"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрические свойства гибридных структур (ферромагнитный металл)--(слоистый полупроводник) Ni/p-GaSe
Бахтинов А.П.1, Водопьянов В.Н.1, Ковалюк З.Д.1, Нетяга В.В.1, Литвин О.С.2
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 30 июня 2009 г.
Выставление онлайн: 20 января 2010 г.

После выращивания слоев Ni на поверхности (0001) p-GaSe сформированы двухбарьерные структуры Ni/n-Ga2Se3/p-GaSe с наноразмерными включениями сплавов Ni, которые образовались в результате протекания реакций на границе раздела "металл--слоистый полупроводник". В температурном диапазоне 220--350 K изучены вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики гибридных структур. Исследована зависимость импедансных спектров от напряжения смещения структур при различных температурах. Частотные зависимости импеданса при высоких частотах (f>106 Гц) обсуждаются с точки зрения явлений спиновой инжекции и экстракции в структурах с ультратонким спин-селективным барьером Ni/n-Ga2Se3 и эффектов спиновой диффузии и релаксации в полупроводниковой подложке. При комнатной температуре обнаружены явления кулоновской блокады и отрицательной дифференциальной емкости. Эти явления объясняются на основе анализа транспортных процессов в узкой области вблизи границы раздела "ферромагнитный металл--полупроводник", где расположены наноразмерные включения.
  1. А. Ферт. Успехи физ. наук, 178, 1336 (2008)
  2. I. Zutic, J. Fabian, S. Das Sarma. Rev. Mod. Phys., 76, 323 (2004)
  3. A.M. Bratkovsky. Rep. Progr. Phys., 71, 026 502 (2008)
  4. T. Dietl. J. Appl. Phys., 103, 07D111 (2008)
  5. Р.И. Джигоев, Б.П. Захарченя, К.В. Кавокин, М.В. Лазарев. ФТТ, 45, 2153 (2003)
  6. V.F. Motsnyi, J. De Boeck, J. Das, W. Van Roy, G. Borghs, E. Goovaerts, V.I. Safarov. Appl. Phys. Lett., 81, 265 (2002)
  7. A.T. Hanbicki, B.T. Jonker, G. Itskos, G. Kioseoglou, A. Petrou. Appl. Phys. Lett., 80, 1240 (2002)
  8. X. Lou, C. Adelmann, M. Furis, S.A. Crooker, C.J. Palmstrom, P.A. Crowell, Phys. Rev. Lett., 96, 176 603 (2006)
  9. E.I. Rashba. Appl. Phys. Lett., 80, 2329 (2002)
  10. A. Koma. Thin Sol. Films, 216, 72 (1992)
  11. W. Jaegermann, C. Pettenkofer, B.A. Parkinson. Phys. Rev. B, 42, 7487 (1990)
  12. В.Л. Бакуменко, З.Д. Ковалюк, Л.Н. Курбатов, В.Г. Тагаев. В.Ф. Чишко. ФТП, 14, 1115 (1980)
  13. S. Shigetomi, T. Ikari, H. Nakashima. J. Appl. Phys., 76, 310 (1994)
  14. J. Martinez-Pastor, A. Segura, J.L. Valdes, A. Chevy. J. Appl. Phys., 62, 1477 (1987)
  15. R. Mamy, X. Zaoni, J. Barrau, A. Chevy. Rev. Phys. Appl., 25, 947 (1990)
  16. W.C. Huang, S.H. Su, Y.K. Hsu, C.C. Wang, C.S. Chang. Superlat. Microstruct., 40, 644 (2006)
  17. Y. Cui, R. Dupere, A. Burger, D. Johnstone, K.C. Mandal, S.A. Payne. J. Appl. Phys., 103, 013 710 (2008)
  18. S. Duman, B. Gurbulak, S. Dogan, A. Turut. Microelectron. Eng., 86, 106 (2009)
  19. N. Jedrecy, R. Pinchaux, M. Eddrief. Phys. Rev. B, 56, 9583 (1997)
  20. Z.R. Dai, F.S. Ohuchi. Appl. Phys. Lett., 73, 966 (1998)
  21. M. Eddrief, Y. Wang, V.H. Etgens, D.H. Mosca, J.-L. Maurice, J.M. Jeorge, A. Fert, S. Bourgognon. Phys. Rev. B, 63, 094 428 (2001)
  22. A.R. de Moraes, D.H. Mosca, N. Mattoso, J.L. Guimaraes, J.J. Klein, W.H. Schreiner, P.E.N. de Sousa, A.J.A. de Oliveira, M.A.Z. de Vasconcellos, D. Demaille, M. Eddrief, V.H. Etgens. J. Phys.: Condens. Matter, 18, 1165 (2006)
  23. V.V. Slynko, A.G. Khandozhko, Z.D. Kovalyuk, V.E. Slynko, A.V. Zaslonkin, M. Arciszewska, W. Dobrowolski. Phys. Rev. B, 71, 245 301 (2005)
