Полупроводниковый лазер с асимметричными барьерными слоями: высокая температурная стабильность
Жуков А.Е.1, Крыжановская Н.В.1, Максимов М.В.1, Егоров А.Ю.1, Павлов М.М.1, Зубов Ф.И.1, Асрян Л.В.2
1Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, Virginia, USA
Поступила в редакцию: 6 октября 2010 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2011 г.
Рассмотрен метод повышения температурной стабильности инжекционных лазеров, использующий асимметричные барьерные слои по обе стороны от квантово-размерной активной области. Асимметричные барьерные слои препятствуют утечке электронов из активной области в ту часть волноводной области, в которую инжектируются дырки, и утечке дырок в ту часть волноводной области, в которую инжектируются электроны. Выбраны параметры слоев, позволяющие реализовать асимметричные барьерные слои в структурах на подложках GaAs с выполнением условий псевдоморфного роста. Рассчитаны пороговые характеристики и показано, что подавление электронно-дырочной рекомбинации вне активной области, достигаемое при использовании асимметричных барьерных слоев, приводит к существенному уменьшению порогового тока и увеличению характеристической температуры лазера с асимметричными барьерными слоями.
- Zh.I. Alferov. Rev. Mod. Phys., 73, 767 (2001)
- H. Temkin, D. Coblentz, R.A. Logan, J.M. Vandenberg, R.D. Yadvish, A.M. Sergent. Appl. Phys. Lett., 63, 2321 (1994)
- L.V. Asryan, R.A. Suris. Semicond. Sci. Technol., 11, 554 (1996).
- L.J. Mawst, A. Bhattacharya, J. Lopez, D. Botez, D.Z. Garbuzov, L. DeMarco, J.C. Connolly, M. Jansen, F. Fang, R.F. Nabiev. Appl. Phys. Lett., 69, 1532 (1996)
- Д.А. Винокуров, С.А. Зорина, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, Д.Н. Николаев, А.Л. Станкевич, М.А. Хомылев, В.В. Шамахов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Т.А. Налет, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, И.С. Тарасов. ФТП, 39, 388 (2005)
- L.V. Asryan, S. Luryi. Sol. St. Electron., 47, 205 (2003)
- L.V. Asryan, S. Luryi. U.S. Patent 6 870 178 B2, Mar. 22, 2005
- J.W. Matthews, A.E. Blakeslee. J. Cryst. Growth, 27, 118 (1974)
- M.P.C.M. Krijn. Semicond. Sci. Technol., 6, 27 (1991)
- L.V. Asryan, N.V. Kryzhanovskaya, M.V. Maximov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov. (в печати) (2011).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
