Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Продольная фотопроводимость многослойных Ge/Si-структур с квантовыми точками Ge

Талочкин А.Б.¹, Чистохин И.Б.¹, Марков В.А.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 26 декабря 2008 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2009 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы спектры продольной фотопроводимости многослойных Ge/Si-структур с квантовыми точками Ge, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Наблюдался фотоотклик в диапазоне энергий 1.1-0.3 эВ при T=78 K, связанный с оптическими переходами между дырочными уровнями квантовых точек и электронными состояниями Si. Показано, что основной вклад в латеральную фотопроводимость дают электронные состояния, локализованные в области изгиба зон Si вблизи Ge/Si границы раздела. Применение модели квантового ящика для описания дырочных уровней квантовых точек позволило понять происхождение пиков, наблюдаемых в спектрах фотопроводимости. Построена подробная энергетическая диаграмма дырочных уровней квантовых точек и оптических переходов в Ge/Si-структурах с напряженными квантовыми точками Ge. PACS: 73.21.La, 73.63.Kv, 73.50.Pz, 78.67.Hc

K. Brunner. Rep. Progr. Phys., 65, 27 (2002)
J.-M. Baribeau, X. Wu, N.L. Rowell, D.J. Lockwood. J. Phys.: Condens. Matter. 18, R139 (2006)
B. Voiglender. Surf. Sci. Rep., 43, 127 (2001)
C. Miesner, O. Rothig, K. Brunner, G. Absteriter. Appl. Phys. Lett., 76, 1027 (2000)
J.L. Liu, W.G. Wu, A. Balandin, G.L. Jin, K.L. Wang. Appl. Phys. Lett., 74, 185 (1999)
U. Denker, M. Stoffel, O.G. Schmidt. Appl. Phys. Lett., 82, 454 (2003)
M.W. Dashiell, U. Denker, G. Muller, G. Costantini, C. Manzano, K. Kem, O.G. Schmidt. Appl. Phys. Lett., 80, 1279 (2002)
M.V. Shaleev, A.V. Novikov, A.N. Yablonskiy, Y.N. Drozdov, D.N. Lobanov, Z.F. Krasilnik. Appl. Phys. Lett., 91, 021 916 (2007)
A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, Yu.Yu. Proskuryakov, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov, S.A. Teys, A.K. Gutakovskii. Appl. Phys. Lett., 75, 1413 (1999)
S. Tong, J.L. Liu, J. Wan, Kang L. Wang. Appl. Phys. Lett., 80, 1189 (2002)
M.Ya. Valakh, V.M. Dzhagan, V.O. Yukhymchuk, O.V. Vakulenko, S.V. Kondratenko, A.S. Nikolenko. Semicond. Sci. Technol., 22, 326 (2007)
S.V. Kondratenko, A.S. Nikolenko, O.V. Vakulenko, M.Ya. Valakh, V.O. Yukhymchuk, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov. Nanotechnology, 19, 145 703 (2008)
V.A. Markov, H.H. Cheng, C.-T. Chia, A.I. Nikiforov, V.A. Cherepanov, O.P. Pchelyakov, K.S. Zhuravlev, A.B. Talochkin, E. Mc Glynn, M.O. Henry. Thin Sol. Films, 369, 79 (2000)
A.B. Talochkin, V.A. Markov, V.I. Mashanov. Appl. Phys. Lett., 91, 093 127 (2007)
А.Б. Талочкин, В.А. Марков, В.И. Машанов. Письма ЖЭТФ, 86, 397 (2007)
A.B. Talochkin, V.A. Markov. Nanotechnology, 19, 275 402 (2008)
C.G. Van de Walle, M.R. Martin. Phys. Rev. B, 34, 5621 (1986)
А.В. Ненашев, А.В. Двуреченский. ЖЭТФ, 48, 570 (2000)
Y. Kikuchi, H. Suggi, K. Chintani. J. Appl. Phys., 89, 1191 (2001)
M. Grundman, O. Stier, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 52, 11 969 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель