"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Измерение скорости поверхностной рекомбинации и объемного времени жизни в пластинах Si по кинетике избыточного теплового излучения
Богатыренко В.В.1, Зиновчук А.В.2
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Киев, Украина
2Житомирский государственный университет им. И. Франко Министерства образования и науки Украины, Житомир, Украина
Поступила в редакцию: 16 марта 2010 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2010 г.

Представлен бесконтактный, неразрушающий метод измерений рекомбинационных параметров (скорость поверхностной рекомбинации, объемное и эффективное время жизни свободных носителей) в пластинах Si. Метод основан на анализе кинетики релаксации избыточного теплового излучения пластины за краем собственного поглощения Si (lambda>3 мкм) при возбуждении коротким лазерным импульсом с энергией кванта больше ширины запрещенной зоны Si. Представлены экспериментальные результаты для пластин толщиной 300 мкм и 2 мм, возбужденных лазерным излучением с длинами волн 0.96 и 1.06 мкм при температурах выше комнатной. Разделение поверхностной и объемной составляющих эффективного времени жизни проводится путем экстраполяции конечного участка кинетики релаксации избыточного теплового излучения до пересечения с координатной осью y.
  1. V. Malyutenko, S. Chyrchyk. Appl. Phys. Lett., 89, 051 909 (2006)
  2. A. Salnick, A. Mandelis, C. Jean. Appl. Phys. Lett., 69, 2522 (1996)
  3. L. Sirleto, A. Irace, G. Vitale, L. Zeni, A. Cutolo. J. Appl. Phys., 93, 3407 (2003)
  4. K. Luke, L. Cheng. J. Appl. Phys., 61, 2282 (1987)
  5. A. Buczkowski, Z. Radziminski, G. Rosgonyi, F. Shimura. J. Appl. Phys., 69, 6495 (1991)
  6. F.X. Chen, R.Q. Cui, L. Xu, F. Irace, J. Meng, Z.X. Zhao, Z.B. Zhou. Semicond. Sci. Technol., 19, 959 (2004)
  7. A. Buczkowski, Z. Radziminski, G. Rosgonyi, F. Shimura. J. Appl. Phys., 72, 2873 (1992)
  8. G.S. Kousik, Z.G. Ling, P.K. Ajmera. J. Appl. Phys., 72, 141 (1992)
  9. V.K. Malyutenko, K.V. Michailovskaya, O. Yu. Malyutenko, V.V. Bogatyrenko, D.R. Snyder. IEE Proc.: Optoelectron., 150, 391 (2003)
  10. V. Malyutenko, O. Malyutenko, V. Bogatyrenko, S. Chyrchyk, J. Kircher, R. Murrer, D. Snyder. Proc. SPIE, 5408, 118 (2004)
  11. K. Rajkanan, R. Singh, J. Shewchun. Sol. St. Electron., 22, 793 (1979)
  12. C. Jacoboni, C. Canali, G. Ottaviani, A.A. Quaranta. Sol. St. Electron., 20, 77 (1977)
  13. J. Nelson. The physics of solar cells (Imperial College Press, UK, 2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.