Показано, что преобразование фотоэлектрических характеристик сенсоров на основе кристаллов Cd_1-xZn_xTe (x=0.05-0.15) в параметрические спектральные, I(lambda)-dI/dlambda, кинетические, I(t)-dI/dt, и динамические, U-I(Delta y)_f,lambda, сигнатуры (I(lambda) - фототок, U - напряжение, f - частота, t - время, y - координата) позволяет выявить интегративные особенности фотоотклика, обусловленные его асимметрией и нелинейностью. Предложены показатели асимметрии и сбалансированности динамических и энергетических фотоиндуцированных состояний, которые системно отображают влияние многомасштабных полей на фотоэлектронные процессы. С их помощью определены диапазоны внешних воздействий, при которых системные особенности фотоотклика сенсоров минимальны или максимальны, что позволяет повысить эффективность целенаправленного подбора и обработки сенсоров.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.