"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Анализ фазовых диаграмм системы CdS-CdSe-CdTe
Кузнецов В.А.1
1Саратовский государственный аграрный университет им. Н.И. Вавилова, Саратов, Россия
Поступила в редакцию: 28 декабря 2009 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2010 г.

На основе анализа энергетических диаграмм полупроводниковых соединений A IIBVI предложены методика определения глубины провисания запрещенной зоны и механизм этого эффекта, связанный с деформационным потенциалом, который может возникать в области существования смешанных сингоний твердых растворов. Подбирая состав двойной или тройной системы, за счет эффекта провисания зоны можно увеличить фоточувствительность в заданной области спектра
  1. А.Н. Георгобиани. УФН, 113 (1), 129 (1977)
  2. Н.И. Витряховский, И.Б. Мизецкая, Г.С. Олийнык. Неорг. матер., 8 (3), 757 (1971)
  3. Н.И. Витряховский, И.Б. Мизецкая. ФТТ, 1 (3), 397 (1959)
  4. Н.М. Берченко, В.Е. Кревс, В.Г. Средин. Полупроводниковые твердые растворы и их применение (М., Мин. обороны, 1982) с. 80
  5. Н.И. Витряховский, А.А. Кипень, О.В. Мыхаськин. ФТП, 6, 1193 (1975)
  6. В.А. Рабинович, З.Я. Хавин. Краткий химический справочник (Л., Химия, 1991)
  7. А.В. Симашкевич. Гетеропереходы на основе полупроводниковых соединений A2B6 (Кишинев, Штиинца, 1980)
  8. Л.Д. Буденная, И.Б. Мизецкая, В.Н. Малинко. Неорг. матер., 15, 770 (1979)
  9. К.В. Шалимова, В.А. Дмитиев. Кристаллография, 17 (3), 541 (1972)
  10. А.Г. Роках, В.А. Кузнецов, Л.П. Матасова. ЖТФ, 54 (1), 169 (1984)
  11. Л.П. Прыткина, В.В. Волков, А.Н. Менцер. ФТП, 4, 611 (1968)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.