Перераспределение глубоких примесей селена и серы в кремнии при легировании поверхности фосфором
Астров Ю.А.1, Козлов В.А.2, Лодыгин А.Н.1, Порцель Л.М.1, Шуман В.Б.1, Gurevich E.L.3, Hergenroder R.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2НПО "ФИД-Техника", Санкт-Петербург, Россия
3Institute for Analytical Sciences, Dortmund, Germany
Поступила в редакцию: 17 ноября 2008 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2009 г.
Исследуется воздействие кратковременного высокотемпературного прогрева на образцы Si : Se и Si : S, поверхностные слои которых легированы фосфором с высокой концентрацией. Обнаружено существенное увеличение удельного сопротивления объема пластин вплоть до глубин ~10 мкм. Экспериментальные данные свдительствуют, что эффект обусловлен ускоренной диффузией халькогена в присутствии легированной фосфором приповерхностной области. В основе явления лежит инжекция неравновесных межузельных атомов кремния из сильно легированного фосфором слоя в объем образца. Это ведет к смещению равновесия между концентрациями узельных и межузельных положений примеси (в сторону роста последней) и, как следствие, к увеличению доли быстродиффундирующей межузельной компоненты примеси. PACS: 61.72.sh, 61.72.Yx, 71.55.Cn
- R. Angelucci, P. Negrini, S. Solmi. Appl. Phys. Lett., 49, 1468 (1987)
- S. Solmi, F. Cembali, E. Fabbri, M. Servidori, R. Canteri. Appl. Phys. A, 48, 255 (1989)
- D. Nagel, C. Frohne, R. Sittig. Appl. Phys. A, 60, 61 (1995)
- P. Fahey, R.W. Dutton, S.M. Hu. Appl. Phys. Lett., 44, 777 (1984)
- E. Janzen, H.G. Grimmeiss, A. Lodding, Ch. Deline. J. Appl. Phys., 53, 7367 (1982)
- Ю.А. Астров, В.Б. Шуман, А.Н. Лодыгин, Л.М. Порцель, А.Н. Махова. ФТП, 42, 457 (2008)
- Yu.A. Astrov, L.M. Portsel, A.M. Lodygin, V.B. Shuman. J. Appl. Phys., 103, 114 512 (2008)
- Yu.A. Astrov, L.M. Portsel, A.M. Lodygin, V.B. Shuman, N.V. Abrosimov. Infr. Phys. Technol., 52, 25 (2009)
- J.S. Blakemore. Semiconductor statistics (Pergamon Press, Oxford, 1962)
- Л.С. Смирнов. В сб.: Физические процессы в кристаллах с дефектами (Киев, АН УССР, 1972) с. 130
- P. Negrini, M. Servidori, S. Solmi. Phil. Mag. A, 61, 553 (1990)
- Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry, ed. by A. Montaser (Wiley-VCH, 1998)
- J.C. Swartz, D.H. Lemmon, R.N. Thomas. Sol. St. Commun., 36, 331 (1980)
- E. Janzen, R. Stedman, G. Grossman, H.G. Grimmeiss. Phys. Rev. B, 25, 1907 (1984)
- А.А. Таскин, Е.Г. Тишковский. ФТП, 32, 1306 (1998)
- C.S. Kim, M. Sakata. Jpn. J. Appl. Phys., 18, 247 (1979)
- H.G. Grimmeiss, E. Janzen, B. Skarstam, A. Lodding. J. Appl. Phys., 51, 6238 (1980)
- P. Pichler. Intrinsic Point Defects, Impurities, and Their Diffusion in Silicon (Springer, Wien, New-York, 2004)
- U.M. Gosele. Festkorperprobleme, XXVI, 89 (1986)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.