"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Выращивание нанокристаллов ZnO импульсным лазерным напылением на сапфире и кремнии и их инфракрасные спектры
Баженов А.В.1, Фурсова Т.Н.1, Максимук М.Ю.1, Кайдашев Е.М.2, Кайдашев В.Е.2, Мисочко О.В.1
1Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
2Научно-исследовательский институт механики и прикладной математики Южного Федерального университета, Ростов-на-Дону, Россия
Поступила в редакцию: 13 апреля 2009 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2009 г.

Импульсным лазерным напылением выращены наностержни ZnO, образующие высокоориентированные структуры наностержней на подложках из сапфира и кремния. Выращенные при различных условиях наноструктуры охарактеризованы при помощи электронной микроскопии и фурье-спектроскопии инфракрасного отражения. В этих спектрах выделены вклады оптических фононов и свободных носителей заряда в слоях наностержней ZnO, а также выявлена зависимость степени ориентации наностержней ZnO относительно поверхности подложки от условий их роста. Обнаружено смягчение оптических фононов ZnO при уменьшении диаметра наностержней ZnO. PACS: 63.22.-m, 61.82.Rx, 78.30.Fs, 68.35.Iv, 62.23.Pq
  1. U. Ozgur, Ya.I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M.A. Reshchikov, S. Dogan, V. Avrutin, S.-J. Cho, H. Morko c. J. Appl. Phys., 98, 041 301 (2005)
  2. T. Tanigaki, S. Kimura, N. Tamura, Ch. Kaito. Jpn. J. Appl. Phys., 41, 5529 (2002)
  3. M.H. Huang, S. Mao, H. Feick. H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, P. Yang. Science, 292, 1897 (2001)
  4. N. Ashkenov. B.N. Mbenkum, C. Bundesmann, V. Riede, M. Lorenz, D. Spemann, E.M. Kaidashev, A. Kasic, M. Schubert, M. Grundmann. J. Appl. Phys., 93, 126 (2003)
  5. Е.М. Кайдашев, M. Lorenz, J. Lenzer, A. Ramm, M. Grundmann, К. Абдулвахидов. Тез. докл. VII Межд. междисцип. симп. "Порядок, беспорядок и свойства оксидов" (ODPO-7) (Ростов-на-Дону-п. Лоо, Россия, 2004) т. 1, с. 120
  6. M. Lorenz, E.M. Kaidashev, A. Rahm, Th. Nobis, J. Lenzner, G. Wagner, D. Spemann, H. Hochmuth, M. Grundmann. Appl. Phys. Lett., 86, 143 113 (2005)
  7. E.M. Kaidashev, M. Lorenz, H. von Wenckstern, G. Benndorf, A. Rahm, H.-C. Semmelhack, K.-H. Han, H. Hochmuth, C. Bundesmann, V. Riede, M. Grundmann. Appl. Phys. Lett., 82, 3901 (2003)
  8. E.F. Venger, A.V. Melnichhuk, L.Yu. Melnichuk, and Yu. Pasechnik. Phys. Status Solidi B, 188, 823 (1995)
  9. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Электродинамика сплошных сред (М., Наука, 1992)
  10. W.S. Baer. Phys. Rev., 154, 785 (1967)
  11. G. Mirjalili, T.J. Parker, S. Farjami Shayesteh, M.M. Bulbul, S.R.P. Smith, T.S. Cheng, C.T. Foxon. Phys. Rev. B, 57, 4656 (1998)
  12. C. Wetzel, I. Akasaki. In: Properties, Processing and Applications of Gallium Nitride and Related Semiconductors, eds. by J.H. Edgar, S. Strite, I. Akasaki, H. Amano and C. Wetzel (Published by IET, 1998) p. 52
  13. R. Ruppin, R. Englman. Rep. Progr. Phys., 33, 149 (1970)
  14. V.A. Fonoberov, A.A. Balandin. Phys. Rev. B, 70, 233 205 (2004)
  15. М.Н. Магомедов. Письма ЖТФ, 31, 24 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.