"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Измерение скорости поверхностной рекомбинации и объемного времени жизни в пластинах Si по кинетике избыточного теплового излучения
Богатыренко В.В.1, Зиновчук А.В.2
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Киев, Украина
2Житомирский государственный университет им. И. Франко Министерства образования и науки Украины, Житомир, Украина
Поступила в редакцию: 16 марта 2010 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2010 г.

Представлен бесконтактный, неразрушающий метод измерений рекомбинационных параметров (скорость поверхностной рекомбинации, объемное и эффективное время жизни свободных носителей) в пластинах Si. Метод основан на анализе кинетики релаксации избыточного теплового излучения пластины за краем собственного поглощения Si (lambda>3 мкм) при возбуждении коротким лазерным импульсом с энергией кванта больше ширины запрещенной зоны Si. Представлены экспериментальные результаты для пластин толщиной 300 мкм и 2 мм, возбужденных лазерным излучением с длинами волн 0.96 и 1.06 мкм при температурах выше комнатной. Разделение поверхностной и объемной составляющих эффективного времени жизни проводится путем экстраполяции конечного участка кинетики релаксации избыточного теплового излучения до пересечения с координатной осью y.
  • V. Malyutenko, S. Chyrchyk. Appl. Phys. Lett., 89, 051 909 (2006)
  • A. Salnick, A. Mandelis, C. Jean. Appl. Phys. Lett., 69, 2522 (1996)
  • L. Sirleto, A. Irace, G. Vitale, L. Zeni, A. Cutolo. J. Appl. Phys., 93, 3407 (2003)
  • K. Luke, L. Cheng. J. Appl. Phys., 61, 2282 (1987)
  • A. Buczkowski, Z. Radziminski, G. Rosgonyi, F. Shimura. J. Appl. Phys., 69, 6495 (1991)
  • F.X. Chen, R.Q. Cui, L. Xu, F. Irace, J. Meng, Z.X. Zhao, Z.B. Zhou. Semicond. Sci. Technol., 19, 959 (2004)
  • A. Buczkowski, Z. Radziminski, G. Rosgonyi, F. Shimura. J. Appl. Phys., 72, 2873 (1992)
  • G.S. Kousik, Z.G. Ling, P.K. Ajmera. J. Appl. Phys., 72, 141 (1992)
  • V.K. Malyutenko, K.V. Michailovskaya, O. Yu. Malyutenko, V.V. Bogatyrenko, D.R. Snyder. IEE Proc.: Optoelectron., 150, 391 (2003)
  • V. Malyutenko, O. Malyutenko, V. Bogatyrenko, S. Chyrchyk, J. Kircher, R. Murrer, D. Snyder. Proc. SPIE, 5408, 118 (2004)
  • K. Rajkanan, R. Singh, J. Shewchun. Sol. St. Electron., 22, 793 (1979)
  • C. Jacoboni, C. Canali, G. Ottaviani, A.A. Quaranta. Sol. St. Electron., 20, 77 (1977)
  • J. Nelson. The physics of solar cells (Imperial College Press, UK, 2003)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.