"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Юрас Пожела ( к 85-летию со дня рождения)
Выставление онлайн: 19 ноября 2010 г.
[!t] [!b] = @  l В день знаменательного юбилея мы от всей души поздравляем нашего коллегу действительного члена Литовской и Российской академий наук с днем рождения и шлем ему наилучгие пожелания крепкого здоровья, личного счастья и успехов в научной работе. Редакционная коллегия журнала, а также друзья и коллеги в Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук В день знаменательного юбилея мы от всей души поздравляем нашего коллегу действительного члена Литовской и Российской академии наук с днем рождения и шлем ему наилучшие пожелания крепкого здоровья, личного счастья и успехов в научной работе. Редакционная коллегия журнала, друзья и коллеги в Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук 5 декабря 2005 года исполняется восемьдесят лет со дня рождения действительного члена Литовской и Российской академий наук Юраса Пожелы. Его научная работа, отраженная в свыше 400 публикациях и 100 докладах на конференциях, охватывает различные области физики полупроводников. Среди них --- горячие электроны в полупроводниках, плазма и токовая неустойчивость, полупроводниковые наноструктуры, радиационные детекторы и др. Его длительная научно-организационная деятельность на посту директора Института физики полупроводников Литовской академии наук, а затем президента национальной академии наук была успешной и плодотворной и во многом способствовала высокому авторитету литовских ученых в мире. В настоящее время Юрас Пожела возглавляет Литовский филиал Всемирной лаборатории --- Международного центра научной культуры. Его научная и организационная деятельность неоднократно отмечалась самыми высокими наградами и орденами. Он длительное время является активным членом редакционной коллегии журнала << Физика и техника полупроводников>>. Ю. К. Пожела является Почетным членом Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе РАН. В день знаменательного юбилея мы желаем нашему коллеге Юрасу Пожеле крепкого здоровья и дальнейших успехов в научной работе. С глубоким уважением, вице-президент РАН академик Ж. И. Алфёров, академик РАН В. И. Перель, редколлегия журнала, а также друзья и коллеги в Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе РАН
  1. V. Lehmann, H. Foll. J. Electrochem. Soc., 137, 653 (1990)
  2. K. Busch, S. Lolkes, R.B. Wehrspohn, H. Foll. Photonic Crystals (Germany, Wiley VCH, 2004)
  3. S. Ottow, V. Lehmann, H. Foll. J. Electrochem. Soc., 143, 385 (1996)
  4. F. Muller, A. Birner, J. Schilling, A.-P. Li, K. Nielsch, U. Gosele, V. Lehmann. Microsystem Technol., 8, 7 (2002)
  5. Е.В. Астрова, Т.Н. Боровинская, В.А. Толмачев, Т.С. Перова. ФТП, 38, 1125 (2004)
  6. G. Barillaro, A. Nannini, F. Pieri. J. Electrochem. Soc., 149, C180 (2002)
  7. G. Barillaro, A. Nannini, M. Piotto. Sensors Actuators A, 102, 195 (2002)
  8. Е.В. Астрова, А.А. Нечитайлов. ФТП, 42, 747 (2008)
  9. E.V. Astrova, A.A. Nechitailov, V.A. Tolmachev, V.A. Melnikov, T.S. Perova. Phys. Status Solidi A, 206, 1235 (2009)
  10. E.V. Astrova, G.V. Fedulova. J. Micromech. Microeng., 19, 095 009 (2009)
  11. E.V. Astrova, V.A. Tolmachev, G.V. Fedulova, V.A. Melnikov, A.V. Ankudinov, T.S. Perova. Appl. Phys. A, 98, 571 (2010)
  12. Е.В. Астрова, В.А. Толмачев, Г.В. Федулова, V.A. Melnikov, T.S. Perova. Изв. РАН. Сер. физ., 74, 72 (2010)
  13. Ю.А. Жарова, Г.В. Федулова, Е.В. Гущина, А.В. Анкудинов, Е.В. Астрова, В.А. Ермаков, Т.С. Перова. ФТП, 44, 986 (2010)
  14. T. Geppert, S.L. Schweizer, U. Gosele, R.B. Wehrspohn. Appl. Phys. A, 84, 237 (2006)
  15. R.B. Wehrspohn, S.L. Schweizer, V. Sandoghdar. Phys. Status Solidi A, 204, 3708 (2007)
  16. T. Geppert. Ph. D. Dissertation (Max-Planck-Institute for Physics of Microstructures, Halle (Saale) and University of Paderborn, Germany, 2006) urn:nbn:de:gbv:3--000010074 [http://nbn--resolving.de/urn/resolver.pl?urn-nbn% 3Ade%3Agbv%3A3--000010074]
  17. Е.В. Астрова, В.В. Ратников, А.Д. Ременюк, И.Л. Шульпина. ФТП, 36, 1111 (2002)
  18. V. Lehmann. Electrochemistry of Silicon (Germany, Wiley VCH, 2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.