Моделирование проводимости a-Si : H тонкопленочного транзистора с барьерами Шоттки
Вишняков А.В.1, Ефремов М.Д.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 11 сентября 2009 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2010 г.
Численным моделированием показано, что сток-истоковые контакты Шоттки существенно определяют проводимость тонкопленочного транзистора в надпороговой области. При высоте барьера больше 0.75 эВ проявляется эффект сгущения, причиной которого является увеличение электрического поля на краю истокового электрода при росте тянущего напряжения, что приводит к локальному понижению барьера и росту тока через обратно смещенный барьер Шоттки. Эффективная подвижность тонкопленочного транзистора в области насыщения определяется пленкой и от высоты барьера не зависит.
- M. Matsumura. Y. Nara. J. Appl. Phys., 51 (12), 6443 (1980)
- R. Troutman, A. Kotwal. IEEE Trans. Electron. Dev., 36 (12), 2915 (1989)
- T.D. Moustakas, C.R. Wronski, T. Tiedje. Appl. Phys. Lett., 39 (9), 721 (1981)
- C.Y.-Hyang, S. Guha, S.J. Hudgens. Phys. Rev. B, 27 (12), 7460 (1983)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1
- W. Jackson, R. Nemanich, M. Thompson, B. Wacker. Phys. Rev. B, 33 (10), 6936 (1986)
- H. Matsuura, T. Okumo, H. Okushi, S. Yamasaki, A. Matsuda, N. Hata, H. Oheda, K. Tanaka. Jpn. J. Appl. Phys., 22 (3), L197 (1983)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
