Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование механизмов фото- и электролюминесценции в квантово-размерных гетероструктурах InSb/InAs
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 2 февраля 2010 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2010 г.
Проведено систематическое исследование фото- и электролюминесценции в гетероструктурах InSb/InAs со сверхтонкими вставками InSb, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Измерения выполнены в диапазоне температур от 2 до 300 K на большой выборке образцов различной конструкции и с различными способами выращивания как матрицы InAs, так и ультратонких вставок InSb. Главная цель работы заключалась в идентификации основных каналов излучательной рекомбинации в этих гетероструктурах. Показано, что оптические переходы, связанные с акцепторными примесными центрами в матрице InAs, являются важным механизмом, снижающим эффективность люминесценции вставок InSb при комнатной температуре. Полученные результаты имеют важное значение для выработки оптимальных режимов роста и дизайна активной области светоизлучающих приборов на основе квантово-размерных гетероструктур InSb/InAs, излучающих в диапазоне 3-5 мкм.
- V.A. Solov'ev, O.G. Lyublinskaya, A.N. Semenov, B.Ya. Meltser, D.D. Solnyshkov, Ya.V. Terent'ev, L.A. Prokopova, A.A. Titov, S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev. Appl. Phys. Lett., 86, 011 109 (2005)
- S.V. Ivanov, A.N. Semenov, V.A. Solov'ev, O.G. Lyublinskaya, Ya.V. Terent'ev, B.Ya. Meltser, L.G. Prokopova, A.A. Sitnikova, A.A. Usikova, P.S. Kop'ev. J. Cryst. Growth, 278, 72 (2005)
- A. Krier, X.L. Huang, A. Hammiche. Appl. Phys. Lett., 77, 3791 (2000)
- К.Д. Моисеев, Я.А. Пархоменко, Е.В. Гущина, А.В. Анкудинов, М.П. Михайлова, Н.А. Берт, Ю.П. Яковлев. ФТП, 43, 1142 (2009)
- A.G. Norman, N.J. Mason, M.J. Fisher, J. Richardson, A. Krier, P.J. Walker, G.R. Booker. Inst. Phys. Conf. Ser. 137, 353 (1997)
- O.G. Lyublinskaya, V.A. Solov'ev, A.N. Semenov, B.Ya. Meltser, Ya.V. Terent'ev, L.A. Prokopova, A.A. Toropov, A.A. Sitnikova, O.V. Rykhova, S.V. Ivanov, K. Tonke, R. Sauer. J. Appl. Phys., 99, 093 517 (2006)
- Я.В. Терентьев, О.Г. Люблинская, А.А. Торопов, Б.Я. Мельцер, А.Н. Семенов, В.А. Соловьев, С.В. Иванов. ФТП, 43, 662 (2009)
- A.N. Semenov, O.G. Lyublinskaya, V.A. Solov'ev, B.Ya. Meltser, S.V. Ivanov. J. Cryst. Growth, 301--302, 58 (2007)
- Ф.П. Кесаманли, Т.С. Лагунова, Д.Н. Наследов, Л.А. Николаева, М.Н. Пивоваров. ФТП, 2, 56 (1968). S. Adachi. Physical properties of III-V semiconductor compounds: InP, InAs, GaAs, GaP, InGaAs and InGaAsP (Wiley--VCH, 1992)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
