Катеринчук В.Н.1, Ковалюк М.З.1
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 24 ноября 2009 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2010 г.
Представлены результаты исследования электрических свойств гетеропереходов окисел-p-InSe и окисел-p-In4Se3, в которых фронтальный слой получали путем термического окисления кристаллических подложек. Установлено, что прямые ветви вольт-амперных характеристик гетеропереходов имеют сходство с прямыми ветвями вольт-амперных характеристик диодов металл-полупроводник, в которых перенос тока осуществляется основными носителями. Поэтому электрические свойства гетеропереходов интерпретировались в предположении, что собственный окисел является вырожденным полупроводником. Для потверждения последнего предположения данные сопоставлялись с результатами исследования, проведенного на гетеропереходах ITO-GaTe, в которых пленка ITO была сформирована специально вырожденной.
- К. Чопра, С. Дас. Тонкопленочные солнечные элементы (М., Мир, 1986)
- В.Н. Катеринчук, М.З. Ковалюк. Письма ЖТФ, 18 (12), 70 (1992)
- В.А. Манассон, А.И. Малик, К.Д. Товстюк. ФТП, 18, 2121 (1984)
- Landolt-Bornstein. Numerical Data and Functional Relationship in Science and Technology. New Ser. Group III: Crystal and Solid State Physics, ed. by O. Madelung (Berlin, Springer, 1983) v. 17, p. 35, 47, 77
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.