"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Структуры GaAs с квантовыми точками InAs и As, полученные в едином процессе молекулярно-лучевой эпитаксии
Неведомский В.Н.1, Берт Н.А.1, Чалдышев В.В.1, Преображенский В.В.2, Путято М.А.2, Семягин Б.Р.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 30 декабря 2008 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2009 г.

Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены эпитаксиальные слои GaAs, содержащие полупроводниковые квантовые точки InAs, сформированные по механизму Странского-Крастанова, и металлические квантовые точки As, сформированные путем самоорганизации в слое GaAs, выращенном при низкой температуре и содержащем большой избыток мышьяка. Методом просвечивающей электронной микроскопии проведены исследования микроструктуры полученных образцов. Установлено, что металлические квантовые точки As, формирующиеся в непосредственной близости от полупроводниковых квантовых точек InAs, имеют большие размеры, чем находящиеся на удалении. Это явление, по-видимому, есть результат воздействия деформационных полей квантовых точек InAs на процессы самоорганизации квантовых точек As. Другим явлением, вероятно, связанным с локальными деформациями вокруг квантовых точек InAs, оказывается формирование V-образных дефектов (дефектов упаковки) при заращивании квантовых точек InAs слоем арсенида галлия при низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии. Такие дефекты оказывают сильное воздействие на процессы самоорганизации квантовых точек As. В частности, при высокотемпературном отжиге, необходимом для формирования крупных квантовых точек As путем коалесценции (оствальдовского созревания), наличие V-образных дефектов приводит к растворению квантовых точек As в их окрестности. При этом избыточный мышьяк, скорее всего, диффундирует на открытую поверхность образца за счет каналов ускоренной диффузии по плоскостям дефектов упаковки. PACS: 68.55.Ac, 68.55.Jk, 68.55.Nq, 68.65.Hb, 81.07.Ta, 81.15.Hi
  1. N.N. Ledentsov. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 8. 1015 (2002)
  2. Self-Assembled Quantum Dots, ed. by Z.M. Wang (Springer, Berlin, 2008)
  3. S.A. Maier, H.A. Atwater. J. Appl. Phys., 98, 011 101 (2005)
  4. M.W. Klein, T. Tritschler, M. Wegener, S. Linden. Phys. Rev. B, 72, 115 113 (2005)
  5. В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 36, 897 (2002)
  6. Л.Г. Лаврентьева, М.Д. Вилисова, В.В. Преображенский, В.В. Чалдышев. В кн.: Нанотехнологии в полупроводниковой электронике, под ред. А.Л. Асеева (Изд. СО РАН, Новосибирск, 2004)
  7. Н.А. Берт, А.И. Вейнгер, М.Д. Вилисова, С.И. Голощапов, И.В. Ивонин, С.В. Козырев, А.В. Куницын, Л.Г. Лаврентьева, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, В.В. Чалдышев, М.П. Якубеня. ФТТ, 35, 2609 (1993).
  8. A. Claverie, Z. Liliental-Weber. Phil. Mag., 65, 981 (1992)
  9. Н.А. Берт, В.В. Чалдышев. ФТП, 30, 1889 (1996)
  10. T.M. Cheng, C.V. Chang, A. Chin, M.F. Huang, J.H. Huang. Appl. Phys. Lett., 64, 2517 (1994)
  11. Н.А. Берт, В.В. Чалдышев, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин. ФТП, 29, 2232 (1995)
  12. N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, N.N. Faleev, A.A. Kunitsyn, D.I. Lubyshev, V.V. Preobrazhenskii, B.R. Semyagin, V.V. Tretyakov. Semicond. Sci. Technol., 12, 51 (1997)
  13. K. Sears, J. Wong-Leung, H.H. Tan, C. Jagadish. J. Appl. Phys., 99, 113 503 (2006).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.