Вышедшие номера
Перераспределение глубоких примесей селена и серы в кремнии при легировании поверхности фосфором
Астров Ю.А.1, Козлов В.А.2, Лодыгин А.Н.1, Порцель Л.М.1, Шуман В.Б.1, Gurevich E.L.3, Hergenroder R.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2НПО "ФИД-Техника", Санкт-Петербург, Россия
3Institute for Analytical Sciences, Dortmund, Germany
Поступила в редакцию: 17 ноября 2008 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2009 г.

Исследуется воздействие кратковременного высокотемпературного прогрева на образцы Si : Se и Si : S, поверхностные слои которых легированы фосфором с высокой концентрацией. Обнаружено существенное увеличение удельного сопротивления объема пластин вплоть до глубин ~10 мкм. Экспериментальные данные свдительствуют, что эффект обусловлен ускоренной диффузией халькогена в присутствии легированной фосфором приповерхностной области. В основе явления лежит инжекция неравновесных межузельных атомов кремния из сильно легированного фосфором слоя в объем образца. Это ведет к смещению равновесия между концентрациями узельных и межузельных положений примеси (в сторону роста последней) и, как следствие, к увеличению доли быстродиффундирующей межузельной компоненты примеси. PACS: 61.72.sh, 61.72.Yx, 71.55.Cn