"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование механизмов фото- и электролюминесценции в квантово-размерных гетероструктурах InSb/InAs
Терентьев Я.В.1, Мухин М.С.1, Соловьев В.А.1, Семенов А.Н.1, Мельцер Б.Я.1, Усикова А.А.1, Иванов С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 февраля 2010 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2010 г.

Проведено систематическое исследование фото- и электролюминесценции в гетероструктурах InSb/InAs со сверхтонкими вставками InSb, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Измерения выполнены в диапазоне температур от 2 до 300 K на большой выборке образцов различной конструкции и с различными способами выращивания как матрицы InAs, так и ультратонких вставок InSb. Главная цель работы заключалась в идентификации основных каналов излучательной рекомбинации в этих гетероструктурах. Показано, что оптические переходы, связанные с акцепторными примесными центрами в матрице InAs, являются важным механизмом, снижающим эффективность люминесценции вставок InSb при комнатной температуре. Полученные результаты имеют важное значение для выработки оптимальных режимов роста и дизайна активной области светоизлучающих приборов на основе квантово-размерных гетероструктур InSb/InAs, излучающих в диапазоне 3-5 мкм.
  1. V.A. Solov'ev, O.G. Lyublinskaya, A.N. Semenov, B.Ya. Meltser, D.D. Solnyshkov, Ya.V. Terent'ev, L.A. Prokopova, A.A. Titov, S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev. Appl. Phys. Lett., 86, 011 109 (2005)
  2. S.V. Ivanov, A.N. Semenov, V.A. Solov'ev, O.G. Lyublinskaya, Ya.V. Terent'ev, B.Ya. Meltser, L.G. Prokopova, A.A. Sitnikova, A.A. Usikova, P.S. Kop'ev. J. Cryst. Growth, 278, 72 (2005)
  3. A. Krier, X.L. Huang, A. Hammiche. Appl. Phys. Lett., 77, 3791 (2000)
  4. К.Д. Моисеев, Я.А. Пархоменко, Е.В. Гущина, А.В. Анкудинов, М.П. Михайлова, Н.А. Берт, Ю.П. Яковлев. ФТП, 43, 1142 (2009)
  5. A.G. Norman, N.J. Mason, M.J. Fisher, J. Richardson, A. Krier, P.J. Walker, G.R. Booker. Inst. Phys. Conf. Ser. 137, 353 (1997)
  6. O.G. Lyublinskaya, V.A. Solov'ev, A.N. Semenov, B.Ya. Meltser, Ya.V. Terent'ev, L.A. Prokopova, A.A. Toropov, A.A. Sitnikova, O.V. Rykhova, S.V. Ivanov, K. Tonke, R. Sauer. J. Appl. Phys., 99, 093 517 (2006)
  7. Я.В. Терентьев, О.Г. Люблинская, А.А. Торопов, Б.Я. Мельцер, А.Н. Семенов, В.А. Соловьев, С.В. Иванов. ФТП, 43, 662 (2009)
  8. A.N. Semenov, O.G. Lyublinskaya, V.A. Solov'ev, B.Ya. Meltser, S.V. Ivanov. J. Cryst. Growth, 301--302, 58 (2007)
  9. Ф.П. Кесаманли, Т.С. Лагунова, Д.Н. Наследов, Л.А. Николаева, М.Н. Пивоваров. ФТП, 2, 56 (1968). S. Adachi. Physical properties of III-V semiconductor compounds: InP, InAs, GaAs, GaP, InGaAs and InGaAsP (Wiley--VCH, 1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.