Методами фотолюминесценции, эффекта Холла, примесной фотопроводимости, время-пролетным методом исследовалось влияние давления пара кадмия (P_Cd) при послеростовом отжиге слитков и при отжиге образцов полуизолирующих кристаллов Cd_1-xZn_xTe:Cl (x=0.005, 0.01, 0.05, 0.1) на компенсацию проводимости материала, используемого для создания детекторов ядерного излучения. Показано, что управление P_Cd приводит к изменению концентрации точечных дефектов в кристалле, которые являются ответственными за низкие транспортные характеристики материала. Установлено, что захват свободных дырок происходит на акцепторные уровни как вакансии кадмия, так и вакансии цинка. Исследование электрофизических свойств кристаллов после отжигов при разных давлениях пара кадмия показало, что при малом содержании цинка (x=0.005 и 0.01) определяющее действие на компенсацию проводимости в Cd_1-xZn_xTe:Cl оказывают точечные дефекты кадмия, V_Cd^-2. Однако уже при содержании цинка x>=0.05 необходимо учитывать влияние точечных дефектов цинка V_Zn^-2, и для получения таких кристаллов с лучшими транспортными характеристиками в процессе выращивания материала необходимо управлять не только давлением пара кадмия, но и давлением пара цинка. Установлена возможность управления основными электрофизическими характеристиками полуизолирующего материала с содержанием цинка x=<0.01 для детекторов ядерных излучений, выращиваемого методом горизонтальной направленной кристаллизации, путем регулирования давления пара кадмия в процессе послеростового отжига. PACS: 07.85.Fv, 61.72, 71.55.Gs, 72.40.w, 78.55.Et

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.