Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование эпитаксиально-интегрированных туннельно-связанных полупроводниковых лазеров, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
2"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 30 июля 2009 г.
Выставление онлайн: 20 января 2010 г.
Выбраны параметры конструкции эпитаксиально-интегрированных туннельно-связанных асимметричных лазерных гетероструктур раздельного ограничения. Определены технологические режимы изготовления таких гетероструктур методом МОС-гидридной эпитаксии в системе твердых растворов AlGaAs/GaAs/InGaAs. Показана возможность изготовления в одном технологическом процессе высокоэффективных туннельных структур GaAs:Si/GaAs:C и асимметричных лазерных гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs с малыми внутренними оптическими потерями. Выбраны условия формирования глубокой мезы для изготовления мезаполосковых многомодовых лазеров на основе эпитаксиально-интегрированных туннельно-связанных лазерных гетероструктур. На основе таких структур изготовлены мезаполосковые лазеры с апертурой 150x12 мкм. В образцах достигнуты значения плотности порогового тока Jth=96 А/см2, внутренние оптические потери alphai=0.82 см-1 и дифференциальное сопротивление R=280 мОм. В импульсном режиме генерации (100 нс, 1 кГц) в образцах, содержащих три лазерные структуры, получен наклон ватт-амперной характеристики 3 Вт/А и максимальная мощность 250 Вт.
- Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, М.А. Хомылёв, К.С. Борщёв, И.Н. Арсентьев, И.С. Тарасов. ФТП, 41 (8), 1003 (2007)
- Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, А.В. Рожков, Н.А. Рудова, С.О. Слипченко, А.Л. Станкевич, Н.В. Фетисова, М.А. Хомылёв, В.В. Шамахов, К.С. Борщёв, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 32 (16), 47 (2006)
- Д.А. Винокуров, М.А. Ладугин, А.А. Мармалюк, А.А. Падалица, Н.А. Пихтин, В.А. Симаков, А.В. Сухарев, Н.В. Фетисова, В.В. Шамахов, И.С. Тарасов. ФТП, 43 (9), 1253 (2009)
- J.P. van der Ziel, W.T. Tsang. Appl. Phys. Lett., 41 (6), 499 (1982)
- J.Ch. Garcia, E. Rosencher, Ph. Collot, N. Laurent, J.L. Guyaux, B. Vunter, J. Nagle. Appl. Phys. Lett., 71 (26), 3752 (1997)
- S.G. Patterson, G.S. Petrich, R.J. Ram, L.A. Kolodziejski. Electron. Lett., 35, 395 (1999)
- C. Hanke, L. Korte, B.D. Acklin, M. Behringer, G. Herrmann, J. Luft, B. De Odorico, M. Marchiano, J. Wilhelmi. Proc. SPIE, 3947, 50 (2000)
- М.В. Зверков, В.П. Коняев, В.В. Крический, М.А. Ладугин, А.А. Мармалюк, А.А. Падалица, В.А. Симаков, А.В. Сухарев. Квант. электрон., 38 (11), 989 (2008)
- С.О. Слипченко, Д.А. Винокуров, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 38 (12), 1477 (2004)
- Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. ФТП, 38 (3), 347 (2004)
- Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, В.В. Шамахов, В.А. Капитонов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, Н.А. Рудова, З.Н. Соколова, С.О. Слипченко, М.А. Хомылёв, И.С. Тарасов. ФТП, 40 (6), 764 (2006)
- А.Ю. Андреев, С.А. Зорина, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, А.А. Мармалюк, А.В. Мурашова, Т.А. Нелёт, А.А. Падалица, Н.А. Пихтин, Д.Р. Сабитов, В.А. Симаков, С.О. Слипченко, К.Ю. Телегин, В.В. Шамахов, И.С. Тарасов. ФТП, 43 (4), 543 (2009)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
