Выставление онлайн: 19 ноября 2010 г.
[!t] [!b] = @ l В день знаменательного юбилея мы от всей души поздравляем нашего коллегу действительного члена Литовской и Российской академий наук с днем рождения и шлем ему наилучгие пожелания крепкого здоровья, личного счастья и успехов в научной работе. Редакционная коллегия журнала, а также друзья и коллеги в Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук В день знаменательного юбилея мы от всей души поздравляем нашего коллегу действительного члена Литовской и Российской академии наук с днем рождения и шлем ему наилучшие пожелания крепкого здоровья, личного счастья и успехов в научной работе. Редакционная коллегия журнала, друзья и коллеги в Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук 5 декабря 2005 года исполняется восемьдесят лет со дня рождения действительного члена Литовской и Российской академий наук Юраса Пожелы. Его научная работа, отраженная в свыше 400 публикациях и 100 докладах на конференциях, охватывает различные области физики полупроводников. Среди них - горячие электроны в полупроводниках, плазма и токовая неустойчивость, полупроводниковые наноструктуры, радиационные детекторы и др. Его длительная научно-организационная деятельность на посту директора Института физики полупроводников Литовской академии наук, а затем президента национальной академии наук была успешной и плодотворной и во многом способствовала высокому авторитету литовских ученых в мире. В настоящее время Юрас Пожела возглавляет Литовский филиал Всемирной лаборатории - Международного центра научной культуры. Его научная и организационная деятельность неоднократно отмечалась самыми высокими наградами и орденами. Он длительное время является активным членом редакционной коллегии журнала << Физика и техника полупроводников>>. Ю. К. Пожела является Почетным членом Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе РАН. В день знаменательного юбилея мы желаем нашему коллеге Юрасу Пожеле крепкого здоровья и дальнейших успехов в научной работе. С глубоким уважением, вице-президент РАН академик Ж. И. Алфёров, академик РАН В. И. Перель, редколлегия журнала, а также друзья и коллеги в Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе РАН
- V. Lehmann, H. Foll. J. Electrochem. Soc., 137, 653 (1990)
- K. Busch, S. Lolkes, R.B. Wehrspohn, H. Foll. Photonic Crystals (Germany, Wiley VCH, 2004)
- S. Ottow, V. Lehmann, H. Foll. J. Electrochem. Soc., 143, 385 (1996)
- F. Muller, A. Birner, J. Schilling, A.-P. Li, K. Nielsch, U. Gosele, V. Lehmann. Microsystem Technol., 8, 7 (2002)
- Е.В. Астрова, Т.Н. Боровинская, В.А. Толмачев, Т.С. Перова. ФТП, 38, 1125 (2004)
- G. Barillaro, A. Nannini, F. Pieri. J. Electrochem. Soc., 149, C180 (2002)
- G. Barillaro, A. Nannini, M. Piotto. Sensors Actuators A, 102, 195 (2002)
- Е.В. Астрова, А.А. Нечитайлов. ФТП, 42, 747 (2008)
- E.V. Astrova, A.A. Nechitailov, V.A. Tolmachev, V.A. Melnikov, T.S. Perova. Phys. Status Solidi A, 206, 1235 (2009)
- E.V. Astrova, G.V. Fedulova. J. Micromech. Microeng., 19, 095 009 (2009)
- E.V. Astrova, V.A. Tolmachev, G.V. Fedulova, V.A. Melnikov, A.V. Ankudinov, T.S. Perova. Appl. Phys. A, 98, 571 (2010)
- Е.В. Астрова, В.А. Толмачев, Г.В. Федулова, V.A. Melnikov, T.S. Perova. Изв. РАН. Сер. физ., 74, 72 (2010)
- Ю.А. Жарова, Г.В. Федулова, Е.В. Гущина, А.В. Анкудинов, Е.В. Астрова, В.А. Ермаков, Т.С. Перова. ФТП, 44, 986 (2010)
- T. Geppert, S.L. Schweizer, U. Gosele, R.B. Wehrspohn. Appl. Phys. A, 84, 237 (2006)
- R.B. Wehrspohn, S.L. Schweizer, V. Sandoghdar. Phys. Status Solidi A, 204, 3708 (2007)
- T. Geppert. Ph. D. Dissertation (Max-Planck-Institute for Physics of Microstructures, Halle (Saale) and University of Paderborn, Germany, 2006) urn:nbn:de:gbv:3--000010074 [http://nbn--resolving.de/urn/resolver.pl?urn-nbn% 3Ade%3Agbv%3A3--000010074]
- Е.В. Астрова, В.В. Ратников, А.Д. Ременюк, И.Л. Шульпина. ФТП, 36, 1111 (2002)
- V. Lehmann. Electrochemistry of Silicon (Germany, Wiley VCH, 2002)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук