"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрические свойства монокристаллов In2Se3 и фоточувствительность барьеров Шоттки Al/In2Se3
Боднарь И.В.1, Ильчук Г.А.2, Петрусь Р.Ю.2, Рудь В.Ю.3, Рудь Ю.В.4, Сергинов М.5
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2Национальный университет "Львивська политехника", Львов, Украина
3Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5Туркменский государственный университет, Ашхабад, Туркмения
Поступила в редакцию: 25 декабря 2008 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2009 г.

Методом Бриджмена выращены монокристаллы In2Se3 диаметром 14 и длиной ~40 мм. Определен состав полученных монокристаллов и их кристаллическая структура. На выращенных монокристаллах проведены измерения удельной электропроводности (sigma) и постоянной Холла (R) и созданы первые барьеры Шоттки Al/n-In2Se3. В новых структурах обнаружены выпрямление и фотовольтаический эффект. На основании исследований спектров фоточувствительности структур Al/n-In2Se3 определены характер межзонных переходов и значения ширины запрещенной зоны кристаллов In2Se3. Сделан вывод о возможностях применения новых структур при создании широкополосных фотопреобразователей оптических излучений. PACS: 61.10.-i, 61.82.Fk
  1. K. Ramanathan, M.A. Contreras, C.I. Parkins, S. Asher, F.S. Hasoon, D. Young, M. Romero, R. Noufi, J. Ward, A. Duba. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 11, 225 (2003)
  2. И.В. Боднарь, Е.С. Дмитриева, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ЖТФ, 75, 84 (2005)
  3. И.В. Боднарь, В.Ф. Гременок, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 33, 805 (1999)
  4. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник, под ред. А.В. Новоселовой, В.Б. Лазарева (М., Наука, 1979)
  5. Н.Х. Абрикосов, В.Ф. Банкина, Л.В. Порецкая, Е.И. Скуднова, С.Н. Чижевская. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе (М., Наука, 1979)
  6. J.S. Blackemor. Semiconductor Statistics (N.Y., Pergamon Press, 1962)
  7. Ф.Дж. Блатт. Теория подвижности электронов в твердых телах (М., Мир, ГИФМЛ, 1963)
  8. S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N.Y., Willey Interscience Publ., 1981)
  9. Г.А. Ильчук, В.В. Кусьнеж, Р.Ю. Петрусь, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 41, 53 (2007)
  10. А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир, 1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.