"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Пленки вырожденных собственных окислов полупроводниковых кристаллов InSe и In4Se3
Катеринчук В.Н.1, Ковалюк М.З.1
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 24 ноября 2009 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2010 г.

Представлены результаты исследования электрических свойств гетеропереходов окисел-p-InSe и окисел-p-In4Se3, в которых фронтальный слой получали путем термического окисления кристаллических подложек. Установлено, что прямые ветви вольт-амперных характеристик гетеропереходов имеют сходство с прямыми ветвями вольт-амперных характеристик диодов металл-полупроводник, в которых перенос тока осуществляется основными носителями. Поэтому электрические свойства гетеропереходов интерпретировались в предположении, что собственный окисел является вырожденным полупроводником. Для потверждения последнего предположения данные сопоставлялись с результатами исследования, проведенного на гетеропереходах ITO-GaTe, в которых пленка ITO была сформирована специально вырожденной.
  1. К. Чопра, С. Дас. Тонкопленочные солнечные элементы (М., Мир, 1986)
  2. В.Н. Катеринчук, М.З. Ковалюк. Письма ЖТФ, 18 (12), 70 (1992)
  3. В.А. Манассон, А.И. Малик, К.Д. Товстюк. ФТП, 18, 2121 (1984)
  4. Landolt-Bornstein. Numerical Data and Functional Relationship in Science and Technology. New Ser. Group III: Crystal and Solid State Physics, ed. by O. Madelung (Berlin, Springer, 1983) v. 17, p. 35, 47, 77
  5. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.