Вышедшие номера
Электронные свойства и закрепление уровня Ферми в облученных полупроводниках II-IV-V2
Брудный В.Н.1
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 17 февраля 2009 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2009 г.

Представлены экспериментальные данные по электронным свойствам полупроводников группы II-IV-V2, облученных высокоэнергетическими частицами - электронами, протонами и нейтронами. Проведена оценка предельных электрических характеристик облученных тройных полупроводников сравнительно с соответствующими данными для их бинарных аналогов III-V. Особое внимание уделено оценке предельного положения уровня Ферми Flim в облученных соединениях II-IV-V2, представлены данные расчетов энергетического положения собственного уровня локальной зарядовой нейтральности. PACS: 72.80.Ey, 72.80.Jc, 81.40.Wx
  1. Полупроводники AII-BIV-C, под ред. Н.А. Горюновой, Ю.А. Рудь, Ю.А. Валова (М., Сов. радио, 1974); J.L. Shay, J.H. Wernick. Chalcopyrite semiconductors: growth, electronic properties and applications (N.Y., Pergamon Press, 1975); Г.А. Медведкин, Ю.В. Рудь, М.А. Таиров. Препринт ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, N 1185 (1987); В.Г. Воеводин, О.В. Воеводина. Диарсенид кадмия-олова (Томск, ТГУ, 1988)
  2. Ю.В. Рудь. Автореф. докт. дис. (Л., ФТИ РАН, 1987)
  3. О.В. Воеводина. Автореф. докт. дис. (Томск, ТГУ, 2002)
  4. P. Leroux-Hugon, G. Weil. Rad. Damage in Semicond. (Paris-Royamont, Dunod Press, 1965)
  5. В.Н. Брудный. Изв. вузов. Физика, 29 (8), 84 (1986)
  6. Б.Ф. Ормонт. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников (М., Высш. шк., 1968)
  7. А.И. Губанов. ФТП, 27 (9), 2724 (1985)
  8. В.Н. Брудный, В.Г. Воеводин, С.Н. Гриняев. ФТП, 48 (11), 1949 (2006)
  9. В.Н. Брудный, Т.В. Ведерникова. ФТП, 42 (1), 36 (2008)
  10. В.Н. Брудный, С.Н. Гриняев, Н.Г. Колин. ФТП, 39 (7), 814 (2005)
  11. M. Popescu, O.J.A. Tiainen, T.O. Tuomi. Phys. Status Solidi A, 14 (12), 541 (1972)
  12. V.N. Brudnyi, S.I. Borisenko, A.I. Potapov. Phys. Status Solidi A, 118 (2), 505 (1990)
  13. В.Н. Брудный, Т.В. Ведерникова. ФТП, 43 (4), 433 (2009)
  14. В.Н. Брудный, М.А. Кривов, В.Г. Мелев, А.И. Потапов. А.с. СССР N 871680 (1981)
  15. Т.В. Ведерникова. Автореф. канд. дис. (Томск, ТГУ, 2008)
  16. В.Н. Брудный, Т.В. Ведерникова. Изв. вузов. Физика, 50 (8), 12 (2007)
  17. В.Н. Брудный, Т.В. Ведерникова. ФТП, 41 (1), 13 (2007)
  18. В.А. Новиков. Автореф. канд. дис. (Томск, ТГУ, 2007)
  19. В.Г. Воеводин. Автореф. докт. дис. (Томск, ТГУ, 2003)
  20. В.Н. Брудный. Автореф. докт. дис. (Томск, ТГУ, 1993)
  21. В.Н. Брудный, В.Г. Воеводин, О.В. Воеводина. Изв. вузов. Физика, 41 (8), 26 (1998)
  22. В.Н. Брудный. Вестн. ТГУ, N 285, 95 (2005)
  23. В.Н. Брудный, А.В. Кособуцкий, Н.Г. Колин. Фундам. пробл. соврем. материаловедения. 5 (1), 68 (2008)
  24. V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, N.G. Kolin. Physica B: Condens Matter, 348 (1--4), 213 (2004)
  25. В.Е. Степанов. В сб.: Новые материалы электронной техники (Новосибирск, Наука, 1990) с. 26
  26. D.J. Chadi, M.L. Cohen. Phys. Rev., 8 (12), 5747 (1973)
  27. P.J. Lin-Chang. Phys. Status Solidi B, 85 (2), 743 (1978)
  28. В.Н. Брудный, Н.Г. Колин, Л.С. Смирнов. ФТП, 41 (9), 1031 (2007)
  29. Ying-Chao Ruan, W.Y. Ching. J. Appl. Phys., 62 (7), 2885 (1987)
  30. W. Walukiewicz. J. Vac. Sci. Technol. B, 5 (4), 1062 (1987)
  31. А.В. Аншон, И.А. Карпович, А.А. Сафонов. Изв. вузов. Физика, 29 (8), 112 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.