Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Захват носителей заряда в InAs/AlAs-квантовые точки при гелиевой температуре
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Поступила в редакцию: 20 мая 2010 г.
Выставление онлайн: 20 января 2011 г.
На основе простых моделей проведен анализ влияния величины вероятности захвата носителей заряда в квантовые точки через смачивающий слой на стационарную и нестационарную люминесценцию смачивающего слоя и квантовых точек при возбуждении в матрицу. Показано, что рост интегральной интенсивности стационарной люминесценции квантовых точек с ростом доли площади, занимаемой квантовыми точками в структуре, а также независимое затухание нестационарной люминесценции смачивающего слоя и квантовых точек указывают на подавление канала захвата носителей заряда из смачивающего слоя в квантовые точки. Экспериментальное исследование процессов захвата носителей заряда в InAs-квантовые точки в матрице AlAs при 5 K было проведено с помощью стационарной и нестационарной фотолюминесценции. Серия структур с различной плотностью квантовых точек была выращена методом молекулярно-лучевой эпитаксии на полуизолирующей подложке GaAs ориентации (001). Было обнаружено, что интегральная интенсивность фотолюминесценции квантовых точек растет с увеличением площади, занимаемой в структуре квантовых точек, по практически линейному закону, а интенсивность фотолюминесценции смачивающего слоя после импульсного возбуждения затухает медленнее, чем интенсивность фотолюминесценции квантовых точек. Согласно проведенному анализу, эти экспериментальные факты свидетельствуют о подавлении захвата экситонов в InAs/AlAs-квантовые точки из смачивающего слоя при 5 K.
- D. Bimberg, M. Grundmann, N. Ledentsov. Quantum Dot Heterostructures (Wiley, N.Y., 1999)
- Semiconductor Quantum Dots. Physics, Spectroscopy and Applications, eds Y. Matsumoto, T. Takagahara. Springer Series in NanoScience and Technology (Springer Verlag, Berlin, 2002)
- O. Brandt, L. Tapfer, R. Cingolani, K. Ploog, M. Hohenstein, F. Philipp. Phys. Rev. B, 41, 12 599 (1990)
- T.S. Shamirzaev, A.M. Gilinsky, A.K. Kalagin, A.V. Nenashev, K.S. Zhuravlev. Phys. Rev. B, 76, 155 309 (2007)
- D.G. Deppe, D.L. Huffaker. Appl. Phys. Lett., 77, 3325 (2000)
- D.R. Matthews, H.D. Summers, P.M. Smowton, P. Blood, P. Rees, M. Hopkinson. IEEE J. Quant. Electron., 41, 344 (2005)
- F. Ding, Y.H. Chen, C.G. Tang, B. Xu, Z.G. Wang. Phys. Rev. B, 76, 125 404 (2007)
- A.V. Uskov, J. McInerney, F. Adler, H. Schweizer, M.H. Pilkuhn. Appl. Phys. Lett., 72, 58 (1998)
- G.A. Narvaez, G. Bester, A. Zunger. Phys. Rev. B, 74, 075 403 (2006); T. Piwonski, I. O'Driscoll, J. Houlihan, G. Huyet, R.J. Manning, A.V. Uskov. Appl. Phys. Lett., 90, 122 108 (2007)
- J. Siegert, M. Marcinkeviv cius, Q.X. Zhao. Phys. Rev. B, 72, 085 316 (2005)
- Y. Yoda, O. Moriwaki, M. Nishioka, Y. Arakawa. Phys. Rev. Lett., 82, 4114 (1999)
- E.S. Moskalenko, V. Donchev, F.F. Karlsson, P.O. Holtz, B. Monemar, W.V. Schoenfeld, J.M. Garcia, P.M. Petroff. Phys. Rev. B, 68, 155 317 (2003)
- T.S. Shamirzaev, A.V. Nenashev, K.S. Zhuravlev. Appl. Phys. Lett., 92, 213 101 (2008)
- T.S. Shamirzaev, A.V. Nenashev, A.K. Gutakovskii, A.K. Kalagin, K.S. Zhuravlev, M. Larsson, P.O. Holtz. Phys. Rev. B, 78, 085 323 (2008)
- Akihiro Ohtake, Masashi Ozeki. Appl. Phys. Lett., 78, 431 (2001)
- Z. Ma, K. Pierz, U.F. Keyser, R.J. Haug. Physica E, 17, 117 (2003)
- K. Muraki, S. Fukatsu, Y. Shiraki, R. Ito. Appl. Phys. Lett., 61, 557 (1992)
- P. Offermans, P.M. Koenraad, R. Notzel, J.H. Wolter, K. Pierz. Appl. Phys. Lett., 87, 111 903 (2005)
- Peter Y.Yu Manuel Cardona. Fundamental of Semiconductors. Physics and material properties (Springer, 2002)
- Properties of lattice-mismatched and strained Indium Gallium Arsenide, ed. by P. Bhattacharya (INSPEC, 1993); Properties of Aluminium Gallium Arsenide, ed. by S. Adachi (INSPEC, 1993)
- M.V. Klein, M.D. Sturge, E. Cohen. Phys. Rev. B, 25, 4331 (1982)
- L.S. Braginsky, M.Yu. Zaharov, A.M. Gilinsky, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, K.S. Zhuravlev. Phys. Rev. B, 63, 195 305 (2001)
- T.S. Shamirzaev, A.M. Gilinsky, A.K. Kalagin, A.I. Toropov, A.K. Gutakovskii, K.S. Zhuravlev. Semicond. Sci. Technol., 21, 527 (2006)
- C. Lobo, N. Perret, D. Morris. Phys. Rev. B, 62, 2737 (2000)
- R. Heitz, M. Veit, N.N. Ledentsov. Phys. Rev. B, 56, 10 435 (1997); F.V. de Sales, J.M.R. Cruz, S.W. da Silva, M.A.G. Soler, P.C. Morais, M.J. da Silva, A.A. Quivy, J.R. Leite. J. Appl. Phys., 94, 1787 (2003); S. Raymond, K. Hinzer, S. Fafard, J.L. Merz. Phys. Rev. B, 61, R16331 (2000)
- J.M.R. Cruz, F.V. de Sales, S.W. da Silva, M.A.G. Soler, P.C. Morais, M.J. da Silva, A.A. Quivy, J.R. Leite. Physica E, 17, 107 (2003)
- P. Aivaliotis, S. Menzel, E.A. Zibik, J.W. Cockburn, L.R. Wilson, M. Hopkinson. Appl. Phys. Lett., 91, 253 502 (2007)
- Zhixun Ma, Klaus Pierz. Surf. Sci., 511, 57 (2002)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
