"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Моделирование проводимости a-Si : H тонкопленочного транзистора с барьерами Шоттки
Вишняков А.В.1, Ефремов М.Д.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 11 сентября 2009 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2010 г.

Численным моделированием показано, что сток-истоковые контакты Шоттки существенно определяют проводимость тонкопленочного транзистора в надпороговой области. При высоте барьера больше 0.75 эВ проявляется эффект сгущения, причиной которого является увеличение электрического поля на краю истокового электрода при росте тянущего напряжения, что приводит к локальному понижению барьера и росту тока через обратно смещенный барьер Шоттки. Эффективная подвижность тонкопленочного транзистора в области насыщения определяется пленкой и от высоты барьера не зависит.
  1. M. Matsumura. Y. Nara. J. Appl. Phys., 51 (12), 6443 (1980)
  2. R. Troutman, A. Kotwal. IEEE Trans. Electron. Dev., 36 (12), 2915 (1989)
  3. T.D. Moustakas, C.R. Wronski, T. Tiedje. Appl. Phys. Lett., 39 (9), 721 (1981)
  4. C.Y.-Hyang, S. Guha, S.J. Hudgens. Phys. Rev. B, 27 (12), 7460 (1983)
  5. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1
  6. W. Jackson, R. Nemanich, M. Thompson, B. Wacker. Phys. Rev. B, 33 (10), 6936 (1986)
  7. H. Matsuura, T. Okumo, H. Okushi, S. Yamasaki, A. Matsuda, N. Hata, H. Oheda, K. Tanaka. Jpn. J. Appl. Phys., 22 (3), L197 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.