"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Полупроводниковый лазер с асимметричными барьерными слоями: высокая температурная стабильность
Жуков А.Е.1, Крыжановская Н.В.1, Максимов М.В.1, Егоров А.Ю.1, Павлов М.М.1, Зубов Ф.И.1, Асрян Л.В.2
1Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, Virginia, USA
Поступила в редакцию: 6 октября 2010 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2011 г.

Рассмотрен метод повышения температурной стабильности инжекционных лазеров, использующий асимметричные барьерные слои по обе стороны от квантово-размерной активной области. Асимметричные барьерные слои препятствуют утечке электронов из активной области в ту часть волноводной области, в которую инжектируются дырки, и утечке дырок в ту часть волноводной области, в которую инжектируются электроны. Выбраны параметры слоев, позволяющие реализовать асимметричные барьерные слои в структурах на подложках GaAs с выполнением условий псевдоморфного роста. Рассчитаны пороговые характеристики и показано, что подавление электронно-дырочной рекомбинации вне активной области, достигаемое при использовании асимметричных барьерных слоев, приводит к существенному уменьшению порогового тока и увеличению характеристической температуры лазера с асимметричными барьерными слоями.
  1. Zh.I. Alferov. Rev. Mod. Phys., 73, 767 (2001)
  2. H. Temkin, D. Coblentz, R.A. Logan, J.M. Vandenberg, R.D. Yadvish, A.M. Sergent. Appl. Phys. Lett., 63, 2321 (1994)
  3. L.V. Asryan, R.A. Suris. Semicond. Sci. Technol., 11, 554 (1996).
  4. L.J. Mawst, A. Bhattacharya, J. Lopez, D. Botez, D.Z. Garbuzov, L. DeMarco, J.C. Connolly, M. Jansen, F. Fang, R.F. Nabiev. Appl. Phys. Lett., 69, 1532 (1996)
  5. Д.А. Винокуров, С.А. Зорина, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, Д.Н. Николаев, А.Л. Станкевич, М.А. Хомылев, В.В. Шамахов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Т.А. Налет, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, И.С. Тарасов. ФТП, 39, 388 (2005)
  6. L.V. Asryan, S. Luryi. Sol. St. Electron., 47, 205 (2003)
  7. L.V. Asryan, S. Luryi. U.S. Patent 6 870 178 B2, Mar. 22, 2005
  8. J.W. Matthews, A.E. Blakeslee. J. Cryst. Growth, 27, 118 (1974)
  9. M.P.C.M. Krijn. Semicond. Sci. Technol., 6, 27 (1991)
  10. L.V. Asryan, N.V. Kryzhanovskaya, M.V. Maximov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov. (в печати) (2011).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.