"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Выращивание монокристаллов (In2S3)x(FeIn2S4)1-x и свойства фоточувствительных структур на их основе
Боднарь И.В.1, Рудь В.Ю.2, Рудь Ю.В.3, Теруков Е.И.3
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 апреля 2009 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2009 г.

Установлена полная взаимная растворимость в системе (In2S3)x(FeIn2S4)1-x. Развита технология и впервые выращены монокристаллы непрерывного ряда твердых растворов (In2S3)x(FeIn2S4)1-x. Получена линейная зависимость параметра элементарной ячейки монокристаллов с кубической решеткой шпинели от состава твердых растворов. Созданы первые фоточувствительные барьеры Шоттки и на основании исследований их фоточувствительности обсуждается характер межзонных переходов и оценены значения ширины запрещенной зоны в зависимости от атомного состава. Обнаружена возможность использования полученных твердых растворов в качестве широкополосных фотопреобразователей оптического излучения.
  1. Н.А. Горюнова. Сложные алмазоподобные полупроводники (М., Сов. радио, 1968)
  2. Р.Н. Бекимбетов, Ю.В. Рудь, М.А. Таиров. ФТП, 21, 1051 (1987)
  3. Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев. ФТП 38, 164 (2004)
  4. H.D. Lutz, M. Feher. Spectrochim. Acta, 27A, 357 (1971)
  5. V. Sagredo, M.C. Moron, L. Betancourt, G.E. Delgado. J. Magnetism. Mat., 312, 294 (2007)
  6. А.В. Ведяев. УФН, 172, 1458 (2002)
  7. S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N.Y., Willey Interscience Publ. 1981)
  8. J.S. Blakemore. Semiconductor Statistic (Pergamon Press, N.Y., 1962)
  9. Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.