Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Механизм генерации дефектов донорной и акцепторной природы в полупроводнике n-TiNiSn, сильно легированном примесью Co
1Институт прикладных проблем механики и математики им. Я.С. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины, Львов, Украина
2Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
3Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
4Лаборатория Нееля Национального центра научных исследований, Гренобль, Франция
5Институт физической химии университета г. Вена, А- Вена, Австрия
2Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
3Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
4Лаборатория Нееля Национального центра научных исследований, Гренобль, Франция
5Институт физической химии университета г. Вена, А- Вена, Австрия
Поступила в редакцию: 10 июля 2008 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2009 г.
Исследованы температурные зависимости удельного сопротивления, коэффициента термоэдс, структурные характеристики, а также произведен расчет распределения плотности электронных состояний интерметаллического полупроводника n-TiNiSn, сильно легированного примесью Co (концентрации Co NCo~9.5·1019-1.9·1021 см-3), в температурном диапазоне 80-380 K. Показано, что в TiNi1-xCoxSn с x<0.03 атомы примеси одновременно в разных соотношениях занимают кристаллографические позиции атомов Ti и Ni, генерируя дефекты донорной и акцепторной природы соответственно. Установлена связь между концентрацией примеси, амплитудой крупномасштабной флуктуации, а также степенью заполнения носителями тока потенциальной ямы мелкомасштабной флуктуации (тонкой структурой). Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского-Эфроса. PACS: 71.20.Nr, 72.20.Pa
- В.А. Ромака, Ю.В. Стаднык, Л.Г. Аксельруд, В.В. Ромака, D. Fruchart, P. Rogl, В.Н. Давыдов, Ю.К. Гореленко. ФТП, 42, 769 (2008)
- В.А. Ромака, Ю.В. Стаднык, В.В. Ромака, D. Fruchart, Ю.К. Гореленко, В.Ф. Чекурин, А.М. Горынь. ФТП, 41, 1059 (2007)
- В.А. Ромака, Ю.В. Стаднык, D. Fruchart, Л.П. Ромака, А.М. Горынь, Ю.К. Гореленко, Т.И. Доминюк. ФТП, 43 (3), 297 (2009)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
- К. Зеегер. Физика полупроводников (М., Мир, 1977) [Пер. с англ.: K. Seeger. Semiconductor Physics (Wien, N.Y., Springer-Verlag, 1973)]
- В.А. Ромака, М.Г. Шеляпина, Ю.К. Гореленко, Д. Фрушарт, Ю.В. Стаднык, Л.П. Ромака, В.Ф. Чекурин. ФТП, 40, 676 (2006)
- L. Romaka, Yu. Stadnyk, A. Horyn, M. Shelyapina, V.S. Kasperovich, D. Fruchart, E.K. Hill, P. Wolfers. J. Alloys Comp., 396, 64 (2005)
- S.R. Culp, J. Poon, N. Hickman, T.M. Tritt, J. Blumm. Appl. Phys. Lett., 88, 042 106 (2006)
- T.M. Tritt, M.A. Subramanian. MRS Bulletin, 31, 188 (2006)
- J. Yang, T. Caillat. MRS Bulletin, 31, 224 (2006)
- V.K. Pecharsky, P.Y. Zavalij. Fundamentals of Powder Diffraction and Structural Characterization of Materials (N.Y., Springer, 2005)
- S. Ov gut, K.M. Rabe. Phys. Rev. B, 51, 10 443 (1995)
- P. Larson, S. Mahanti, S. Sportouch, M.G. Kanatzidis. Phys. Rev. B, 59, 15 660 (1999)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 61, 816 (1971)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 62, 1156 (1972)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. УФН, 117, 401 (1975)
- Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) [Пер. с англ.: N.F. Mott, E.A. Davis. Electron processes in non-crystalline materials (Oxford, Clarendon Press, 1979)]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
