Phys. Rev. Lett., 58, 2059 (1987)
  12. Л.А. Головань, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров. УФН, 177 (6), 619 (2007)
  13. М. Борн, Э. Вольф. Основы оптики (М., Наука, 1973)
  14. V. Lehmann, R. Stengl, A. Luigart. Mater. Sci. Eng. B, 69--70, 11 (2000)
  15. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990)
  16. М.Г. Лисаченко, Е.А. Константинова, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров. ФТП, 36 (3), 344 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.