Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Инжекция спина в гетероструктурах с квантовыми ямами GaAs/GaSb

Терентьев Я.В.¹, Торопов А.А.¹, Мельцер Б.Я.¹, Семенов А.Н.¹, Соловьев В.А.¹, Седова И.В.¹, Усикова А.А.¹, Иванов С.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 11 июня 2009 г.

Выставление онлайн: 20 января 2010 г.

PDF версия

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии выращены гетероструктуры с квантовыми точками типа II GaAs/GaSb. Исследована циркулярно-поляризованная фотолюминесценция образцов в магнитном поле до 4.7 Тл, приложенном в геометрии Фарадея. Обнаружено, что в магнитном поле излучение квантовых точек имеет sigma^--поляризацию, соответствующую проекции спина электрона на вектор магнитного поля +1/2. При увеличении интенсивности возбуждения степень поляризации излучения растет. Обнаруженный эффект объясняется инжекцией спина из матрицы GaSb, в которой спиновая ориентация возникает благодаря зеемановскому расщеплению зоны проводимости. Рост степени поляризации связан с уменьшенем радиационного времени жизни носителей в квантовых точках типа II при увеличении уровня возбуждения.

Я.В. Терентьев, О.Г. Люблинская, А.А. Торопов, В.А. Соловьев, С.В. Сорокин, А.А. Усикова, С.В. Иванов. ФТП, 41, 590 (2007)
Я.В. Терентьев, О.Г. Люблинская, А.А. Усикова, А.А. Торопов, В.А. Соловьев, С.В. Иванов. ФТП, 41, 1309 (2007)
Я.В. Терентьев, О.Г. Люблинская, А.А. Торопов, Б.Я. Мельцер, А.Н. Семенов, В.А. Соловьев, С.В. Иванов. ФТП, 43, 662 (2009)
A.A. Toropov, O.G. Lyublinskaya, B.Ya. Meltser, V.A. Solov'ev, A.A. Sitnikova, M.O. Nestoklon, O.V. Rykhova, S.V. Ivanov, K. Thonke, R. Sauer. Phys. Rev. B, 70, 205 314 (2004)
C.G. Van de Walle. Phys. Rev. B, 39, 1871 (1989)
Y. Yafet, R.W. Keyes, E.N. Adams. J. Phys. Chem. Sol., 1, 137 (1956)
F. Hatami, M. Grundmann, N.N. Ledentsov, F. Heinrichsdorff, R. Heitz, J. Bohrer, D. Bimberg, S.S. Ruvimov, P. Werner, V.M. Ustinov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Phys. Rev. B, 58, 10 064 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель