Вышедшие номера
Исследование механизмов фото- и электролюминесценции в квантово-размерных гетероструктурах InSb/InAs
Терентьев Я.В.1, Мухин М.С.1, Соловьев В.А.1, Семенов А.Н.1, Мельцер Б.Я.1, Усикова А.А.1, Иванов С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 февраля 2010 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2010 г.

Проведено систематическое исследование фото- и электролюминесценции в гетероструктурах InSb/InAs со сверхтонкими вставками InSb, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Измерения выполнены в диапазоне температур от 2 до 300 K на большой выборке образцов различной конструкции и с различными способами выращивания как матрицы InAs, так и ультратонких вставок InSb. Главная цель работы заключалась в идентификации основных каналов излучательной рекомбинации в этих гетероструктурах. Показано, что оптические переходы, связанные с акцепторными примесными центрами в матрице InAs, являются важным механизмом, снижающим эффективность люминесценции вставок InSb при комнатной температуре. Полученные результаты имеют важное значение для выработки оптимальных режимов роста и дизайна активной области светоизлучающих приборов на основе квантово-размерных гетероструктур InSb/InAs, излучающих в диапазоне 3-5 мкм.