Кремниевые светодиодные структуры с краевой люминесценцией исследованы методом наведенного тока. Структуры были изготовлены методом ионной имплантации и отличались температурой заключительной стадии постимплантационного отжига (950 и 1000^oC). Увеличение температуры отжига сопровождается увеличением диффузионной длины неосновных носителей заряда в области светодиода, где и имеет место краевая люминесценция, от 1-2 до 25-35 мкм и уменьшением неоднородности распределения центров безызлучательной рекомбинации в этой области в латеральном направлении, параллельном плоскости p-n-перехода, что и приводит к наблюдавшемуся существенному росту интенсивности краевой люминесценции.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.