Транспорт электронов в квантовой яме In0.52Al0.48As/ In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As с delta-легированным Si барьером в сильных электрических полях
Васильевский И.С.1, Галиев Г.Б.1, Матвеев Ю.А.1, Климов Е.А.1, Пожела Ю.2,1, Пожела К.2, Сужеделис А.2, Пашкевич Ч.2, Юцене В.2
1Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 14 декабря 2009 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2010 г.
Исследована электронная проводимость двумерного канала квантовой ямы In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As с delta-легированным Si барьером. Показано, что введение в квантовую яму тонких барьеров InAs снижает скорость рассеяния электронов на захваченных полярных оптических и поверхностных (интерфейсных) фононах и повышает подвижность электронов. Экспериментально установлено, что за насыщение тока проводимости в канале In0.53Ga0.47As в сильных электрических полях ответственны не только сублинейная зависимость дрейфовой скорости электронов от электрического поля, но и изменение концентрации электронов ns с ростом приложенного к каналу напряжения. Эффект зависимости ns от приложенного к каналу напряжения обусловлен наличием параллельного квантовой яме In0.53Ga0.47As слоя зарядов ионизованных доноров в области delta-легированного Si барьера In0.52Al0.48As.
- W.J. Stillman, M.S. Shur. J. Nanoelectron. Optoelectron., 2, 209 (2007)
- N. Dyakonova, A. E1 Fatimy, J. Lusakowski, W. Knap. Appl. Phys. Lett., 88, 141 906 (2006)
- W.P. Hong, P.K. Bhattacharya. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-34, 1491 (1987)
- K.S. Yoon, G.B. Stringfellow, R.J. Huber. J. Appl. Phys., 63, 1126 (1988)
- D. Xu, H.G. Heib, S.A. Kraus, M. Sexl, G. Bohm, G. Trankle, G. Weimann, G. Abstreiter. IEEE Trans. Electron. Dev., 45, 21 (1998)
- T. Akazaki, K. Arai, T. Enoki, Y. Ishii. IEEE Electron. Dev. Lett., 13, 325 (1992)
- T. Sadi, R. Kelsall, N. Pilgrim. IEEE Trans. Electron. Dev., 53, 1768 (2006)
- V.A. Kulbachinskii, I.S. Vasil'evskii, R.A. Lunin, G. Galistu, A. de Visser, G.B. Galiev, S.S. Shirokov, V.G. Mokerov. Semicond. Sci. Technol., 22, 222 (2007)
- Г.Б. Галиев, И.С. Васильевский, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров, А.А. Черечукин. ФТП, 40, 1479 (2006)
- И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров, С.С. Широков, Р.М. Имамов, И.А. Субботин. ФТП, 42, 1102 (2008)
- I.S. Vasil'evskii, G.B. Galiev, V.G. Mokerov, V.A. Kulbachinskii, R.A. Lunin, G. Galistu, A. de Visser. Proc. 15th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (Novosibirsk, 2007) p. 321
- В.Г. Мокеров, И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Ю. Пожела, К. Пожела, А. Сужеделис, В. Юцене, Ч. Пашкевич. ФТП, 43, 478 (2009)
- Ю.К. Пожела, В.Г. Мокеров. ФТП, 40, 362 (2006)
- М.Л. Орлов, Л.К. Орлов. ФТП, 43, 679 (2009)
- Ю. Пожела, К. Пожела, В. Юцене, А. Сужеделис, А.С. Школьник, С.С. Михрин, В.С. Михрин. ФТП, 43, 1634 (2009)
- J. Pov zela, K. Pov zela, A. Shkolnik, A. Suv ziedelis, V. Juciene, S. Mikhrin, V. Mikhrin. Phys. Status Solidi C, 6, 2713 (2009)
- W. Knap, J. Lusakowski, T. Parenty, S. Bollaert, A. Cappy, V.V. Popov, M.S. Shur. Appl. Phys. Lett., 84, 2331 (2004)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
