"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фазообразование под воздействием спинодального распада в эпитаксиальных твердых растворах гетероструктур GaxIn1-xP/GaAs(100)
Середин П.В.1, Домашевская Э.П.1, Руднева Вал.Е.1, Руднева В.Е.1, Гордиенко Н.Н.1, Глотов А.В.1, Арсентьев И.Н.2, Винокуров Д.А.2, Станкевич А.Л.2, Тарасов И.С.2
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 января 2009 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2009 г.

Методами рентгеновской дифракции и электронной микроскопии изучено явление неустойчивости твердых растворов полупроводниковых эпитаксиальных гетероструктур GaxIn1-xP/GaAs(100) в области составов x~0.50. Показана возможность появления модулированных релаксационных структур на поверхности твердого раствора GaxIn1-xP, вследствие чего появляются сателлиты основных рентгеновских рефлексов, соответствующих однофазной структуре. PACS: 64.75.-g, 81.30.-t
  1. Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981) т. 1
  2. Л.В. Келдыш. ФТТ, 4, 2265 (1962)
  3. Д. Бом. Квантовая теория (М., Наука, 1965)
  4. Э.П. Домашевская, Н.Н. Гордиенко, Н.А. Румянцева, П.В. Середин, Б.Л. Агапов, Л.А. Битюцкая, И.Н. Арсентьев, Л.С. Вавилова, И.С. Тарасов. ФТП, 42, 9 (2008)
  5. Э.П. Домашевская, П.В. Середин, Э.А. Долгополова, И.Е. Занин, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов. ФТП, 39 (3), 354 (2005)
  6. E.P. Domashevskaya, P.V. Seredin, A.N. Lukin, L.A. Bityutskaya, M.V. Grechkina, I.N. Arsent'ev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Surf. Interf. Analysis, 8 (I. 4), 828 (2006)
  7. D. Zhou, B.F. Usher. J. Phys. D: Appl. Phys., 34, 1461 (2001)
  8. Yu.A. Goldberg. Handbook Series on Semiconductor Parameters, eds M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur (World Scientific, London, 1999) v. 2, p. 1

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.