"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Безызлучательная рекомбинация в квантовых точках GaN, сформированных в матрице AlN
Александров И.А.1, Журавлев К.С.1, Мансуров В.Г.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 16 октября 2008 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2009 г.

Проведено исследование механизмов температурного тушения стационарной фотолюминесценции структур с гексагональными квантовыми точками GaN в матрице AlN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Исследовались структуры с различным размером квантовых точек, максимум полосы фотолюминесценции которых расположен в диапазоне от 2.5 до 4 эВ. Обнаружено, что энергия активации термического тушения фотолюминесценции изменяется от 27 до 110 мэВ при уменьшении высоты квантовых точек от 5 до 2 нм. Предложена модель, согласно которой тушение фотолюминесценции происходит через уход носителей заряда с уровней энергии квантовых точек на уровни дефектов матрицы. PACS: 73.21.La, 78.55.Cr, 78.67.Hc, 81.05.Ea, 81.07.Ta
  1. S. Tanaka, J.-S. Lee, P. Ramvall, H. Okagawa. Jpn. J. Appl. Phys., 42, 885 (2003)
  2. Y. Arakawa, T. Someya, K. Tachibana. Phys. Status Solidi B, 224 (1), 1 (2001)
  3. A. Vardi, N. Akopian, G. Bahir, L. Doyennette, M. Tchernycheva, L. Nevou, F.H. Julien, F. Guillot, E. Monroy. Appl. Phys. Lett., 88, 143 101 (2006)
  4. J.M. Gerard, O. Cabrol, B. Sermage. Appl. Phys. Lett., 68, 3123 (1996)
  5. F. Widmann, J. Simon, N.T. Pelekanos, B. Daudin, G. Feuillet, J.L. Rouvie're, G. Fishman. Microelectronics J., 30, 353 (1999)
  6. F. Widmann, B. Daudin, G. Feuillet, Y. Samson, J.L. Rouviere, N. Pelekanos. J. Appl. Phys., 83, 7618 (1998)
  7. J. Simon, N.T. Pelekanos, C. Adelmann, E. Martinez-Guerrero, R. Andre, B. Daudin, Le Si Dang, H. Mariette. Phys. Rev. B, 68, 035 312 (2003)
  8. A. Neogi, H. Morkoc, T. Kuroda, A. Tackeuchi, T. Kawazoe, M. Ohtsu. Nano Lett., 5 (2), 213 (2005)
  9. H. Morkoc, M.A. Reshchikov, K.M. Jones, F. Yun, P. Visconti, M.I. Nathan, R.J. Molnar. Mater. Res. Soc. Symp., 639, G11.2.1 (2001)
  10. Y. H. Cho, B.J. Kwon, J. Barjon, J. Brault, B. Daudin, H. Mariette, L.S. Dang. Appl. Phys. Lett., 81, 4934 (2002)
  11. M.A. Reshchikov, J. Cui, F. Yun, A. Baski, M.I. Nathan, H. Morkoc. Mater. Res. Soc. Symp., 622, T4.5.1 (2000)
  12. B. Damilano, N. Grandjean, J. Massies, F. Semond. Appl. Surf. Sci., 164, 241 (2000)
  13. V.G. Mansurov, A.Yu. Nikitin, Yu.G. Galitsyn, S.N. Svitasheva, K.S. Zhuravlev, Z. Osvath, L. Dobos, Z.E. Horvath, B. Pecz. J. Cryst. Growth, 300, 145 (2007)
  14. A.F. Wright, J. Furthmuller. Appl. Phys. Lett., 72, 3467 (1998)
  15. V.G. Mansurov, Yu.G. Galitsyn, A.Yu. Nikitin, K.S. Zhuravlev, Ph. Vennegues. Phys. Status Solidi C, 3 (6), 1548 (2006)
  16. M. Arlery, J.L. Rouviere, F. Widmann, B. Daudin, G. Feuillet, H. Mariette. Appl. Phys. Lett., 74, 3287 (1999)
  17. E.C. Le Ru, J. Fack, R. Murray. Phys. Rev. B, 67, 245 318 (2003)
  18. A.V. Maleev, I.V. Ignatiev, I.Ya. Gerlovin, I.E. Kozin. Phys. Rev. B, 71, 195 323 (2005)
  19. Г.Г. Зегря, Д.М. Самосват. ЖЭТФ, 131 (6), 1090 (2007)
  20. K.S. Zhuravlev, V.G. Mansurov, A.Yu. Nikitin, M. Larsson, P.O. Holtz. Proc. 15th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (Novosibirsk, 2007) p. 209
  21. C.J. Fall, R. Jones, P.R. Briddon, A.T. Blumenau, T. Frauenheim, M.I. Heggie. Phys. Rev. B, 65, 245 304 (2002)
  22. J.L. Rouviere, J. Simon, N. Pelekanos, B. Daudin, G. Feuillet. Appl. Phys. Lett., 75, 2632 (1999)
  23. T.S. Shamirzaev, A.M. Gilinsky, A.K. Kalagin, A.I. Toropov, A.K. Gutakovskii, K.S. Zhuravlev. Semocond. Sci. Technol., 21, 527 (2006)
  24. A.D. Andreev, E.P. O'Reilly. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 642, G11.25.1 (2001); A.D. Andreev, E.P. O'Reilly. Phys. Rev. B, 62, 15 851 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.