  24. Н.Т. Покладок, И.И. Григорчак, Б.А. Лукианец, Д.И. Попович. ФТТ, 49, 681 (2007)
  25. И.И. Григорчак, А.И. Пелехович, Н.В. Волынская. ФТП, 42, 385 (2008)
  26. С.И. Драпак, В.И. Гаврилюк, З.Д. Ковалюк, О.С. Литвин. ФТП, 42, 423 (2008)
  27. G.J. Hughes, A. McKinley, R.H. Williams, I.T. McGovern. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 15, L159 (1982)
  28. S.I. Drapak, A.P. Bakhtinov, S.V. Gavrylyuk, Z.D. Kovalyuk, O.S. Lytvyn. Superlat. Microstruct., 44, 563 (2008)
  29. А.П. Бахтинов, В.Н. Водопьянов, Е.И. Слынько, З.Д. Ковалюк. Письма ЖТФ, 33 (2), 80 (2007)
  30. H.S. Venugopalan, S.E. Mohney, B.P. Luther, S.D.W. Wolter, J.M. Redwing. J. Appl. Phys., 82, 650 (1997)
  31. P. Nielsen, J.J. Ritsko. J. Appl. Phys., 49, 632 (1978)
  32. А.И. Балицкий, А.С. Крочук, И.М. Стахира, А.В. Франив. ФТТ, 24, 76 (1982)
  33. V. Vasyltsiv, V. Kutsai, V. Savchyn, Ya. Eiyala. Ukr. Phys. J., 44, 1380 (1999)
  34. В.М. Кошкин. Некоторые вопросы химии и физики полупроводников сложного состава (Ужгород, 1970) с. 26
  35. M. Peressi, A. Baldereschi. J. Appl. Phys., 83, 3092 (1998)
  36. V. Chican, D.F. Kelley. Nano Lett., 2, 141 (2002)
  37. D.A. Schmidt, T. Ohta, C.Y. Lu, A.A. Bostwick, Q. Yu, E. Rotenberger, F.S. Ohuchi, M.A. Olmstead. Appl. Phys. Lett., 88, 181 903 (2006)
  38. A. Tsormpatzoglou, D.H. Tassis, C.A. Dimitriadis, L. Dozsa, N.G. Galkin, D.L. Goroshko, V.O. Polyarnyi, E.A. Chusovitin. J. Appl. Phys., 100, 074 313 (2006)
  39. R.T. Tung. Phys. Rev. B, 45, 13509 (1992)
  40. С.И. Драпак, В.Б. Орлецкий, З.Д. Ковалюк, В.В. Нетяга. ФТП, 37, 196 (2003)
  41. M. Di Giulio, G. Micocci, A. Tepore. Sol. St. Electron., 27, 1015 (1984)
  42. П.Н. Брунков, А.А. Суворова, Н.А. Берт, А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, В.М. Устинов, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, П.С. Копьев, С.Г. Конников, Л. Ивс, П.С. Майн. ФТП, 32, 1229 (1998)
  43. S.D. Lin, V.V. Ilchenko, V.V. Marin, N.V. Shkil, A.A. Buyanin, K.Y. Panarin, O.V. Tretyak. Appl. Phys. Lett., 90, 263 114 (2007)
  44. A.K. Jonscher, C. Pickup, S.H. Zaidi. Semicond. Sci. Technol., 1, 71 (1986)
  45. M. Matsumura, Y. Hirose. Appl. Surf. Sci., 175--176, 740 (2001)
  46. J.D. Albrecht, D.L. Smith. Phys. Rev. B, 68, 035 340 (2003)
  47. V.V. Osipov, A.M. Bratkovsky. Appl. Phys. Lett., 84, 2118 (2004)
  48. A.M. Bratkovsky, V.V. Osipov. J. Appl. Phys., 96, 4525 (2004)
  49. Yu.V. Pershin, M. Di Ventra. Phys. Rev. B, 77, 073 301 (2008)
  50. A.G. Petukhov, J. Niggemann, V.N. Smelyanskiy, V.V. Osipov. J. Phys.: Condens. Matter, 19, 315 205 (2007)
  51. M. Ershov, H.C. Liu, L. Li, M. Buchanan, Z.R. Wasilewski, A.K. Jonscher. IEEE Trans. Electron. Dev., 45, 2196 (1998)
  52. J. Werner, A.F.J. Levi, R.T. Tung, M. Anzlowar, M. Pinto. Phys. Rev. Lett., 60, 53 (1988)
  53. W. Huang, J. Peng, L. Wang, J. Wang, Y. Cao. Appl. Phys. Lett., 92, 013 308 (2008)
  54. A.J. Chiquito, Yu.A. Pusep, S. Mergulhao, J.S. Galzerani, N.T. Moshegov, D.L. Miller. J. Appl. Phys., 88, 1987 (2000)
  55. Y.Y. Proskuryakov, K. Durose, B.M. Taele, S. Oelting. J. Appl. Phys., 102, 024 504 (2007)
  56. W. Rudzinski, J. Barnas. Phys. Rev. B, 64, 085 318 (2001)
  57. P.W. Li, W.M. Liao, D.M.T. Kuo, S.W. Lin, P.S. Chen, S.C. Lu, M.J. Tsai. Appl. Phys. Lett., 85, 1532 (2004)
  58. I. Weymann, J. Barnas. Phys. Rev. B, 77, 075 305 (2008)
  59. J.C.A. Huang, H.S. Hsu. Appl. Phys. Lett., 87, 132 503 (2005).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.