"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Захват носителей заряда в InAs/AlAs-квантовые точки при гелиевой температуре
Абрамкин Д.С.1, Журавлёв К.С.1, Шамирзаев Т.С.1, Ненашев А.В.1, Калагин А.К.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 20 мая 2010 г.
Выставление онлайн: 20 января 2011 г.

На основе простых моделей проведен анализ влияния величины вероятности захвата носителей заряда в квантовые точки через смачивающий слой на стационарную и нестационарную люминесценцию смачивающего слоя и квантовых точек при возбуждении в матрицу. Показано, что рост интегральной интенсивности стационарной люминесценции квантовых точек с ростом доли площади, занимаемой квантовыми точками в структуре, а также независимое затухание нестационарной люминесценции смачивающего слоя и квантовых точек указывают на подавление канала захвата носителей заряда из смачивающего слоя в квантовые точки. Экспериментальное исследование процессов захвата носителей заряда в InAs-квантовые точки в матрице AlAs при 5 K было проведено с помощью стационарной и нестационарной фотолюминесценции. Серия структур с различной плотностью квантовых точек была выращена методом молекулярно-лучевой эпитаксии на полуизолирующей подложке GaAs ориентации (001). Было обнаружено, что интегральная интенсивность фотолюминесценции квантовых точек растет с увеличением площади, занимаемой в структуре квантовых точек, по практически линейному закону, а интенсивность фотолюминесценции смачивающего слоя после импульсного возбуждения затухает медленнее, чем интенсивность фотолюминесценции квантовых точек. Согласно проведенному анализу, эти экспериментальные факты свидетельствуют о подавлении захвата экситонов в InAs/AlAs-квантовые точки из смачивающего слоя при 5 K.
  1. D. Bimberg, M. Grundmann, N. Ledentsov. Quantum Dot Heterostructures (Wiley, N.Y., 1999)
  2. Semiconductor Quantum Dots. Physics, Spectroscopy and Applications, eds Y. Matsumoto, T. Takagahara. Springer Series in NanoScience and Technology (Springer Verlag, Berlin, 2002)
  3. O. Brandt, L. Tapfer, R. Cingolani, K. Ploog, M. Hohenstein, F. Philipp. Phys. Rev. B, 41, 12 599 (1990)
  4. T.S. Shamirzaev, A.M. Gilinsky, A.K. Kalagin, A.V. Nenashev, K.S. Zhuravlev. Phys. Rev. B, 76, 155 309 (2007)
  5. D.G. Deppe, D.L. Huffaker. Appl. Phys. Lett., 77, 3325 (2000)
  6. D.R. Matthews, H.D. Summers, P.M. Smowton, P. Blood, P. Rees, M. Hopkinson. IEEE J. Quant. Electron., 41, 344 (2005)
  7. F. Ding, Y.H. Chen, C.G. Tang, B. Xu, Z.G. Wang. Phys. Rev. B, 76, 125 404 (2007)
  8. A.V. Uskov, J. McInerney, F. Adler, H. Schweizer, M.H. Pilkuhn. Appl. Phys. Lett., 72, 58 (1998)
  9. G.A. Narvaez, G. Bester, A. Zunger. Phys. Rev. B, 74, 075 403 (2006); T. Piwonski, I. O'Driscoll, J. Houlihan, G. Huyet, R.J. Manning, A.V. Uskov. Appl. Phys. Lett., 90, 122 108 (2007)
  10. J. Siegert, M. Marcinkeviv cius, Q.X. Zhao. Phys. Rev. B, 72, 085 316 (2005)
  11. Y. Yoda, O. Moriwaki, M. Nishioka, Y. Arakawa. Phys. Rev. Lett., 82, 4114 (1999)
  12. E.S. Moskalenko, V. Donchev, F.F. Karlsson, P.O. Holtz, B. Monemar, W.V. Schoenfeld, J.M. Garcia, P.M. Petroff. Phys. Rev. B, 68, 155 317 (2003)
  13. T.S. Shamirzaev, A.V. Nenashev, K.S. Zhuravlev. Appl. Phys. Lett., 92, 213 101 (2008)
  14. T.S. Shamirzaev, A.V. Nenashev, A.K. Gutakovskii, A.K. Kalagin, K.S. Zhuravlev, M. Larsson, P.O. Holtz. Phys. Rev. B, 78, 085 323 (2008)
  15. Akihiro Ohtake, Masashi Ozeki. Appl. Phys. Lett., 78, 431 (2001)
  16. Z. Ma, K. Pierz, U.F. Keyser, R.J. Haug. Physica E, 17, 117 (2003)
  17. K. Muraki, S. Fukatsu, Y. Shiraki, R. Ito. Appl. Phys. Lett., 61, 557 (1992)
  18. P. Offermans, P.M. Koenraad, R. Notzel, J.H. Wolter, K. Pierz. Appl. Phys. Lett., 87, 111 903 (2005)
  19. Peter Y.Yu Manuel Cardona. Fundamental of Semiconductors. Physics and material properties (Springer, 2002)
  20. Properties of lattice-mismatched and strained Indium Gallium Arsenide, ed. by P. Bhattacharya (INSPEC, 1993); Properties of Aluminium Gallium Arsenide, ed. by S. Adachi (INSPEC, 1993)
  21. M.V. Klein, M.D. Sturge, E. Cohen. Phys. Rev. B, 25, 4331 (1982)
  22. L.S. Braginsky, M.Yu. Zaharov, A.M. Gilinsky, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, K.S. Zhuravlev. Phys. Rev. B, 63, 195 305 (2001)
  23. T.S. Shamirzaev, A.M. Gilinsky, A.K. Kalagin, A.I. Toropov, A.K. Gutakovskii, K.S. Zhuravlev. Semicond. Sci. Technol., 21, 527 (2006)
  24. C. Lobo, N. Perret, D. Morris. Phys. Rev. B, 62, 2737 (2000)
  25. R. Heitz, M. Veit, N.N. Ledentsov. Phys. Rev. B, 56, 10 435 (1997); F.V. de Sales, J.M.R. Cruz, S.W. da Silva, M.A.G. Soler, P.C. Morais, M.J. da Silva, A.A. Quivy, J.R. Leite. J. Appl. Phys., 94, 1787 (2003); S. Raymond, K. Hinzer, S. Fafard, J.L. Merz. Phys. Rev. B, 61, R16331 (2000)
  26. J.M.R. Cruz, F.V. de Sales, S.W. da Silva, M.A.G. Soler, P.C. Morais, M.J. da Silva, A.A. Quivy, J.R. Leite. Physica E, 17, 107 (2003)
  27. P. Aivaliotis, S. Menzel, E.A. Zibik, J.W. Cockburn, L.R. Wilson, M. Hopkinson. Appl. Phys. Lett., 91, 253 502 (2007)
  28. Zhixun Ma, Klaus Pierz. Surf. Sci., 511, 57 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.