"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Аномальное рассеяние электронов в облученных протонами кристаллах n-Si
Пагава Т.А.1, Майсурадзе Н.И.1
1Грузинский технический университет, Республиканский центр структурных исследований (РЦСИ), Тбилиси, Грузия
Поступила в редакцию: 29 марта 2009 г.
Выставление онлайн: 20 января 2010 г.

Цель работы состоит в изучении влияния облучения протонами с энергией 25 МэВ на холловскую подвижность электронов в кристаллах n-Si. Облученные кристаллы с исходной концентрацией электронов 6·1013 см-3 исследовались методом Холла в интервале температур 77-300 K. Проведенные исследования показали, что в кристаллах, облученных протонами дозой Phi=8.1·1012 см-2, эффективное значение подвижности электронов проводимости mueff резко увеличивается. Это является прямым доказательством того, что в кристаллах n-Si в этих условиях преимущественно образуются относительно высокопроводящие включения с омическим переходом на границах раздела с матрицей полупроводника. Такими включениями могут быть скопления межузельных атомов или их ассоциатов.
  1. И. Броудай, Дж. Мерей. Физические основы микротехнологии, пер. с англ. под ред. А.В. Шальнова (М., Мир, 1985)
  2. В.С. Вавилов, Б.Н. Горин, Н.С. Данилин. Радиационные методы в твердотельной электронике (М., Радио и связь, 1990)
  3. В.В. Козловский, В.А. Козлов, В.Н. Ломасов. ФТП, 34, 129 (2000)
  4. В.А. Козлов, В.В. Козловский. ФТП, 35, 769 (2001)
  5. В.И. Кузнецов, П.Ф. Лугаков. ФТП, 13, 625 (1979)
  6. В.И. Кузнецов, П.Ф. Лугаков. ФТП, 14, 1924 (1980)
  7. Р.Ф. Коноплева, В.Л. Литвинов, Н.А. Ухин. Особенности радиационного повреждения полупроводников частицами высоких энергий (М., Атомиздат, 1971)
  8. Е.В. Кучис. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования (М., Радио и связь. 1990)
  9. И.В. Антонова, С.С. Шаймеев, С.А. Смагулова. ФТП, 40, 557 (2006)
  10. Р.Ф. Коноплева, В.И. Остроумов. Взаимодействие заряженных частиц высоких энергий с кремнием (М., Атомиздат, 1975)
  11. А.Л. Асеев, Л.И. Федина, Д. Хеэль, Х. Барч. Скопления междоузельных атомов в кремнии и германии (Новосибирск, Наука, 1991)
  12. Н.А. Ухин. ФТП, 6, 831 (1972)
  13. Физические процессы в облученных полупроводниках, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1977)
  14. Л.С. Милевский, Т.М. Ткачева, Т.А. Пагава. ЖЭТФ, 69, 2132 (1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.