"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование процесса распада пересыщенного твердого раствора GaAs : Fe методом сканирующей зондовой микроскопии
Хлудков С.С.1, Прудаев И.А.1, Новиков В.А.2, Толбанов О.П.1, Ивонин И.В.2
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 30 декабря 2009 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2010 г.

С помощью атомно-силового микроскопа проведено исследование процесса распада пересыщенного твердого раствора арсенида галлия, легированного железом (GaAs : Fe). Образцы GaAs : Fe получали в процессе высокотемпературной диффузии Fe в GaAs и последующего отжига при температуре на 200oC ниже температуры легирования. Измерения проведены на поперечных сколах по плоскости спайности пластин GaAs : Fe. Показано, что в процессе отжига GaAs : Fe происходит распад пересыщенного твердого раствора с образованием частиц второй фазы размером от ~50 нм до ~1 мкм. Частицы второй фазы обладают ферромагнитными свойствами при комнатной температуре.
  • С.С. Хлудков. Вест. Томск. гос. ун-та. Сер. Физика, 285, 84 (2005)
  • I. Zutic, J. Fabian, S. Das Sarma. Rev. Mod. Phys., 76, 323 (2004)
  • Б.П. Попов, В.К. Соболевский, Е.Г. Апушкинский, В.П. Савельев. ФТП, 39 (5), 521 (2005)
  • S. Haneda, H. Munekata, Y. Takatani. J. Appl. Phys., 87, 6445 (2000)
  • Y.L. Soo, G. Kioseoglou, S. Huang, S. Kim, Y.H. Kao, Y. Takatani, S. Haneda, H. Munekata. Phys. Rev. B, 63, 195 209 (2001)
  • T. Shinshi, F. Kato, A. Shimokohbe. Appl. Phys. Lett., 83 (16), 3425 (2003)
  • И.А. Прудаев, С.С. Хлудков. Изв. вузов. Физика, 51 (11), 39 (2008)
  • Б.И. Болтакс, Г.С. Куликов, И.Н. Никулица, Ф.С. Шишияну. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 11 (2), 348 (1975)
  • В.И. Фистуль. Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов (М., Металлургия, 1977)
  • М.Г. Мильвидский, О.В. Пелевин, Б.А. Сахаров. Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений (М., Металлургия, 1974)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.