"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Перераспределение глубоких примесей селена и серы в кремнии при легировании поверхности фосфором
Астров Ю.А.1, Козлов В.А.2, Лодыгин А.Н.1, Порцель Л.М.1, Шуман В.Б.1, Gurevich E.L.3, Hergenroder R.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2НПО "ФИД-Техника", Санкт-Петербург, Россия
3Institute for Analytical Sciences, Dortmund, Germany
Поступила в редакцию: 17 ноября 2008 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2009 г.

Исследуется воздействие кратковременного высокотемпературного прогрева на образцы Si : Se и Si : S, поверхностные слои которых легированы фосфором с высокой концентрацией. Обнаружено существенное увеличение удельного сопротивления объема пластин вплоть до глубин ~10 мкм. Экспериментальные данные свдительствуют, что эффект обусловлен ускоренной диффузией халькогена в присутствии легированной фосфором приповерхностной области. В основе явления лежит инжекция неравновесных межузельных атомов кремния из сильно легированного фосфором слоя в объем образца. Это ведет к смещению равновесия между концентрациями узельных и межузельных положений примеси (в сторону роста последней) и, как следствие, к увеличению доли быстродиффундирующей межузельной компоненты примеси. PACS: 61.72.sh, 61.72.Yx, 71.55.Cn
  1. R. Angelucci, P. Negrini, S. Solmi. Appl. Phys. Lett., 49, 1468 (1987)
  2. S. Solmi, F. Cembali, E. Fabbri, M. Servidori, R. Canteri. Appl. Phys. A, 48, 255 (1989)
  3. D. Nagel, C. Frohne, R. Sittig. Appl. Phys. A, 60, 61 (1995)
  4. P. Fahey, R.W. Dutton, S.M. Hu. Appl. Phys. Lett., 44, 777 (1984)
  5. E. Janzen, H.G. Grimmeiss, A. Lodding, Ch. Deline. J. Appl. Phys., 53, 7367 (1982)
  6. Ю.А. Астров, В.Б. Шуман, А.Н. Лодыгин, Л.М. Порцель, А.Н. Махова. ФТП, 42, 457 (2008)
  7. Yu.A. Astrov, L.M. Portsel, A.M. Lodygin, V.B. Shuman. J. Appl. Phys., 103, 114 512 (2008)
  8. Yu.A. Astrov, L.M. Portsel, A.M. Lodygin, V.B. Shuman, N.V. Abrosimov. Infr. Phys. Technol., 52, 25 (2009)
  9. J.S. Blakemore. Semiconductor statistics (Pergamon Press, Oxford, 1962)
  10. Л.С. Смирнов. В сб.: Физические процессы в кристаллах с дефектами (Киев, АН УССР, 1972) с. 130
  11. P. Negrini, M. Servidori, S. Solmi. Phil. Mag. A, 61, 553 (1990)
  12. Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry, ed. by A. Montaser (Wiley-VCH, 1998)
  13. J.C. Swartz, D.H. Lemmon, R.N. Thomas. Sol. St. Commun., 36, 331 (1980)
  14. E. Janzen, R. Stedman, G. Grossman, H.G. Grimmeiss. Phys. Rev. B, 25, 1907 (1984)
  15. А.А. Таскин, Е.Г. Тишковский. ФТП, 32, 1306 (1998)
  16. C.S. Kim, M. Sakata. Jpn. J. Appl. Phys., 18, 247 (1979)
  17. H.G. Grimmeiss, E. Janzen, B. Skarstam, A. Lodding. J. Appl. Phys., 51, 6238 (1980)
  18. P. Pichler. Intrinsic Point Defects, Impurities, and Their Diffusion in Silicon (Springer, Wien, New-York, 2004)
  19. U.M. Gosele. Festkorperprobleme, XXVI, 89 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.