Вышедшие номера
Исследования оптических и структурных свойств короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN для активной области светоизлучающих диодов
Крыжановская Н.В.1,2,3, Лундин В.В.1,2, Николаев А.Е.1,2, Цацульников А.Ф.1,2, Сахаров А.В.1,2, Павлов М.М.2, Черкашин Н.А.4, Hytch M.J.4, Вальковский Г.А.1, Яговкина М.А.1, Усов С.О.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Center for Material Elaboration & Structural Studies of the National Center for Scientific Research, Toulouse, France
Поступила в редакцию: 17 ноября 2009 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2010 г.

Представлены результаты исследований структурных и оптических свойств короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN, синтезированных методом МОС-гидридной эпитаксии на сапфировых подложках. Для формирования сверхрешеток использовался метод периодического прерывания роста слоя InGaN с подачей водорода в реактор. Показано, что при использовании предложенного метода происходит формирование периодической структуры InGaN/GaN с развитыми интерфейсами и областями смыкания соседних слоев InGaN, не коррелированными в вертикальном направлении. Формирование таких областей приводит к сильной зависимости формы спектров излучения сверхрешеток от числа периодов в диапазоне 400-470 нм.