"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследования оптических и структурных свойств короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN для активной области светоизлучающих диодов
Крыжановская Н.В.1,2,3, Лундин В.В.1,2, Николаев А.Е.1,2, Цацульников А.Ф.1,2, Сахаров А.В.1,2, Павлов М.М.2, Черкашин Н.А.4, Hytch M.J.4, Вальковский Г.А.1, Яговкина М.А.1, Усов С.О.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Center for Material Elaboration & Structural Studies of the National Center for Scientific Research, Toulouse, France
Поступила в редакцию: 17 ноября 2009 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2010 г.

Представлены результаты исследований структурных и оптических свойств короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN, синтезированных методом МОС-гидридной эпитаксии на сапфировых подложках. Для формирования сверхрешеток использовался метод периодического прерывания роста слоя InGaN с подачей водорода в реактор. Показано, что при использовании предложенного метода происходит формирование периодической структуры InGaN/GaN с развитыми интерфейсами и областями смыкания соседних слоев InGaN, не коррелированными в вертикальном направлении. Формирование таких областей приводит к сильной зависимости формы спектров излучения сверхрешеток от числа периодов в диапазоне 400-470 нм.
  1. J. Wu. J. Appl. Phys., 106, 011 101 (2009)
  2. Ф. Шуберт. Светодиоды, пер. с англ. под ред. А.Э. Юновича. 2-е изд. (М., Физматлит, 2008).
  3. Sh. Li, Q. Wu, G. Fan, T. Zhou, Y. Zhang, Y. Yian, M.He, J. Cao, J. Su. Semicond. Sci. Technol., 24, 085 016 (2009)
  4. C.H. Liu, Y.K. Su, L.W. Wu, S.J. Chang, R.W. Chuang. Semicond. Sci. Technol., 18, 545 (2003)
  5. W.V. Lundin, E.E. Zavarin, M.A. Sinitsyn, A.E. Nikolaev, A.V. Sakharov, A.F. Tsatsulnikov, E.V. Yakovlev, R.A. Talalaev, A.V. Lobanova, A.S. Segal. Extended abstracts 13th Europ. Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy, Ulm, Germany, 7-10 June 2009
  6. А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, С.О. Усов, А.Е. Николаев, Н.А. Черкашин, Б.Я. Бер, Д.Ю. Казанцев, М.Н. Мизеров, Hee Seok Park, M. Hytch, F. Hue. ФТП, 44, 96 (2010)
  7. Д.К. Боуэн, Б.К. Таннер. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография (СПб., Наука, 2002)
  8. Yu.G. Musikhin, D. Gerthsen, D.A. Bedarev, N.A. Bert, W. . Lundin, A.F. Tsatsul'nikov, A.V. Sakharov, A.S. Usikov, Zh. . Alferov, I.L. Krestnikov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 80, 2099 (2002)
  9. M.A. Reshchikov, H. Morkoc. Physica B, 376- 377, 428 (2006)
  10. L. Macht, J.L. Weyher, A. Grzegorczyk, P.K. Larsen. Phys. Rev. B, 71, 073 309 (2005).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.