"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование эпитаксиально-интегрированных туннельно-связанных полупроводниковых лазеров, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии
Винокуров Д.А.1, Коняев В.П.2, Ладугин М.А.2, Лютецкий А.В.1, Мармалюк А.А.2, Падалица А.А.2, Петрунов А.Н.1, Пихтин Н.А.1, Симаков В.А.2, Слипченко С.О.1, Сухарев А.В.2, Фетисова Н.В.1, Шамахов В.В.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ФГУП НИИ Полюс им. М.Ф. Стельмаха, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 30 июля 2009 г.
Выставление онлайн: 20 января 2010 г.

Выбраны параметры конструкции эпитаксиально-интегрированных туннельно-связанных асимметричных лазерных гетероструктур раздельного ограничения. Определены технологические режимы изготовления таких гетероструктур методом МОС-гидридной эпитаксии в системе твердых растворов AlGaAs/GaAs/InGaAs. Показана возможность изготовления в одном технологическом процессе высокоэффективных туннельных структур GaAs:Si/GaAs:C и асимметричных лазерных гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs с малыми внутренними оптическими потерями. Выбраны условия формирования глубокой мезы для изготовления мезаполосковых многомодовых лазеров на основе эпитаксиально-интегрированных туннельно-связанных лазерных гетероструктур. На основе таких структур изготовлены мезаполосковые лазеры с апертурой 150x12 мкм. В образцах достигнуты значения плотности порогового тока Jth=96 А/см2, внутренние оптические потери alphai=0.82 см-1 и дифференциальное сопротивление R=280 мОм. В импульсном режиме генерации (100 нс, 1 кГц) в образцах, содержащих три лазерные структуры, получен наклон ватт-амперной характеристики 3 Вт/А и максимальная мощность 250 Вт.
  1. Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, М.А. Хомылёв, К.С. Борщёв, И.Н. Арсентьев, И.С. Тарасов. ФТП, 41 (8), 1003 (2007)
  2. Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, А.В. Рожков, Н.А. Рудова, С.О. Слипченко, А.Л. Станкевич, Н.В. Фетисова, М.А. Хомылёв, В.В. Шамахов, К.С. Борщёв, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 32 (16), 47 (2006)
  3. Д.А. Винокуров, М.А. Ладугин, А.А. Мармалюк, А.А. Падалица, Н.А. Пихтин, В.А. Симаков, А.В. Сухарев, Н.В. Фетисова, В.В. Шамахов, И.С. Тарасов. ФТП, 43 (9), 1253 (2009)
  4. J.P. van der Ziel, W.T. Tsang. Appl. Phys. Lett., 41 (6), 499 (1982)
  5. J.Ch. Garcia, E. Rosencher, Ph. Collot, N. Laurent, J.L. Guyaux, B. Vunter, J. Nagle. Appl. Phys. Lett., 71 (26), 3752 (1997)
  6. S.G. Patterson, G.S. Petrich, R.J. Ram, L.A. Kolodziejski. Electron. Lett., 35, 395 (1999)
  7. C. Hanke, L. Korte, B.D. Acklin, M. Behringer, G. Herrmann, J. Luft, B. De Odorico, M. Marchiano, J. Wilhelmi. Proc. SPIE, 3947, 50 (2000)
  8. М.В. Зверков, В.П. Коняев, В.В. Крический, М.А. Ладугин, А.А. Мармалюк, А.А. Падалица, В.А. Симаков, А.В. Сухарев. Квант. электрон., 38 (11), 989 (2008)
  9. С.О. Слипченко, Д.А. Винокуров, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 38 (12), 1477 (2004)
  10. Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. ФТП, 38 (3), 347 (2004)
  11. Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, В.В. Шамахов, В.А. Капитонов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, Н.А. Рудова, З.Н. Соколова, С.О. Слипченко, М.А. Хомылёв, И.С. Тарасов. ФТП, 40 (6), 764 (2006)
  12. А.Ю. Андреев, С.А. Зорина, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, А.А. Мармалюк, А.В. Мурашова, Т.А. Нелёт, А.А. Падалица, Н.А. Пихтин, Д.Р. Сабитов, В.А. Симаков, С.О. Слипченко, К.Ю. Телегин, В.В. Шамахов, И.С. Тарасов. ФТП, 43 (4), 543 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.